(71 >
где Ь—коэффициент
^апЛшіп — минимальное
напряжения источников управляющих напряжений, определяют по формуле
(72 >
(74 >
резистора нагрузки на амплитуду выходе;
на амплитуду
коэффициента- формуле
(76>
импульсного
^ан A m In
влияния амплитуды сигнала;
значение амплитуды выбросов напряжения на анало
говом выходе, указанное в ТУ на микросхемы конкретных типов.
Погрешность (6з), вызванную неточностью установления и поддержания
1 Уупр
где «і — коэффициент влияния неточности установления и поддержания управляющего напряжения;
$ууПр— погрешность установления и поддержания управляющего напряжения.
Погрешность (б4), вызванную неточностью установления и поддержания напряжения питания, определяют по формуле
(73>
где а2— коэффициент влияния неточности установления и поддержания напряжения питания;
бц —погрешность установления и поддержания напряжения питания.
Погрешность (65), вызванную отклонением сопротивления резистора на-
грузки от номинального значения, рассчитывают по формуле
Н
где Пз — коэффициент влияния сопротивления выбросов напряжения на аналоговом б — погрешность сопротивления резистора
2 6. Погрешность (бе), вызванную отклонением емкости конденсатора на
грузки Сц от номинального значения, рассчитывают по формуле
(75>
н
где — коэффициент влияния емкости конденсатора нагрузки выбросов напряжения на аналоговом выходе;
бг — погрешность емкости конденсатора Сн .
Погрешность (бу), вызванную неточностью определения усиления по напряжению импульсного усилителя, определяют по
где б к- —погрешность коэффициента усиления по напряжению и
усилителя.
Погрешность измерения б2 определяют по формуле
(77>
Приложение 3. (Введено дополнительно, Изм. № П.
я
АпоД
где 61 — коэффициент влияния амплитуды сигнала;
AU — абсолютная погрешность задания амплитуды
синусоидального напряжения 64;
Кпод — значение измеряемого коэффициента подавления
(80)
напряжения генератора
сигнала между кана
лами, указанное в ТУ на микросхемы конкретных типов.
1.4. Погрешность (б4), вызванную неточностью установления и поддержания
напряжения питания, рассчитывают по формуле
ПРИЛОЖЕНИЕ 4
Рекомендуемое
ПОКАЗАТЕЛИ ТОЧНОСТИ ИЗМЕРЕНИЯ КОЭФФИЦИЕНТА
ПОДАВЛЕНИЯ СИГНАЛА МЕЖДУ КАНАЛАМИ
Погрешность (61), вызванную погрешностью измерителя синусоидального напряжения PV1, рассчитывают по формуле
бі—бру!, (78)
где бру] — погрешность измерителя синусоидального напряжения PVL
Погрешность (62), вызванную погрешностью измерителя синусоидального напряжения PV2, рассчитывают по формуле
(
PV2’
79)где 6 ру2 — погрешность измерителя синусоидального напряжения PV2.
П
тывают по формуле
огрешность (бз), вызванную отклонением амплитуды сигнала, рассчи-(81 >
и
где Пі—коэффициент влияния неточности установления и поддержания напряжения питания;
дтг — погрешность установления и поддержания напряжения питания микро- wn
схемы.
Погрешность (65), вызванную неточностью установления и поддержания
управляющих напряжений, рассчитывают по формуле
(
^упр
82 >где а2— коэффициент влияния неточности установления и поддержания управ-
ляющего напряжения;
6/7 — погрешность установления и поддержания управляющего напряжения,
упр
Погрешность (бе), вызванную отклонением сопротивления резистора на аналоговом входе открытого канала R1 от номинального значения, рассчитывают по формуле
(83)
где аз коэффициент влияния сопротивления резистора Д7;
—погрешность сопротивления резистора /?
Л
Погрешность (б7), вызванную отклонением сопротивления резистора на аналоговом выходе открытого канала R2 от номинального значения, рассчитывают по формуле
П
где ,а4 — коэ
• ФЕ
v7 —
ициент влияния сопротивления резистора R2;
(84)
—погрешность сопротивления резистора
R2.(85)
огрешность (бе), вызванную отклонением сопротивления резистора /?н от номинального значения, рассчитывают по формулен
где а$ — коэффициент влияния резистора ;
6^ —погрешность сопротивления резистора Rn. н
Погрешность («бэ), вызванную отклонением емкости конденсатора нагрузки Сц рассчитывают по формуле
(86)
н
где Об — коэффициент влияния емкости конденсатора Сн;
— погрешность емкости конденсатора Сн .
Погрешность (6ю), вызванную отклонением емкости конденсатора на аналоговом выходе открытого канала С2, рассчитывают по формуле
(87)
где ат — коэффициент влияния емкости конденсатора С2 погрешность емкости конденсатора С2.
П
(88)
огрешность (6ц), вызванную неточностью определения коэффициента передачи полосового фильтра, рассчитывают по формуле9KnU
где 0g — коэффициент влияния неточности определения коэффициента передачи
полосового фильтра;
„—погрешность определения коэффициента передачи полосового фильтра. пи
Погрешность (612), вызванную прохождением сигнала за счет паразитных емкостей монтажа и контактного устройства, рассчитывают по формуле
^
(89)
вых.пС/вх
где t/Bblxп— напряжение, обусловленное прохождением сигнала за счет пара-
зитных емкостей, измеряемое измерителем синусоидального напряжения PV2 при отсутствии микросхемы в контактном устройстве.
