Страница 2: ГОСТ 15133-77. Приборы полупроводниковые. Термины и определения (71961)

36. Запирающий слой

Ндп. Запорный слой

4. -Sperrschicht

5. Barrier region (layer)

6. Region de barriere

36. Обогащенный слой

4. Anreicherungsschicht

5. Enriched layer

6. Couche enrichie

36. Инверсный слой

4. Inversionsschicht

5. Inversion layer

6. Couche d’inversion

Структура, состоящая из последова­тельного сочетания металла, диэлектри­ка и полупроводника

Структура, состоящая из последова­тельного сочетания металла, окисла на поверхности полупроводника и полупро­водника

Структура, имеющая форму выступа, образованного удалением периферийных участков кристалла полупроводника ли­бо наращиванием

Слой полупроводника, в котором кон­центрация основных носителей заряда меньше разности концентрации ионизо­ванных доноров и акцепторов

Обедненный слой между двумя обла­стями полупроводника с различными ти­пами электропроводности или между полупроводником и металлом

Слой полупроводника, в котором кон­центрация основных носителей заряда больше разности концентрации ионизо­ванных доноров и акцепторов

Слой у поверхности полупроводника, в котором тип электропроводности отли­чается от типа электропроводности в объеме полупроводника в связи с нали­чием электрического поля поверхност­ных состояний, внешнего электрического поля у поверхности или поля контак­тов разности потенциало

в

Явления в полупроводниковых приборах

36. Прямое направление для р-п перехода

4. Durchlassrichtung des рп- Uberganges

5. Forward direction (of a P-N junction)

6. Sens direct (d’une jonction P-N)

Направление постоянного тока, в кото­ром р-п переход имеет наименьшее со­противление

. 44. Обратное направление для р-п перехода

4. Sperrichtung des pn-Ubergan- ges

5. Reverse direction (of a P-N junction)

6. Sens inverse (d’une jounction P-N)

45. Пробой р-п перехода

4. Durchbruch des pn-Ubergan­ges

5. Breakdown of a P-N junction

6. Claquage (d’une jonction P-N)

45. Электрический пробой р-п пе­рехода

4. Elektrischer Durchbruch des pn-Uberganges

5. P-N junction electrical break­down

6. Claquage electrique (d’une jonction P-N)

45. Лавинный пробой р-п перехода

4. Lawinendurchbruch des pn- Uberganges

5. (P-N junction) avalanche

breakdown

4. Claquage par avalanche

(d’une jonction P-N)

45. Туннельный пробой р-п перехо­да

4. Tunneldurchbruch des pn- Uberganges

5. Zenner (tunnel) breakdown

6. Claquage par effet Zenner (tunnel)

45. Тепловой пробой р-п перехода

4. Thermischer Durchbruch des pn-Uberganges

5. (P-N junction) thermal break­down

6. Claquage par effet thermique (d’une jonction P-N)

45. Модуляция толщины базы

D. Modulation der Basisbreite E. Base thickness modulation F. Modulation d’epaisseur de base

Направление постоянного тока, в ко­тором р-п переход имеет наибольшее со­противление

Явление резкого увеличения дифферен­циальной проводимости р-п перехода при достижении обратным напряжением і(током) критического для данного при­бора значения.

Примечание. Необратимые из­менения в переходе не являются не­обходимым следствием пробоя Пробой р-п перехода, обусловленный лавинным размножением носителей за­ряда или туннельным эффектом под дей­ствием приложенного напряжения

Электрический пробой р-п перехода, вызванный лавинным размножением носителей заряда под действием силь­ного электрического ПОЛЯ

Электрический пробой р-п перехода, вызванный туннельным эффектом

Пробой р-п перехода, вызванный ро­стом числа носителей заряда в резуль­тате нарушения равновесия между вы­деляемыми в р-п переходе и отводимым от него теплом

Изменение толщины базовой области, вызванное изменением толщины запира­ющего слоя при изменении значения об­ратного напряжения, приложенного к коллекторному переходу

