ГОСТ 15133-77. Приборы полупроводниковые. Термины и определения (71961)


ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ
СОЮЗА ССР

ПРИБОРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ

ТЕРМИНЫ И ОПРЕДЕЛЕНИЯ

ГОСТ 15133—77
(СТ СЭВ 2767—85J

Издание официальное

Цена 15 коп.



ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР ПО СТАНДАРТАМ
МоскваГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮЗА ССР

ГОСТ

ПРИБОРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ Термины и определения

15133-77*

Semiconductor devices. Terms and definitions

(СТ СЭВ 2767—85)

Взамен

ОКСТУ 6201

ГОСТ 15133—69

Постановлением Государственного комитета стандартов Совета Министров СССР от 27 апреля 1977 г. № 1061 срок введения установлен

с 01.07,73



Настоящий стандарт устанавливает применяемые в науке, технике и производстве термины и определения полупроводни­ковых приборов.

Термины, установленные настоящим стандартом, обязательны для применения в документации всех видов, учебниках, учебных пособиях, технической и справочной литературе.

Стандарт соответствует СТ СЭВ 2767—85, за исключением тер­минов, указанных в справочном приложении.

Для каждого понятия установлен один стандартизованный тер­мин. Применение терминов-синонимов стандартизованного терми­на запрещается. Недопустимые к применению термины-синонимы приведены в стандарте в качестве справочных и обозначены «Ндп».

Для отдельных стандартизованных терминов в стандарте при­ведены в качестве справочных краткие формы, которые разреша­ется применять в случаях, когда исключена возможность их раз­личного толкования.

В стандарте в качестве справочных приведены иностранные эквиваленты на немецком (D), английском (Е) и французском (F) языках.

В стандарте приведены алфавитные указатели содержащихся в нем терминов на русском языке и их иностранных эквивален­тов.

Стандартизованные термины набраны полужирным шрифтом, их краткая форма — светлым, недопустимые синонимы — курси­вом.

(Измененная редакция, Изм. № 2).

Издание официальное Перепечатка воспрещена

* 'переиздание (январь 1987 г.) с Изменениями № 1, 2, 3, утвержденными
в июне 1980 г., июне 1982 г.; Пост. 2544 от 28.06.82, октябре 1986 г.

(ИУС 9—80, 10—82, 1—87).

© Издательство стандартов, 1987Физические элементы полупроводниковых приборов

П

  1. Электрический переход

Переход

  1. Elektrischer Ubergang (Sperrschicht)

  2. Junction

  3. Jonotion

  1. Электронно-дырочный переход p-n переход

  1. pn-Ubergang

  2. P-N junction

  3. Jonction P-N

ереходный слой в полупроводнике материале между двумя областями с различными типами электропроводности или разными значениями удельной элек­трической проводимости.

Примечание. Одна из областей может быть металлом

Э

  1. Электронно-электронный переход n-n+ переход

  1. nn+-Ubergang

  2. N-N+ junction

  3. Jonction N-N+

  1. Дырочно-дырочный переход p-p+ переход

  1. pp+-Ubergang

  2. P-P+ junction

  3. Jonction P-P+


  1. Резкий переход

  1. Steiler Ubergang

  2. Abrupt junction

  3. Jonction abrupte


  1. Плавный переход

  1. Stetiger Ubergang

  2. Graded junction

  3. Jonction graduelle

  1. Плоскостной переход

  1. Flacheniibergang

  2. Surface junction

  3. Jonction de par surface

  1. Точечный переход

  1. Punktiibergang

  2. Point-contact junction

  3. Jonction a pointe


Электрический переход между двумя областями полупроводника n-типа, об­ладающими различными значениями удельной электрической проводимости

Электрический переход между двумя областями полупроводника p-типа, обла­дающими различными значениями удель­ной электрической проводимости

Примечание. В терминах 3 и 4 «+» условно обозначает область с более высокой удельной электричес­кой проводимостью

Электрический переход, в котором тол­щина области изменения концентрации примеси значительно меньше толщины области пространственного заряда.

Примечание. Под толщиной области понимают ее размер в направ­лении градиента концентрации приме­си

Электрический переход, в котором тол­щина области изменения концентрации примеси сравнима с толщиной области пространственного заряда

Электрический переход, у которого ли­нейные размеры, определяющие его пло­щадь, значительно больше толщины

Электрический переход, все размеры которого меньше характеристической длины, определяющей физические про­цессы в переходе и в окружающих его областях.


