Приборы полупроводниковые. Термины и определения

Полупроводниковый диод, предназна­ченный для преобразования и обработ­ки сверхвысокочастотного сигнала

Полупроводниковый диод, работаю­щий в режиме лавинного размножения носителей заряда при обратном смеще­нии электрического перехода и предназ­наченный для генерации сверхвысокоча­стотных колебаний

Полупроводниковый диод, работаю­щий в режиме инжекции носителей за­ряда в область запорного слоя и пред­назначенный для генерации сверхвысо­кочастотных колебаний

Полупроводниковый диод, имеющий на частоте сигнала низкое сопротивле­ние при прямом смещении и высокое сопротивление — при обратном, предназ-

45. Смесительный диод

4. Halbleitermischdiode

5. Semiconductor mixer diode

6. Diode melangueuse

45. Диод Ганна

4. Gunn-Element

5. Gunn diode

6. Diode Gunn

45. Коммутационный полупроводни­ковый диод

Коммутационный диод

D. Halbleiter- HF-Schaltdiode

45. Регулируемый резистивный ди­од

4. PIN-Diode

5. PIN diode

6. Diode PIN

45. Детекторный полупроводнико­вый диод

Детекторный диод

4. Halbleiterdemodulatordiode

5. Detector diode

6. Diode detectrice a semicon- ducteurs

45. Ограничительный полупровод­никовый диод

Ограничительный диод

4. Halbleiterbegrenzerdiode

5. Microwave limiting diode

6. Diode de limitation de hyper­frequences

45. Умножительный диод

4. Halbleitervervielfacherdio le

5. eSmiconductor frequency mul­tiplication diode

6. Diode pour multiplication de frequence

45. Модуляторный диод

4. Halbleitermodulatordiode

5. Semiconductor modulator di­ode

6. Diode modulatrice (a semi- conducteurs)

45. Диод Шоттки

4. Schottky-Diode

6. Schottky (-barrier) diode

7. Diode de Schottky

наченный для управления уровнем мощ­ности сигнала

Полупроводниковый диод, предназна­ченный для преобразования высокоча­стотных сигналов в сигнал промежуточ­ной частоты

Полупроводниковый диод, действие которого основано на появлении отрица­тельного объемного сопротивления под воздействием сильного электрического поля, предназначенный для генерации и усиления сверхвысокочастотных колеба­ний

Полупроводниковый диод, предназна­ченный для коммутации высокочастот­ных цепей

Полупроводниковый p-i-n диод, при­меняемый для регулирования сопротив­ления в тракте передачи сигнала, актив­ное сопротивление которого для высоко­частотного сигнала определяется посто­янным током прямого смещения

Полупроводниковый диод, предназна­ченный для детектирования сигнала

Полупроводниковый диод с лавинным пробоем, предназначенный для ограни­чения импульсов напряжения

Полупроводниковый диод, предназна­ченный для умножения частоты ■

Полупроводниковый диод, предназна­ченный для модуляции высокочастотного сигнала

Полупроводниковый диод, выпрями­тельные свойства которого основаны на взаимодействии металла и обедненного слоя полупроводник

45. аВарикап

4. Kapazitatsdiode

5. Variable capacitance diode

6. Diode a capacite variable (varicape)

45. Параметрический полупроводни­ковый диод

Параметрический диод

4. Halbleitervaraktordiode

5. Semiconductor parametric (amplifier) diode

6. Diode parametrique (a semi- conducteurs)

45. Полупроводниковый стабили­трон

Стабилитрон

Ндп. Зенеровский диод

4. Halbleiter-Z-Diode

5. Voltage reference diode

6. Diode de tension de reference

45. (Исключен, Изм. № 2).

46. Полупроводниковый шумовой диод

4. Halbleiterrauschdiode

5. Semiconductor noise diode

6. Diode de bruit

45. Биполярный транзистор Транзистор

4. Bipolarer Transistor

5. Bipolar transistor

6. Transistor bipolaire

45. Бездрейфовый транзистор

Ндп. Диффузионный транзистор

4. Diffusionstransistor

5. Diffusion transistor

6. Transistor a diffusion

45. Дрейфовый транзистор

4. Drifttransistor

5. Drift (diffused) transistor

6. Transistor en derive

45. Точечный транзистор

Ндп. Точечно-контактный диод

4. Spitzentransistor

5. Point contact transistor

6. Transistor a pointe

Полупроводниковый диод, действие которого основано на использовании за­висимости емкости от обратного напря­жения и который предназначен для при­менения в качестве элемента с электри­чески управляемой емкостью