45. Эффект смыкания

Ндп. Прокол базы

4. Durchgreifeffekt

5. Punch-through

6. Penetration

45. Накопление неравновесных но­сителей заряда в базе

Накопление заряда в базе

4. Speicherung von Uberschuss- ladungstragern in der Basis

5. Minority carrier storage (in the base)

6. Accumation de porteurs d’exces dans la base

45. Рассасывание неравновесных носителей заряда в базе

Рассасывание заряда в базе

4. Abbau von Uberschusslad- ungstragern in der Basis

5. Excess carrier resorption (in the base)

6. Resorption de porteurs d’ex- ces dans la base

45. Прямое восстановление полу­проводникового диода

4. Einschwingen des. Durchlass- widerstandes einer Haibleit- erdiode

5. Forward recovery

6. Recouvrement direct

45. Обратное восстановление полу­проводникового диода

4. Wiederherstellung des Sperr- widerstandes einer Halbleiter- diode

5. Reverse recovery

6. Recouvrement inverse

45. Закрытое состояние тиристора

4. Blockierzustand eines Thyri­stors

5. Off-state of a thyristor

6. Etat bloque de thyristor

Смыкание обедненного слоя коллек­торного перехода в результате его рас­ширения на всю толщину базовой обла­сти с обедненным слоем эмиттерного перехода

Увеличение концентрации и величины зарядов, образованных неравновесными носителями заряда в базе в результате увеличения инжекции или в результате генерации носителей заряда

. Уменьшение концентрации и величины зарядов, образованных неравновесными носителями заряда в базе в результате уменьшения инжекции или в результате рекомбинации

Переходный процесс, в течение кото­рого прямое сопротивление перехода полупроводникового диода устанавлива­ется до постоянного значения после быстрого включения перехода в прямом направлении.

Примечание. Под словом «бы­стрый» в определениях 54 и 55 по­нимается изменение тока или напря­жения за время, сравнимое или мень­шее постоянной времени переходного процесса установления или восстанов­ления сопротивления

Переходный процесс, в течение кото­рого обратное сопротивление перехода полупроводникового диода восстанавли­вается до постоянного значения после быстрого переключения перехода с пря­мого направления на обратное

Состояние тиристора (105), соответ­ствующее участку прямой ветви вольт- амперной характеристики между нуле­вой точкой и точкой переключени

45. яОткрытое состояние тиристора

D.- Durchlasszustand eines Thy­ristors

5. On-tate of a thyristor

6. Etat passant de thyristor

45. Непроводящее состояние тири­стора в обратном направлении

4. Sperrzustand eines Thyristors

5. Reverse blocking state of a thyristor

6. Etat bloque dans le sens in­verse de thyristor

45. Переключение тиристора

4. Umschalten eines Thyristors

5. Switching of a thyristor

6. Commutation de thyristor

45. Включение тиристора

4. Ziinden eines Thyristors

5. Gate triggering of a thyris­tor

6. Amorcage de thyristor

45. Выключение тиристора

4. Ausschalten eines Thyristors

5. Gate turning-off of a thyris­tor

6. Desamorcage de thyristor

Состояние тиристора (105), соответст­вующее низковольтному и низкоомному участку прямой ветви вольтамперной характеристики

Состояние тиристора (Юб), соответ­ствующее участку вольтамперной харак­теристики при обратных токах, по зна­чению меньших тока при обратном на­пряжении пробоя

Переход тиристора (105) из закрыто­го состояния в открытое при отсутствии тока управления на управляющем выво­де

Переход тиристора (105) из закры­того состояния в открытое при подаче тока управления

Переход тиристора (105) из открыто­го состояния в закрытое при приложе­нии обратного напряжения, уменьшении прямого тока или при подаче тока уп­равлени

я

Виды полупроводниковых приборов

45. Полупроводниковый прибор (ПП)

4. Halbleiterbauelement

5. Semiconductor device

6. Dispofeitif a semiconducteurs

45. Силовой полупроводниковый прибор (СПП)

4. Halbleiterleistungsbauele- ment

5. Semiconductor power device

6. Diode a semiconducteur pour forte puissance

45. Полупроводниковый блок

5. Semiconductor assembly

6. Assemblage a semiconducte­urs

45. Набор полупроводниковых при­боров

E. Semiconductor assembly set

Прибор, действие которого основано на использовании свойств полупровод­ника

Полупроводниковый прибор, предназ­наченный для применения в силовых цепях электротехнических устройств

Совокупность полупроводниковых при­боров, соединенных по определенной электрической схеме и собранных в еди­ную конструкцию, имеющую более двух выводов

Совокупность полупроводниковых при­боров, собранных в единую конструк­цию, не соединенных электрически или соединенных по одноименным вывода