лектрический переход между двумя областями полупроводника, одна из ко­торых имеет электропроводность м-ти- па, а другая р-типа



П

  1. Диффузионный переход

  1. Diffundierter Ubergang

  2. Diffused junction

  3. Jonction a diffusion

  1. Планарный переход

  1. Planariibergang

  2. Planar junction

  3. Jonction planar

  1. Конверсионный переход

  1. Konversionsiibergang

  2. Conversion junction

  3. Jonction de conversion

  1. Сплавной переход

Ндп. Вплавной переход

  1. Legierter Ubergang

  2. Alloyed junction

  3. Jonction allie

  1. Микросплавной переход

Ндп. Микровплавной переход

  1. Mikrolegierter Ubergang

  2. Micro-alloy junction

  3. Jonction microallie

  1. Выращенный переход

Ндп. Тянутый переход

  1. Gezogener Ubergang

  2. Grown junction

  3. Jonction de croissance

  1. Эпитаксиальный переход

  1. Epitaxieiibergang

  2. Epitaxial junction

  3. Jonction epitaxiale

  1. Гетерогенный переход

Гетеропереход

  1. Heteroiibergang

  2. Heterogenous junction

  3. Jonction heterogene

  1. Гомогенный переход

Гомопереход

  1. Homogener Ubergang

  2. Homogenous junction

  3. Jonction homogene

  1. Переход Шоттки

  1. Schottky-Ubergang

  2. Schottky junction

  3. Jonction Schottky

римечание. Характеристиче­ской длиной может быть толщина об­ласти пространственного заряда, диф­фузионная длина и т. д.

Электрический переход, полученный в результате диффузии атомов примеси в полупроводнике

Диффузионный переход, образованный в результате диффузии примеси сквозь отверстие в защитном слое, нанесенном на поверхность полупроводника

Электрический переход, образованный в результате конверсии полупроводника, вызванной обратной диффузией приме­си в соседнюю область, или активацией атомов примеси

Электрический переход, образованный в результате вплавления в полупровод­ник и последующей рекристаллизации металла или сплава, содержащего до­норные и (или) акцепторные примеси

Сплавной переход, образованный в результате вплавления на малую глуби­ну слоя металла или сплава, предвари­тельно нанесенного на поверхность по­лупроводника

Электрический переход, образованный при выращивании полупроводника из расплава

Электрический переход, образованный эпитаксиальным наращиванием.

Примечание. Эпитаксиальное наращивание — создание на монокри­сталлической подложке слоя полупро­водника, сохраняющего кристалличе­скую структуру подложки Электрический переход, образованный в результате контакта полупроводников с различной шириной запрещенной зоны

Электрический переход, образованный в результате контакта полупроводников с одинаковой шириной запрещенной зо­ны

Электрический переход, образован-яый в результате контакта между металлом и полупроводникомТермин

Определение

  1. Выпрямляющий переход

  1. Gleichrichteriibergang

  2. Rechifying junction

  3. Jonction redresseuse

  1. Омический переход

Ндп. Линейный контакт

  1. Ohmischer Ubergang

  2. Ohmic junction

  3. Jonction ohmique

  1. Эмиттерный переход

  1. Emitteriibergang

  2. Emitter junction

  3. Jonction emetteur

  1. Коллекторный переход

  1. Kollektortibergang

  2. Collector junction

  3. Jonction coilecteur

  1. Дырочная область

p-область

  1. Defektelektronengebiet

  2. P-region

  3. Region P

  1. Электронная область

«-область

  1. Elektronengebiet

  2. N-region

  3. Region N

  1. Область собственной электро­проводности

(-область

Ндп. Собственная область

D. Eigenleitungsgebiet

Электрический переход, электрическое сопротивление которого при одном на­правлении тока больше, чем при другом

Электрический переход, электрическое сопротивление которого не зависит от направления тока в заданном диапазоне значений токов

Электрический переход между эмит­терной (27)1 и базовой (26) областями полупроводникового прибора (62)

Электрический переход между базо­вой (26) и коллекторной (28) областя­ми полупроводникового прибора (62)

Область в полупроводнике с преобла­дающей дырочной электропроводностью

Область в полупроводнике с преобла­дающей электронной электропроводно­стью

Область в полупроводнике, обладаю­щая свойствами собственного полупро­водника

  1. Intrinsic region

  2. Region intrinseque

  1. Базовая область

База

  1. Basisgebiet

  2. Base region

  3. Region de base

  1. Эмиттерная область

Эмиттер

  1. Emittergebiet

  2. Emitter region

  3. Region d’emitteur

  1. Коллекторная область

Коллектор

  1. Kollektorgebiet

  2. Collector region

  3. Region de coilecteur

Область полупроводникового прибора (62), в которую инжектируются неос­новные для этой области носители за­ряда

Область полупроводникового прибора (62), назначением которой является ин­жекция носителей заряда в базовую об­ласть

Область полупроводникового прибо­ра (62), назначением которой является экстракция носителей из базовой обла­сти

О

Термин

пределение


  1. Активная часть базовой обла­сти

  1. Aktiver Tell des Basisgebietes eines bipolaren Transistors

  2. Active part of base region

  3. Region active de base

  1. Пассивная часть базовой обла­сти

  1. Passiver Teil des Basisgebie­tes eines bipolaren Transis­tors

  2. Passive part of base region

  3. Region passive de base

  1. Проводящий канал

  1. Kanai

  2. Channel

  3. Canal

  1. Исток

  1. Source (Quelle)

  2. Source

  3. Source

  1. Сток

  1. Drain (Senke)

  2. Drain

  3. Drain

  1. Затвор

  1. Gate (Tor)

  2. Gate

  3. Grille

  1. Структура полупроводникового прибора

Структура

  1. Struktur eines Halbleiterbau- elementes

  2. Structure

  3. Structure

Часть базовой области биполярного транзистора, в которой накопление или рассасывание неосновных носителей за­ряда происходит за время перемещения их от эмиттерного перехода к коллек­торному переходу

Часть базовой области биполярного транзистора, в которой для накопления или рассасывания неосновных носителей заряда необходимо время большее, чем время их перемещения от эмиттерного перехода к коллекторному переходу

Область полевого транзистора, в кото­рой регулируется поток носителей заря­да.

