121г. Тиристорная оптопара

121д. (Исключен, Изм. № 3).

121е. Полупроводниковый излуча­тель, работающий с физическим при­емником

121а—121е. (Введены дополнительно,

  1. Светоизлучающий диод

сид

  1. Lichtemitterdiode (LED)

  2. Light-emitting diode (LED)

  1. 123a. (Исключены, Изм. № 2).

  2. (Исключен, Изм. Ml).

  3. (Исключен, Изм. № 2).

  4. Полупроводниковый экран

  1. Semiconductor analog indi­cator

  1. Инфракрасный излучающий ди­од

И-К диод

  1. Infrarotemitterdiode (1RED)

  2. Infra-red-emitting diode

  3. Diode emittrice en infra­rouge лучение для внутреннего взаимодействия его элементов

Оптоэлектронный полупроводниковый прибор, преобразующий электрическую энергию в энергию электромагнитного излучения

По ГОСТ 25066—81

Оптоэлектронный полупроводниковый прибор, состоящий из излучающего и фотоприемного элементов, между кото­рыми имеется оптическая связь и обе­спечена электрическая изоляция

Оптопара с фотоприемным элементом, выполненным на основе фоторезистора

Оптопара с фотоприемным элементом, выполненным на основе фотодиода

Оптопара с фотоприемным элементом, выполненным на основе фототранзисто­ра

Оптопара с фотоприемным элементом, выполненным на основе фототиристора

Изм. № 1).

Полупроводниковый диод, излучающий энергию в видимой области спектра в результате рекомбинации электронов и дырок

Полупроводниковый прибор, состоя­щий из светоизлучающих диодов, рас­положенных вдоль одной линии и со­держащих п строк светоизлучающих диодов, предназначенный для использо­вания в устройствах отображения ана­логовой и цифровой информации

Полупроводниковый диод, излучающий энергию в инфракрасной области спек­тра в результате рекомбинации электро­нов и дырокТермин

Определение

Элементы

  1. Вывод полупроводникового прибора

Вывод

  1. Anschluss eines Halbleiter- bauelementes

  2. Terminal (of a semiconduc­tor device)

  3. Borne

  1. Основной вывод полупроводни­кового прибора

  1. Basisanschluss eines Hal­bleiterbauelementes

  2. Main terminal

  3. Borne principale

  1. Катодный вывод полупровод­никового прибора

  1. Katodenschluss eines Halbleiterbauelementes

  2. Cathode terminal (of a se­miconductor device)

  3. Cathode

  1. Анодный вывод полупровод­никового прибора

  1. Anodenanschluss eines Halbleiterbauelementes

  2. Anode terminal (of a semi­conductor device)

  3. Anode

  1. Управляющий вывод полупро­водникового прибора

  1. Gate terminal (of a semi­conductor device)

  2. Grille

  1. Корпус полупроводникового прибора

Корпус

  1. Gehause eines Halbleiter­bauelementes

  2. Package (case) (of a semi­conductor device)

  3. Capsule

  1. Бескорпусный полупроводнико­вый прибор

Ндп. Полупроводниковая структура

D. Gehauseloses Halbleiterbau- element

, Е. Beam lead semiconductor device

F. Dispositif semiconducteur sans boitier

конструкции

Элемент конструкции корпуса полу­проводникового прибора, необходимый для соединения соответствующего элек­трода с внешней электрической цепью

Вывод, полупроводникового прибора через который протекает основной ток

Вывод, полупроводникового прибора, от которого прямой ток течет во внеш­нюю-электрическую цепь

Вывод, полупроводникового прибора, к которому прямой ток течет из внешней электрической цепи

Вывод полупроводникового прибора через который течет только ток управ­ления

Часть конструкции полупроводниково­го прибора, предназначенная для защи­ты от воздействия окружающей среды, а также для присоединения прибора к внешним схемам с помощью выводов

Полупроводниковый прибор, не защи­щенный корпусом и предназначенный для использования в гибридных интег­ральных микросхемах, герметизируемых блоках и аппаратуре

135. Полупроводниковый излучаю­щий элемент

135а. Электрод полупроводниково­го прибора

Е. Electrode (of a semiconduc­tor device)

Часть полупроводникового прибора отображения информации, состоящая из излучающей поверхности и контактов для подключения к электрической схеме

Часть полупроводникового прибора, обеспечивающая электрический контакт между определенной областью полупро­водникового прибора и выводо

м

26

71

64

71

89

66

60

55

54

128

128

129

132

61

16

17

109

106

66

69

69а

81

84

91

127

72

78

82

77

37

75

85

90

79

68

66


(Измененная редакция, Изм. № 1, 2, 3).

АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА РУССКОМ ЯЗЫКЕ

База

Блок выпрямительный

Блок полупроводниковый

Блок полупроводниковый выпрямительный

Варикан

Вентиль полупроводниковый

Включение тиристора

Восстановление полупроводникового диода обратное

Восстановление полупроводникового диода прямое

Вывод

Вывод полупроводникового прибора

Вывод полупроводникового прибора анодный

Вывод полупроводникового прибора катодный

Вывод полупроводникового прибора основной

Вывод полупроводникового прибора управляющий

Выключение тиристора

Гетеропереход

Гомопереход

Диак

Динистор

Диод

Диод выпрямительный

Диод выпрямительный лавинный

Диод Ганна

Диод детекторный

Диод Зенеровский

Диод излучающий инфракрасный

Диод импульсный

Диод инжекционно-пролетный

Диод коммутационный

Диод лавинно-пролетный

Диод модуляторный

Диод обращенный

Диод ограничительный

Диод параметрический

Диод переключательный

Диод плоскостной

Диод полупроводниковый

Диод полупроводниковый выпрямительный 69

Диод полупроводниковый детекторный 84

Диод полупроводниковый импульсный 72

Диод полупроводниковый коммутационный 82

Диод полупроводниковый ограничительный 85

Диод полупроводниковый параметрический 90

Диод полупроводниковый сверхвысокочастотный 76

Диод резистивный регулируемый , 83

Диод светоизлучающий 122

Диод смесительный 80

Диод с накоплением заряда 73

Диод с контролируемым лавинным пробоем полупроводниковый выпрямительный 696

Диод точечно-контактный 67

Диод точечный 67

Диод туннельный ' 74

Диод умножительный 86

Диод Шоттки 88

Диод шумовой полупроводниковый 93

Затвор 33

Излучатель полупроводниковый 120

Излучатель, работающий с физическим приемником, полупроводниковый 121е

И-К диод 127

Индикатор знакосинтезирующий полупроводниковый 120а

Исток 32

Канал проводящий 31

Коллектор ■ 28

Контакт линейный 20

Корпус 133

Корпус полупроводникового прибора 133

МДП-транзистор 102

Мезаструктура 38

Модуляция толщины базы 50

МОП-транзистор 103

Набор полупроводниковых приборов 65

Накопление заряда в базе 52

Накопление неравновесных носителей заряда в базе 52

Направление для р-п перехода обратное 44

Направление для р-п перехода прямое 43

Область базовая 26

Область дырочная 23

Область коллекторная 28

Область собственной электропроводности 25

Область собственная 25

Область электронная 24

Область эмиттерная 27

Область і 25

Область п 24

Область р 23

Оптопара 121

Оптопара диодная 121

Оптопара резисторная 121а

Оптопара тиристорная 1216

Оптопара транзисторная 121в

Переключение тиристора 59

Переход 1

Переход вплавной 12Переход выпрямляющий 19

Переход выращенный 14

Переход гетерогенный 16

Переход гомогенный 17

Переход диффузионный 9

Переход дырочно-дырочный 4

Переход коллекторный 22

Переход конверсинонный 11

Переход микровплавной 13

Переход микросплавной 13

Переход омический 20

Переход плавный 6

Переход планарный 10

Переход плоскостной 7

Переход резкий 5

Переход сплавной 12

Переход точечный 8

Переход тянутый 14

Переход Шоттки 18

Переход электрический 1

Переход электронно-дырочный 2

Переход электронно-электронный 3

Переход эмиттерный 21

Переход эпитаксиальный 15

Переход п-п+ 3

Переход р-п 2

Переход р-р+ 4

Прибор полупроводниковый (ПП) 62

