(71 >

где Ь—коэффициент

^апЛшіп — минимальное

напряжения источников управляющих напряжений, определяют по формуле

(72 >

(74 >

резистора нагрузки на амплитуду выходе;

на амплитуду

коэффициента- формуле

(76>

импульсного


^ан A m In

влияния амплитуды сигнала;

значение амплитуды выбросов напряжения на анало­

говом выходе, указанное в ТУ на микросхемы конкретных типов.

  1. Погрешность (6з), вызванную неточностью установления и поддержания

1 Уупр

где «і — коэффициент влияния неточности установления и поддержания управ­ляющего напряжения;

уПр— погрешность установления и поддержания управляющего напряжения.

  1. Погрешность (б4), вызванную неточностью установления и поддержания напряжения питания, определяют по формуле

(73>

где а2 коэффициент влияния неточности установления и поддержания напря­жения питания;

бц —погрешность установления и поддержания напряжения питания.

  1. Погрешность (65), вызванную отклонением сопротивления резистора на-

грузки от номинального значения, рассчитывают по формуле

Н

где Пз — коэффициент влияния сопротивления выбросов напряжения на аналоговом б — погрешность сопротивления резистора

2 6. Погрешность (бе), вызванную отклонением емкости конденсатора на­

грузки Сц от номинального значения, рассчитывают по формуле

(75>

н

где — коэффициент влияния емкости конденсатора нагрузки выбросов напряжения на аналоговом выходе;

бг — погрешность емкости конденсатора Сн .

  1. Погрешность (бу), вызванную неточностью определения усиления по напряжению импульсного усилителя, определяют по

где б к- —погрешность коэффициента усиления по напряжению и

усилителя.

  1. Погрешность измерения б2 определяют по формуле

(77>

Приложение 3. (Введено дополнительно, Изм. № П.

я

АпоД

где 61 — коэффициент влияния амплитуды сигнала;

AU абсолютная погрешность задания амплитуды
синусоидального напряжения 64;

Кпод — значение измеряемого коэффициента подавления


(80)


напряжения генератора


сигнала между кана


лами, указанное в ТУ на микросхемы конкретных типов.

1.4. Погрешность (б4), вызванную неточностью установления и поддержания


напряжения питания, рассчитывают по формуле


ПРИЛОЖЕНИЕ 4

Рекомендуемое

  1. ПОКАЗАТЕЛИ ТОЧНОСТИ ИЗМЕРЕНИЯ КОЭФФИЦИЕНТА
    ПОДАВЛЕНИЯ СИГНАЛА МЕЖДУ КАНАЛАМИ

    1. Погрешность (61), вызванную погрешностью измерителя синусоидального напряжения PV1, рассчитывают по формуле

бі—бру!, (78)

где бру] — погрешность измерителя синусоидального напряжения PVL

  1. Погрешность (62), вызванную погрешностью измерителя синусоидально­го напряжения PV2, рассчитывают по формуле

(

PV2’

79)

где 6 ру2 — погрешность измерителя синусоидального напряжения PV2.

П

тывают по формуле

огрешность (бз), вызванную отклонением амплитуды сигнала, рассчи-

(81 >

и

где Пі—коэффициент влияния неточности установления и поддержания напря­жения питания;

дтг — погрешность установления и поддержания напряжения питания микро- wn

схемы.

  1. Погрешность (65), вызванную неточностью установления и поддержания

управляющих напряжений, рассчитывают по формуле

(

^упр

82 >

где а2— коэффициент влияния неточности установления и поддержания управ-

ляющего напряжения;

6/7 — погрешность установления и поддержания управляющего напряжения,

упр

  1. Погрешность (бе), вызванную отклонением сопротивления резистора на аналоговом входе открытого канала R1 от номинального значения, рассчитывают по формуле

(83)

где аз коэффициент влияния сопротивления резистора Д7;

—погрешность сопротивления резистора /?

