Elektrischer Durchbruch des pn-Uberganges 46
Elektrischer Ubergang (Sperrschicht) 1
Elektronengebiet 24
Emittergebiet 27
Emitteriibergang 21
Epitaxieiibergang 15
Gate (Tor) 34
Gehause eines Halbleiterbauelementes 133
Gehauseloses Halbleiterbauelement 134
Gezogener Ubergang 14
Gleichrichteriibergang 19
Gunn-Element 81
Feldeffekttransistor (FET) 100
Feldeffekttransistor mit isoliertem Gate 101
Flachentransistor 98
Flacheniibergang 7
Halbleiterbauelement 62
Halbleiterbegrenzerdiode 85
Halbleiterdemodulatordiode 84
Halbleiterdiode 66
Halbleiterfrachendiode 68
Halbleitergleichrichterdiode 69
Halbleiter-HF-Schaltdiode 82
Halbleiterimpulsdiode 72
Halbleiterinjektionslaufzeitdiode 78
Halbleiterlawinenlaufzeitdiode 77
Halbleiterleistungsbauelement 63
Halbleitermischdiode 80
Halbleitermodulatordiode 87
Halbleiterrauschdiode 93
Halbleiterschaltdiode 79
Halbleiterspitzendiode 67
Halbleiterstrahler 120
Halbleitertunneldiode 74
Halbleiterunitunneldiode 75
Halbleitervaraktordiode 90
Halbleitervervielfacherdiode 86
Halbleiter-Z-Diode 91
Heteroiibergang J 6
Homogener Ubergang 17
Infrarotemitterdiode (IRED) 127
Inversionsschicht 42
Kanai 3
1
Rapazitatsdiode
Katodenanschluss eines Halbleiterbauelementes
Katodenseitig gesteuerter Thyristor
Kollektorgebiet
Kollektoriibergang
Konversionsiibergang
Ladungsspeicherdiode
Lawinendurchbruch des pn-Uberganges
Lawinentransistor
Legierter Ubergang
Lichtemitterdiode (LED)
Mesaslruktur
Metall-Dielektrikum-Halbleiter-Struktur (MIS-Struktur)
Metall-Oxid-Halbleiter-Struktur (MOS-Struktur)
Mikrolegierter Ubergang
MIS-Feldeffekttransistor (MIS-FET)
Modulation der Basisbreite
MOS-Feldeffekttransistor (MOS-FET) nn+-Ubergang
Ohmischer Ubergang
Optoelektronischer Koppler
Optoelektronisches Halbleiterbauelement
Passiver Teil des Basisgebietes eines bipolaren Transistors
PIN-Diode
Planarflbergang
pn-Ubergang
pp+-Ubergang
Punktiibergang
Riickwarts leitende Thyristordiode
Riickwarts leitende Thyristortriode
Riickwarts sperrende Thyristordiode
Riickwarts sperrende Thyristortriode
Schottky-Diode
Schottky-Ubergang
Source (Quelle)
Speicherung von UberschussJadungstragern in der Basis
Sperrichtung des pn-Uberganges
Sperrschicht
Sperrzustanl eines Thyristors
Spitzentransistor
Steiler Ubergang
Stetiger Ubergang
Steuerelektrode eines Halbleiterbauelementes
Struktur eines Halbleiterbauelementes
Thermischer Durchbruch des pn-Uberganges
Thyristor
Thyristordiode
Thyristortriode
Tunneldurchbruch des pn-Uberganges
UHF-Halbleiterdiode
Umschalten eines Thyristors
Verarmungsschicht
Wiederherstellung des Sperrwiderstandes einer Halbleiterdiode
Ziinden eines Thyristors
Zweirichtungsthyristordiode
Zweirichtungsthyristortriode
(
89 130 116
28 22 11 73
47 99 12 122
38 36
37
13 192
ЗО 103
З 20 121 119
ЗО 83 10
2 4
8 108 112 і07
18
32
52
44
40
58
97
5
6
132
35
49
105
106
110
48
76
59
39
55
60
109
113
Введен дополнительно, Изм. № 2).АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА АНГЛИЙСКОМ ЯЗЫКЕAbrupt junction 5
Active part of base region 29
Alloyed junction 12
Anode terminal (of a semiconductor device) 131
Avalanche rectifier diode 69a
Avalanche reverse blocking thyristor 117a
Avalanche transistor 99
Barrier region (layer) 40
Base region 26
Base thickness modulation 50
Beam lead semiconductor device 134