Варикап, предназначенный для приме­нения в диапазоне сверхвысоких частот в параметрических усилителях

Полупроводниковый диод, напряжение на котором сохраняется с определенной точностью при протекании через него то­ка в заданном диапазоне, и предназна­ченный для стабилизации напряжения

Полупроводниковый прибор, являю­щийся источником шума с заданной спек­тральной плотностью в определенном диапазоне частот

Полупроводниковый прибор с двумя взаимодействующими переходами и тре­мя или более выводами, усилительные свойства которого обусловлены явления­ми инжекции и экстракции неосновных носителей заряда.

Примечание. Работа биполяр­ного транзистора зависит от носите­лей обеих полярностей

Биполярный транзистор, в котором перенос неосновных носителей заряда через базовую область осуществляется в основном посредством диффузии

Биполярный, транзистор, в котором перенос неосновных носителей заряда через базовую область осуществляется в основном посредством дрейфа

45. Биполярный транзистор с точечными переходамиПлоскостной транзистор

4. Flachentransistor

5. Junction transistor

6. Transistor a jonction

45. Лавинный транзистор

4. Lawinentransistor

5. Avalanche transistor

6. Transistor a avalanche

45. Полевой транзистор

Ндп. Канальный транзистор

4. Feldeffekttransistor (FET)

5. Field-effect transistor

6. Transistor a effet de champ

45. Полевой транзистор с изолиро­ванным затвором

4. Feldeffekttransistor mit iso liertem Gate

5. Insulated-gate FET

6. Transistor a effet de champ a grille isolee

45. Полевой транзистор типа ме­талл—диэлектрик—полупроводник

МДП-транзистор

4. MIS-Feldeffekttransistor (MIS-FET)

5. MIS-transistor

6. Transistor-MIS

45. Полевой транзистор типа ме­талл—окисел—полупроводник

МОП-транзистор

4. MOS-Feldeffekttransistor (MOS-FET)

5. MOS-transistor

6. Transistor-MOS

45. Симметричный транзистор

4. Bidirektionaltransistor

5. Bi-directional transistor

6. Transistor bi-directionnel

45. Тиристор

4. Thyristor

5. Thyristor

6. Thyristor

45. Диодный тиристор

Динистор

4. Thyristordiode

5. Diode thyristor

6. Thyristor diode

Биполярный транзистор с плоскост­ными переходами

Биполярный транзистор, действие ко­торого основано на использовании ре­жима лавинного размножения носите­лей заряда в коллекторном переходе

Полупроводниковый прибор, усили­тельные свойства которого обусловлены потоком основных носителей, протекаю­щим через проводящий канал и управ­ляемый электрическим полем.

Примечание. Действие поле­вого транзистора обусловлено носи­телями заряда одной полярности Полевой транзистор, имеющий один или несколько затворов, электрически изолированных от проводящего канала

Полевой транзистор с изолированным затвором, в котором в качестве изоля­ционного слоя между каждым металли­ческим затвором и проводящим кана­лом используется диэлектрик

Полевой транзистор с изолированным затвором, в котором в качестве изоляци­онного слоя между каждым металличе­ским затвором и проводящим каналом используется окисел

Биполярный или полевой транзистор, сохраняющий свои электрические харак­теристики при взаимной замене в схеме: включения выводов эмиттера или исто­ка и коллектора или стока

Полупроводниковый прибор с двумя, устойчивыми состояниями, имеющий три или более перехода, который может пе­реключаться из закрытого состояния в открытое и наоборот

Тиристор, имеющий два вывода

45. Диодный тиристор, не прово­дящий в обратном направлении

4. Rflckwarts sperrende Thv- ristordiode

5. Reverse blocking diode thy­ristor

6. Thyristor diode bloque en inverse

45. Диодный тиристор, проводя­щий в обратном направлении

4. Ruckwarts leitende Thyristordiode

5. Reverse conducting diode thyristor

6. Thyristor diode passant en inverse

45. Симметричный диодный тири­стор

Диак

4. Zweirichtungsthyristordio- de

5. Bi-directional diode thyris­tor

6. Thyristor diode bi-direction- nel

45. Триодный тиристор

Тринистор

4. Thyristordiode

5. Triode thyristor

6. Thyristor triode

45. Триодный тиристор, не прово­дящий в обратном направлении

4. Rflckwarts sperrende Thy­ristortriode

5. Reverse blocking triode thy­ristor

6. Thyristor triode bloque en inverse

45. Триодный тиристор, проводя­щий в обратном направлении

4. Rflckwarts leitende Thyri­stortriode

5. Reverse conducting triode thyristor

6. Thyristor triode passant en inverse

Диодный тиристор, который при об­ратном напряжении не переключается, а находится в обратном непроводящем со­стоянии '