м

" ■

45. Полупроводниковый диод

Диод

Ндп. Полупроводниковый вен­тиль

4. Halbleiterdiode

5. Semiconductor diode

6. Diode a semiconducteurs

45. Точечный диод

Ндп. Точечно-контактный диод

4. Halbleiterspitzendiode

5. Point contact diode

6. Diode a pointe

45. Плоскостной диод

4. Halbleiterflachendiode

5. Junction diode

6. Diode a jonction

45. Выпрямительный полупровод­никовый диод

Выпрямительный диод

4. Halbleiterleichrichterdiode

5. Semiconductor rectifier diode

6. Diode de redressement

69a. Лавинный выпрямительный диод

E. Avalanche rectifier diode

696. Выпрямительный полупровод­никовый диод с контролируемым ла­винным пробоем

Е. Controlled-avalanche rectifier diode

45. Выпрямительный полупроводни- никовый столб

Выпрямительный столб

5. Semiconductor rectifier stack

6. Bloc de redressement (a se­miconducteurs)

45. Выпрямительный полупроводни­ковый блок

Выпрямительный блок

5. Semiconductor rectifier as­sembly

6. Assemblage de redressement (a semiconducteurs)

Полупроводниковый прибор с двумя выводами и несимметричной вольтампер- ной характеристикой.

Примечание. Если не указано особо, этим термином обозначают при­боры с вольт-амперной характеристи­кой, типичной для единичного перехода Полупроводниковый диод с точечным переходом

Полупроводниковый диод с плоскост­ным переходом

Полупроводниковый диод, предназна­ченный для преобразования переменного тока, включая монтажные и охлаждаю­щие устройства, если он образует с ними одно целое

Выпрямительный полупроводниковый диод с заданными характеристиками ми­нимального напряжения пробоя, пред­назначенный для рассеивания в течение ограниченной длительности импульса мощности в области пробоя вольт-ампер­ной характеристики

Выпрямительный полупроводниковый диод с заданными характеристиками максимального и минимального напря­жения пробоя, предназначенный для ра­боты в установившемся режиме в обла­сти пробоя обратной ветви вольт-ампер­ной характеристики

Совокупность выпрямительных полу­проводниковых диодов, соединенных по­следовательно и собранных в единую конструкцию, умеющую два вывода

Полупроводниковый блок, собранный из выпрямительных полупроводниковых диодов

45. Импульсный полупроводнико­вый диод

Импульсный диод

4. Halbleiterimpulsdiode

5. Signal diode

6. Diode d’impulsion

45. Диод с накоплением заряда

1. Snap-off (step-recovery) dio­de

45. Туннельный диод

4. Halbleitertunneldiode

5. Tunnel diode

6. Diode tunnel

45. Обращенный диод

4. Halbleiterunitunneldiode

5. Unitunnel (backward) diode

6. Diode inverse

45. Сверхвысокочастотный полупро­водниковый диод

СВЧ-диод

4. UHF-Halbleiterdiode

5. Microwave diode

6. Diode en hyperfrequences

45. Лавинно-пролетный диод

4. Halbleiterlawinenlaufzeit- diode

5. Impact avalanche-(and-) tran­sit time diode

6. Diode a avalance a temps de transit

45. Инжекционно-пролетный диод

4. Halbleiterinjektionslaufzeit- diode

5. Injection- (and-) transit time diode

6. Diode a injection a temps de transit

45. Переключательный диод

4. Halbleiterschaltdiode

5. Switching diode

6. Diode de commutation

Полупроводниковый диод, имеющий малую длительность переходных про­цессов в импульсных режимах работы

Импульсный полупроводниковый ди­од, накапливающий заряд при протека­нии прямого тока и обладающий эффек­том резкого обратного восстановления при подаче обратного напряжения, кото­рый используется для формирования им­пульсов с малым временем нарастания

Полупроводниковый диод на основе вырожденного полупроводника, в кото­ром туннельный эффект приводит к по­явлению на вольтамперной характери­стике при прямом направлении участ­ка отрицательной дифференциальной проводимости

Полупроводниковый диод на основе полупроводника с критической концен­трацией примеси, в котором провріи- мость при обратном напряжении вслед­ствие туннельного эффекта значительно больше, чем при прямом напряжении, а пиковый ток и ток впадины прибли­зительно равны