Bi-directional diode thyristor 109
Bi-directional transistor 104
Bi-directional triode thyristor 113
Bipolar transistor _ 94
Breakdown of a P-N junction 45
Cathode terminal (of a semiconductor device) 130
Channel * 31
Collector junction 22
Collector region 28
Controlled-avalanche rectifier diode 69b
Conversion junction 11
Depletion layer 39
Detector diode 84
Diffused junction 9
Diffusion transistor 95
Diode thyristor 106
Drain 33
Drift (diffused) transistor 96
Electrode (of a semiconductor device) 135a
Emitter junction 21
Emitter region 27
Enriched layer 41
Epitaxial junction 15
Excess carrier resorption (in the base) 53
Field-effect transistor 100
Forward direction (of a P-N junction) 43
Forward recovery 54
Gate 34
Gate terminal (of a semiconductor device) 132
Gate triggering of a thyristor 60
Gate turning-oif of a thyristor 61
Graded junction - 6
Grown junction 14
Gunn diode 81
Heterogenous junction 16
Homogenous junction 17
Impact avalanche-(and-) transit time diode 77
Infra-red-emitting diode ■ 127
Injection- (and-) transit time diode 78
Insulated-gate FET 101
Intrinsic region 1 25
Inversion layer 42
Junction 1
Junction diode 68
Junction transistor ' '
»8
Light-emitting diode (LED)
122
Main terminal
129
Mcsa-structure
38
Micro-alloy junction
13
Microwave diode
76
Microwave limiting diode
85
Minority carrier storage- (in the base)
52
MIS-structure
36
MIS-transistor
102
MOS-structure >
37
MOS-transistor
103
N-gate thyristor
117
N-N+ junction
3
N-region
24
Off-state of a thyristor
56
Ohmic junction
20
On-state of a thyristor
57
Optocoupler
121
Package (case) (of a semiconductor device)
133
Passive part of base region
30
P-gate thyristor
116
Photocoupler
121
PIN diode
83
Planar junction
10
P-N junction.
2
(P-N junction) avalanche breakdown
47
P-N junction electrical breakdown
46
(P-N junction) thermal breakdown
49
Point contact diode
b7
Point-contact junction
8
Point-contact transistor
97
P-P+ junction
4
P-region
23
Pulse thyristor
118
Punch-through
51
Rectifying junction
19
Reverse blocking diode thyristor
107
Reverse blocking state of a thyristor
58
Reverse blocking triode thyristor
111
Reverse conducting diode thyristor
108
Reverse conducting triode thyristor
112
Reverse direction (of a P-N junction)
44
Reverse recovery
55
Schottky (-barrier) diode
88
Schottky junction
18
Semiconductor analog indicator
126
Semiconductor assembly
64
Semiconductor assembly set
65
Semiconductor character display
120a
Semiconductor device
52
Semiconductor diode
66
Semiconductor frequency multiplication diode
86
Semiconductor mixer diode
80
Semiconductor modulator diode
87
Semiconductor noise diode
93
Semiconductor optoelectronic device
119
Semiconductor optoelectronic display
Semiconductor parametric (amplifier) diode
Semiconductor photoemitter
Semiconductor power device
Semiconductor rectifier assembly
Semiconductor rectifier diode
Semiconductor rectifier stack
Signal diode
Snap-off (step-recovery) diode
Source
Structure
Surface junction
Switching diode
Switching of a thyristor
Terminal (of a semiconductor device)
Thyristor
Triac
Triode thyristor
Tunnel diode
Turn-off thyristor
Unitunnel (backward) diode
Variable capacitance diode
Voltage reference diode
Zenner (tunnel) breakdown
(Измененная редакция, Изм. № 2).
АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА ФРАНЦУЗСКОМ ЯЗЫКЕ
Accumulation de porteurs d’exces dans la base
Amorcage de~ thyristor
Anode
Assemblage a semiconducteurs
Assemblage de redressement (a semironducteurs)
Bloc de redressement (a semiconducteurs)
Borne
Borne principale -
Canal
Capsule
Cathode
Claquage (d’une jonction P-N)
Claquage electrique (d’une jonction P-N)
Claquage par avalanche (d’une jonction P-N)
Claquage par effet thermique (d’une jonction P-N)
Claquage par effet Zenner (tunnel)
Commutation de thyristor
Couche de depletion
Couche d’inversion
Couche enrichie
Desamorcage de thyristor
Diode a avalanche a temps de transit
Diode a capacite variable (varicape)
Diode a injection a temps de transit
Diode a jonction
Diode a pointe
Diode a semiconducteurs
D
126 90
120
63 71
69
70 72
73 32
35
7
79
59 128 105 113 110
74 114
75 89 91
48
52
60
131
64
71
70
128
129
31
133
130
45
46
47
49
48
59
39
42
41
61
77
89
78
68
67
66
63
iode і semiconducteurs pour forte puissanceDiode de bruit 93
Diode de commutation 79
Diode de limitation de hyperfrequences 85
Diode de redressement 69
Diode de Schottky 88
Diode detectrice a semiconducteurs 84
Diode de tension de reference 91
Diode d'impulsion 72
Diode emettrice en infrarouge 127
Diode en hyperfrequences 76
Diode Gunn 81
Diode inverse 75
Diode melangeuse 80
Diode modulatrice (a semiconducteurs) 87
Diode parametrique (a semiconducteurs) 90
Diode PIN 83
Diode pour multiplication de frequence 86
Diode tunnel 74
Dispositif optoelectronique semiconducteur 119
Dispositif a semiconducteurs 62
Dispositif semiconducteur sans boitier 134
Drain ' 33
Etat bloque dans le sens inverse de thyristor 58
Etat bloque de thyristor 56
-Etat passant de thyristor 57
Grille 34, 132
Jonction 1
Jonction abrupte 5
Jonction a diffusion 9
Jonction allie 12
Jonction a pointe 8
Jonction collecteur 22
Jonction de conversion 11
Jonction de croissance 14
Jonction de par surface 7
Jonction emitteur ■- 21
Jonction epitaxiale 15
Jonction graduelle 6
Jonction heterogene 16
Jonction homogene 17
Jonction microallie 13
Jonction N-N 3
Jonction ohmique 20
Jonction planar 10
Jonction P-N 2
Jonction P-P 4
Jonction redresseuse 19
Jonction Schottky 18
Modulation d’epaisseur de base 50
Penetration 51
Photocoupler 121
Photoemetteur a semiconducteurs 120
Recouvrement direct 54
Recouvrement inverse 55
Region active de base 29
Region de barriere 40
Region de base 26
Region de collecteur
28
Region d’emetteur
27
Region intrinseque
25
Region N
24
Region P
23
Region passive de base
30
Resorption de porteurs d’exces dans la base
53
Sens direct (d’une jonction P-N)
43
Sens inverse (d’une jonction PN)
Л4
Source
32
Structure
35
Structure-mesa
38
Structure-MIS
36
Structure-MOS
37
Thyristor
105
Thyristor biocable
114
Thyristor diode
106
Thyristor diode bi-directionnel
109
Thyristor diode blogue en inverse
107
Thyristor diode passant en inverse
108
Thyristor N
117
Thyristor P
116
Thyristor signal
118
Thyristor triode
110
Thyristor triode bi-directionnel
113
Thyristor triode bloque en inverse
lid
Thyristor triode passant en inverse
112
Transistor a avalanche
99
Transistor a diffusion
95
Transistor a effet de champ
ioa
Transistor a effet de champ a grille isolee
101
Transistor a jonction
98
Transistor a pointe
97
Transistor bi-directionnel
104
Transistor bipolaire
94
Transistor en derive
96
Transistor-MIS
102
Transistor-MOS
103
(Измененная редакция, Изм. № 2, 3).ПРИЛОЖЕНИЕ
Справочное
ПЕРЕЧЕНЬ ТЕРМИНОВ СТ СЭВ 2767—85, НЕ ВКЛЮЧЕННЫХ В НАСТОЯЩИЙ
СТАНДАРТ
Фоточувствительный полупроводниковый прибор.
Фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения.
Фоторезистор
Фотодиод
Фототранзистор
Фототиристор
Туннельный эффект
(Введено дополнительно, Изм. № 2, 3).
Редактор В. С. Бабкина
Технический редактор Э. В. Мигяй
Корректор Г. И. Чуйко
Сдано в наб. 23.04.87 Подп. в печ. 08.06.87 2,0 усл. п. л. 2,0 усл. кр.-отт. 2,60 уч.-изд. л. Тираж 6000 Цена 15 коп.
Ордена «Знак Почета> Издательство стандартов, 123840, Москва, ГСП.