Диодный тиристор, который при об­ратном напряжении не переключается, а проводит большие токи при напряжени­ях, сравнимых по значению с прямым напряжением в открытом состоянии

Диодный тиристор, способный пере­ключаться как в прямом, так и в обрат­ном направлениях

Тиристор, имеющий три вывода

Триодный тиристор, который при об­ратном напряжении не переключается, а находится в обратном непроводящем со­стоянии.

Примечание. Для триодных ти­ристоров, не проводящих в обратном направлении, допускается применять термин «тиристор», если исключается возможность другого толкования Триодный тиристор, который при об­ратном напряжении не переключается, а проводит большие токи при напряжени­ях, сравнимых по значению с прямым на­пряжением в открытом состоянии

45. Симметричный триодный тири­стор

Триак

4. Zweirichtungsthyristortrio- de

5. Bi-directional triode thyri­stor; Triac

6. Thyristor triode bi-direction- nel

45. Запираемый тиристор

4. Abschaltbarer Thyristor

5. Turn-off thyristor

6. Thyristor blocable

45. (Исключен, Изм. № 2).

46. Тиристор с инжектирующим управляющим электродом р-типа

4. Katodenseitig gesteuerter Thyristor

5. P-gate thyristor

6. Thyristor P

45. Тиристор с инжектирующим управляющим электродом n-типа

4. Anodenseiltig gesteuerter Thyristor

5. N-gate thyristor

6. Thyristor N

117a. Лавинный триодный тиристор, непроводящий в обратном направле­нии

Лавинный тиристор

Е. Avalanche reverse blocking thyristor

1176. Комбинированно-выключае-. мый тиристор

45. Импульсный тиристор

5. Pulse thyristor

6. Thyristor signal

45. Оптоэлектронный полупровод­никовый прибор

4. Optoelektronisches Halbleiterbauelement

5. Semiconductor optoelectro­nic device

Триодный тиристор, который при по­даче сигнала на его управляющий вывод включается как в прямом, так и в обрат­ном направлениях

Тиристор, который может быть пере­ключен из открытого состояния в закры­тое и наоборот путем подачи на управ­ляющий вывод управляющих сигналов соответствующей полярности.

Примечание. Отношение мощно­сти управления к переключаемой мощ­ности должно быть значительно мень­ше единицы

Тиристор, у которого управляющий электрод соединен с p-областью, бли­жайшей к катоду, который переводится в открытое состояние путем подачи на управляющий вывод положительного по отношению к катоду сигнала

Тиристор, у которого управляющий электрод соединен с n-областыо, бли­жайшей к аноду, который переводится в открытое состояние при подаче на управ­ляющий вывод отрицательного по отно­шению к аноду сигнала

Тиристор с заданными характеристика­ми в точке минимального напряжения пробоя, предназначенный для рассеива­ния в течение ограниченной длительно­сти импульса мощности в области пробоя вольт-амперной характеристики обрат­ного непроводящего состояния

Тиристор, выключаемый с помощью тока управления при одновременном воз­действии обратного анодного напряже­ния

Тиристор, имеющий малую длитель­ность переходных процессов и предназ­наченный для применения в импульс­ных режимах работы

4. Полупроводниковый прибор, излучаю­щий или преобразующий электромагнит­ное излучение или чувствительный к этому излучению в видимой, инфракрас­ной и (или) ультрафиолетовой областях спектра, или использующий подобное из-Dispositif optoelectronique semiconducteur

45. Полупроводниковый излучатель

4. Halbleiterstrahler

5. Semiconductor photoemitter

6. Photoemetteur a semiconduc­teur s

120a. Полупроводниковый знако­синтезирующий индикатор

E. Semiconductor character dis­play

45. Оптопара

4. Optoelektronischer Koppler

5. Photocoupler; Optocoupler

6. Photocoupleur

121a. Резисторная оптопара

1216. Диодная оптопара

121в. Транзисторная оптопара