Погрешность измерения (6 2 ) рассчитывают по формуле
11
(90)
ПОКАЗАТЕЛИ ТОЧНОСТИ ИЗМЕРЕНИЯ ЕМКОСТЕЙ
УПРАВЛЯЮЩЕГО ВХОДА, АНАЛОГОВОГО ВХОДА И ВЫХОДА,
ЕМКОСТИ МЕЖДУ АНАЛОГОВЫМ ВХОДОМ И ВЫХОДОМ
№
Погрешность (6j), вызванную погрешностью измерителя синусоидального
напряжения PV, рассчитывают по формул
е
(91)
ьли
где Ьі — коэффициент влияния амплитуды АСУ — абсолютная погрешность задания
сигнала; амплитуды напряжения генератора
vpy,
где Spy—погрешность измерителя синусоидального напряжения PV.
Погрешность (6г), вызванную отклонением амплитуды сигнала, рассчи
тывают по формуле
(92)синусоидального напряжения;
Сх— значение измеряемой емкости, указанное в ТУ на микросхемы конкретных типов.
Погрешность (б3), вызванную неточностью установления и поддержания
напряжения питания, рассчитывают по формуле
(93)
где Ді — коэффициент влияния неточности установления и поддержания напряжения питания;
бу —погрешность установления и поддержания напряжения питания.
Погрешность (б4), вызванную неточностью установления и поддержания
у
(94)
правляющих напряжений, рассчитывают по формулебд—Дабг/.
Ьупр
где а2— коэффициент влияния неточности установления и поддержания управ* ляющего напряжения;
drr — погрешность установления и поддержания управляющего напряжения. иупр
Погрешность (65), вызванную отклонением емкости калибровочного кон-
денсатора от номинального значения, рассчитывают но формуле
(
5 — “З^СкЛ’
95)г
КЛ г
де Дз — коэффициент влияния емкости Сdr —погрешность емкости конденсатора Склеил
Погрешность (б6), вызванную прохождением сигнала за счет паразитных
емкостей монтажа и контактного устройства, рассчитывают по формуле
.
(96)
(^ВЫХ.ПО6== -
VBX
где С7вЫХЛ1—напряжение, обусловленное прохождением сигнала за счет паразитных емкостей, измеряемое измерителем синусоидального напряжения PV при отсутствии микросхемы в контактном устройстве.
Погрешность измерения б2 определяют по формул
е
ПРИЛОЖЕНИЕ 5
Рекомендуемое
ИЗМЕРЕНИЕ МОСТОВЫМ МЕТОДОМ
L Аппаратура
Электрические структурные схемы измерения емкостей приведены на
Емкость конденсаторов С1 определяют из условия
соС1
10шСизм
(98)
где Сизы — наибольшая из измеряемых емкостей микросхемы.
2. Подготовка к проведению измерений
Мост балансируют без микросхемы. Считывают значение емкости.
X Проведение измерения
Подключают измеряемую микросхему, от источников постоянного напряжения 62—63 подают напряжения, значения которых указаны в ТУ на микросхемы конкретных типов.
Мост балансируют вновь.
Считывают значение измеряемой емкости.Схема измерения емкости управляющего входа
DA
DA — измеряемая микросхема; Si, S2, ..., Sm— аналоговые входы; DI, D2, ... , Dn— аналоговые выходы; U — вывод питания; /W7, Ш2, ... , IN& — управляющие входы; OV — общий вывод; G1—G3 — источники постоянного напряжения; SA1 — коммутационное устройство, обеспечивающее подключение источников постоянного напряжения Gl, G2 и измерительного моста Е к управляющим входам tNl, IN2, .... IN $
С1 — конденсатор; Е — измерительный мост
Схема измерения
витания; JWf, IN2, , IN& — управляющие входы; OV — общий вывод; GI—G3 источники постоянного напряжения;
3AJ ~~ ном мутационное устройство, обеспечивающее подключение маточников постоянного напряжения Gl, G2 к управляющим входам /УУ/, IN2, ... , IN & , SA2 — переключатель;
Сі — конденсатор; Е — измерительный мост
ПА
емкости аналогового входа
Схема измерения емкости аналогового выхода
DA — измеряемая микросхема; SI, S2, , Sm— аналоговые
входы; DI, D2f... , Dn«-» аналоговые выходы] U — вывод питания; INI, IN2, ... , 1N& — управляющие входы; OV — общий вывод; G1—G3 — источники постоянного напряжения; SA1 — коммутационное устройство, обеспечивающее подключение источников постоянного напряжения G/, 02 ■ управляющим входам ГАГ/, 1N2, ... . g SA2 — переключатель;
С1 — конденсатор; Е — измерительный мост
Черт. 17
С. 42 ГОСТ 27780—3» г
Схема измерения емкости между аналоговым входом и выходом
DA — измеряемая микросхема; SI, S2, ... , Sm— аналоговые входы; DI, D2, ... , D п— аналоговые выходы; U — вывод питания; Ж/, IN2, ... , IN& — управляющие входы; OV — общий вывод; G1—G3 — источники постоянного напряжения; 34/ — коммутационное устройство, обеспечивающее подключение источников постоянного напряжения Gl, G2 к управляющим входам ЛУ/, 1N2, ... , ; SA2, SA3 — переклю