Новопресненский пер., д. 3.
Вильнюсская типография Издательства стандартов, ул. Миндауго, 12/14. Зак. 2270.Э. ЭЛЕКТРОННАЯ ТЕХНИКА, РАДИОЭЛЕКТРОНИКА И СВЯЗЬ
Группа Э00
Изменение № 4 ГОСТ 15133—77 Приборы полупроводниковые. Термины и определения
Утверждено и введено в действие Постановлением Государственного комитета СССР по стандартам от 23.06.88 №2193
Дата введения 01.12.88
Вводную часть изложить в новой редакции: «Настоящий стандарт устанавливает термины и определения понятий полупроводниковых приборов.
Термины, установленные настоящим стандартом,‘“обязательны для применения во всех видах документации и литературы, входящих в сферу деятельности по стандартизации или использующих результаты этой деятельности.
Степень соответствия настоящего стандарта СТ СЭВ 2767-—85 приведена .в приложении.
Стандартизованные термины с определениями приведены в табл. 1.
(Продолжение см. с. 368)
Для' каждого понятия установлен один стандартизованный термин. Применение терминов-синонимов стандартизованного термина не допускается. Недопустимые к применению термины-синонимы приведены в табл. Г в качестве справочных и обозначены пометой «Ндп».
Для отдельных стандартизованных терминов в табл. 1 приведены в качестве справочных краткие формы, которые разрешается применять в случаях, исключающих возможность их-различного толкования.
Приведенные определения можно при необходимости изменять, вводя в них производные признаки, раскрывая значения используемых в них терминов, указывая объекты, входящие в объем определяемого понятия. Изменения не должны нарушать объем и содержание понятий, определенных в данном стандарте.
В табл. 1 в качестве справочных приведены иноязычные эквиваленты для ряда стандартизованных терминов на немецком (D), английском (Е), и'французском (F) языках.
Алфавитные указатели содержащихся в стандарте терминов на русском языке и их иноязычных эквивалентов приведены в табл. 2—5.
Стандартизованные термины набраны полужирным шрифтом, их краткая форма — светлым, а недопустимые синонимы —- курсивом».
Таблицу дополнить словом: «Таблица 1»;
(Продолжение см. с. 369)іграфа «Термин». Термин 120 дополнить краткой формой: «Излучатель»;
графа «Определение». Для термина 121 заменить слова: «излучающего и фотоприемного элементов» на «излучателя и приемника излучения»;
для терминов ,121а — 121г заменить слова: «фотоприемного элемента» на.> «приемником' излучения».
Стандарт дополнить терминами — 12Ю6, 121ж, 121з, 127а— 127с и их определениями:
|
Термин |
Определение |
|
1206. Полупроводниковый приемник излучения оптоэлектронного прибора Приемник излучения 121ж. Дифференциальная диодная оптопара 1.21 з. Тиристорная оптопара с симметричным выходом 127а. Фотодиод
1276. Фототранзистор —
127в. Фоторезистор
• F. Cellule photoinductive 127г. Фототиристор
127д. Оптоэлектронный коммутатор аналогового сигнала 127е. Оптоэлектронный коммутатор нагрузки 127ж. Оптоэлектронный коммутатор постоянного тока 127з. Оптоэлектронный коммутатор переменного тока 127и. Оптоэлектронный переключатель логических сигналов |
Оптоэлектронный ■ полупроводниковый' прибор, преобразующий энергию оптического излучения в электрическую энергию от полупроводникового излучателя и работающего в паре с ним Диодная оптопара, в которой два близких по определяющим параметрам фотодиода принимают световой поток от одного- излучателя Тиристорная оптопара, с симметричным диодным или триодным фототиристором По ГОСТ 21934—83 По ГОСТ 21934—83 По ГОСТ 21934—83 Тиристор, в котором используется фотоэлектрический эффект Оптоэлектронный полупроводниковой прибор, состоящий из излучателя и приемника излучения со схемой коммутации аналогового сигнала на выходе Оптоэлектронный ' полупроводниковый прибор, состоящий из излучателя и приемника излучения со схемой коммутации тока на выходе .Оптоэлектронный коммутатор нагрузки со схемой коммутации по цепям постоянного тока Оптоэлектронный коммутатор нагрузки со схемой, коммутации по цепям переменного тока Оптоэлектронный полупроводниковый прибор, состоящий из излучателя и приемника излучения со схемой логического ключа на выходе |