Примечания:

  1. Данное понятие не следует сме­шивать с «каналом утечки», возникаю­щим в месте выхода р-п перехода на поверхность кристалла.

  2. Проводящий канал может быть п или p-типа в зависимости от типа электропроводности полупроводника Электрод полевого транзистора (100), через который в проводящий канал вте­кают носители заряда

Электрод полевого транзистора (100), через который из проводящего канала вытекают носители заряда

Электрод полевого транзистора (100), на который подается электрический си­гнал

Последовательность граничащих друг с другом областей полупроводника, раз­личных по типу электропроводности или по значению удельной проводимости, обеспечивающая выполнение полупро­водниковым прибором (62) его функций.

Примечания:

  1. Примеры структур полупроводни­ковых приборов: р-п; р-п-р; p-i-n; р-п-р-п и др.

  2. В качестве областей могут быть использованы металл и диэлектрик

  1. Структура металл—диэлек­

трик—полупроводник

Структура МДП

D. Metall-Dielektrikum-Halblei- ter-Struktur (MIS-Struktur)

F. MIS-structure

F. Structure-MIS

  1. Структура—металл—окисел­полупроводник

Структура МОП

  1. MetaH-Oxid-Halbleiter-Struk- tur (MOS-Struktur)

  2. MOS-structure

  3. Structure-MOS

  1. Мезаструктура

  1. Mesastruktur

  2. Mesa-structure

  3. Structure-mesa

  1. Обедненный слой

  1. Verarmungsschicht

  2. Depletion layer

  3. CouChe de depletion

Скачать бесплатно
Предыдущий документ
Следующий документ
Следующая страница


Нормативні акти про охорону праці Основні законодавчі акти Будівельні норми і правила (ДБН, СНиП) Стандарти (ГОСТ, ДСТУ) Санітарні норми і правила Пожежна безпека (НАПБ) Інструкції з охорони праці Реестр НПАОП 2020-2021 - Нормативно-правові акти з охорони праці

ДСТУ 4306:2004 Олія пальмова Закон України "Про ліцензування певних видів господарської діяльності" Инструкция по охране труда для стропальщиков Господарський кодекс України ДБН В.1.2-2:2006 НАВАНТАЖЕННЯ І ВПЛИВИ Норми проектування Правила технічної експлуатації електроустановок споживачів ГОСТ 34.301-91 Информационная технология. 7-битные и 8-битные кодированные наборы символов. Управляющие функции Правила пожарной безопасности в Украине О распространении и использовании официальных изданий нормативных документов Минрегионбуду Украины НАПБ Б.03.002-2007 Норми визначення категорій приміщень, будинків та зовнішніх установок за вибухопожежною та пожежною небезпекою
НПАОП 45.21-1.09-97 Правила безопасности при прокладке подземных коммуникаций методом "продавливания" СТОРІНКА: 2 ДБН Д.2.5-16-2001 Збірник 16 Відтворення виробів художнього лиття з кольорових металів СТОРІНКА: 3 ДСТУ Б ЕN 12057:2007 (ЕN 12057:2004, ІDT) СТУ Б ЕN 12057:2007 (ЕN 12057:2004, ІDT). Строительные материалы. Изделия из природного камню. Модульные плитки. Требования СТОРІНКА: 6 (НПАОП). Об утверждении Правил из безопасной эксплуатации систем вентиляции в химических производствах СТОРІНКА: 2 ГОСТ 19522-74 Аммоний роданистый технический. Технические условия СТОРІНКА: 2 ДБН В.2.2-3-97 БН В.2.2-3-97. Изменение N2. Дома и сооружения. Дома и сооружения учебных заведений. СТОРІНКА: 5 ДСТУ Б В.2.7-38-95 Строительные материалы. материалы и изделия строительные теплоизоляционные. СТОРІНКА: 2 СП Санитарные правила в лесах Российской Федерации СТОРІНКА: 2 Рекомендации по установке закладных деталей и анкерных болтов приклеиванием к бетону и защите их от коррозии СТОРІНКА: 2 СП 4060-85 Лечебные пляжи. Санитарные правила устройства, оборудования и эксплуатации СТОРІНКА: 3
Смотрите также
ГОСТ 17066-94 Прокат тонколистовой из стали повышенной прочности. Технические условия. Межгосударственный стандартДНАОП 0.00-1.07–94 ПРАВИЛА будови та безпечної експлуатації посудин, що працюють під тискомНПАОП 0.00-1.41-88 Загальні правила вибухобезпеки для вибухопожежонебезпечних хімічних, нафтохімічних і нафтопереробних виробництв