Прибор полупроводниковый бескорпусный 134

Прибор полупроводниковый оптоэлектронный 119

Прибор полупроводниковый силовой (СПП) 03

Пробой р-п перехода 45

Пробой р-п перехода лавинный 47

Пробой р-п перехода тепловой 49

Пробой р-п перехода туннельный 48

Пробой р-п перехода электрический 46

Прокол базы 51

Рассасывание заряда в базе 53

Рассасывание неравновесных носителей заряда в базе 53

СВЧ-ди од 76

СИД 122

Слой запирающий 40

Слой запорный 40

Слой инверсный 42

Слой обедненный 39

Слой обогащенный 41

Состояние тиристора в обратном направлении непроводящее 58

Состояние тиристора закрытое 56

Состояние тиристора открытое 57

Стабилитрон 91

Стабилитрон полупроводниковый 91

Столб выпрямительный 70

Столб полупроводниковый выпрямительный 70

Сток 33

Структура 35

Структура МДП 36

Структура металл—диэлектрик—полупроводник 36

Структура металл—окисел—полупроводник 37

Структура МОП 37

Структура полупроводниковая 134

Структура полупроводникового прибора 35

Тиристор 105

Тиристор ДИОДНЫЙ 106

Тиристор диодный симметричный 109

Тиристор запираемый 114

Тиристор импульсный 118

Тиристор комбинированно-выключаемый 1176

Тиристор лавинный 117а

Тиристор, непроводящий в обратном направлении, диодный 107

Тиристор, непроводящий в обратном направлении, триодный 111

Тиристор, проводящий в обратном направлении, диодный 108

Тиристор, проводящий в обратном направлении, триодный 112

Тиристор, непроводящий в обратном направлении, триодный лавинный 117а

Тиристор с инжектирующим управляющим электродом р-типа 116

Тиристор с инжектирующим управляющим электродом п-типа 117

Тиристор триодный 110

Тиристор триодный симметричный 113

Транзистор 94

Транзистор бездрейфовый Э5

Транзистор биполярный 94

Транзистор диффузионный 95

Транзистор дрейфовый 96

Транзистор канальный 100

Транзистор лавинный 99

Транзистор типа металл—окисел—полупроводник полевой 103

Транзистор плоскостной 98

Транзистор полевой 100

Транзистор с изолированным затвором полевой 191

Транзистор симметричный 104

Транзистор типа металл—диэлектрик—полупроводник полевой 102

Триод точечно-контактный 97

Транзистор точечный 97

Триак 113

Тринистор ПО

Часть базовой области активная 29

Часть базовой области пассивная 30

Элемент излучающий полупроводниковый 135

Электрод полупроводникового прибора 135а

Эмиттер 27

Эффект смыкания 51

(Измененная редакция, Изм. № 1, 2).

АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА НЕМЕЦКОМ ЯЗЫКЕ

Abbau von Uberschussladungstragern in der Basis 53

Abschaltbarer Thyristor 114

Aktiver Teil des Basisgebietes eines bipolaren Transistors 29

Anodenanschluss eines Halbleiterbauelementes 131

Anodenseitig gesteuerter Thyristor 117

Anreicherungsschicht 41

Anschluss eines Halbleiterbauelementes 128

Ausschalten eines Thyristors 61

Basisanschluss eines Halbleiterbauelementes 129

Basisgebiet 26

Bidirektionaltransistor 104

Bipolarer Transistor 94

Blockierzustand eines Thyristors 56

Defektelektronengebiet 23

Diffundierter Ubergang 9

Diffusionstransistor 95

Drain (Senke) 33

Drifttransistor 96

Durchbruch des pn-Uberganges 45

Durchgreifeffekt 51

Durchlassrichtung des pn-Uberganges 43

Durchlasszustand eines Thyristors 57

Eigenleitungsgebiet 25

Einschwingen des Durchlasswiderstandes einer Halbleiterdiode 54