Л



  1. Погрешность (б7), вызванную отклонением сопротивления резистора на аналоговом выходе открытого канала R2 от номинального значения, рассчиты­вают по формуле

  2. П

    где ,а4 — коэ


    ФЕ


    v7

    ициент влияния сопротивления резистора R2;


    (84)


    —погрешность сопротивления резистора

    R2.

    (85)

    огрешность (бе), вызванную отклонением сопротивления резистора /?н от номинального значения, рассчитывают по формуле

н

где а$ — коэффициент влияния резистора ;

6^ —погрешность сопротивления резистора Rn. н

  1. Погрешность («бэ), вызванную отклонением емкости конденсатора нагруз­ки Сц рассчитывают по формуле

(86)

н

где Об — коэффициент влияния емкости конденсатора Сн;

— погрешность емкости конденсатора Сн .

  1. Погрешность (6ю), вызванную отклонением емкости конденсатора на аналоговом выходе открытого канала С2, рассчитывают по формуле

(87)

где ат — коэффициент влияния емкости конденсатора С2 погрешность емкости конденсатора С2.

  1. П

    (88)

    огрешность (6ц), вызванную неточностью определения коэффициента передачи полосового фильтра, рассчитывают по формуле

9KnU

где 0g — коэффициент влияния неточности определения коэффициента передачи

полосового фильтра;

„—погрешность определения коэффициента передачи полосового фильтра. пи

  1. Погрешность (612), вызванную прохождением сигнала за счет пара­зитных емкостей монтажа и контактного устройства, рассчитывают по формуле

^

(89)

вых.п

С/вх

где t/Bblxп— напряжение, обусловленное прохождением сигнала за счет пара-

зитных емкостей, измеряемое измерителем синусоидального напря­жения PV2 при отсутствии микросхемы в контактном устройстве.

  1. Погрешность измерения (6 2 ) рассчитывают по формуле

11

(90)

  1. ПОКАЗАТЕЛИ ТОЧНОСТИ ИЗМЕРЕНИЯ ЕМКОСТЕЙ
    УПРАВЛЯЮЩЕГО ВХОДА, АНАЛОГОВОГО ВХОДА И ВЫХОДА,
    ЕМКОСТИ МЕЖДУ АНАЛОГОВЫМ ВХОДОМ И ВЫХОДОМ

  1. Погрешность (6j), вызванную погрешностью измерителя синусоидального

напряжения PV, рассчитывают по формул

е

(91)

ьли

где Ьі — коэффициент влияния амплитуды АСУ — абсолютная погрешность задания


сигнала; амплитуды напряжения генератора


vpy,

где Spy—погрешность измерителя синусоидального напряжения PV.

  1. Погрешность (6г), вызванную отклонением амплитуды сигнала, рассчи­

тывают по формуле

(92)синусоидального напряжения;

Сх значение измеряемой емкости, указанное в ТУ на микросхемы кон­кретных типов.

  1. Погрешность (б3), вызванную неточностью установления и поддержания

напряжения питания, рассчитывают по формуле

(93)

где Ді — коэффициент влияния неточности установления и поддержания напря­жения питания;

бу —погрешность установления и поддержания напряжения питания.

  1. Погрешность (б4), вызванную неточностью установления и поддержания

у

(94)

правляющих напряжений, рассчитывают по формуле

бд—Дабг/.

Ьупр

где а2 коэффициент влияния неточности установления и поддержания управ* ляющего напряжения;

drr — погрешность установления и поддержания управляющего напряжения. иупр

  1. Погрешность (65), вызванную отклонением емкости калибровочного кон-

денсатора от номинального значения, рассчитывают но формуле

(

5 — “З^СкЛ’

95)

г

КЛ г

де Дз — коэффициент влияния емкости С

dr —погрешность емкости конденсатора Скл­еил

  1. Погрешность (б6), вызванную прохождением сигнала за счет паразитных

емкостей монтажа и контактного устройства, рассчитывают по формуле

.

(96)

(^ВЫХ.П

О6== -

VBX

где С7вЫХЛ1—напряжение, обусловленное прохождением сигнала за счет пара­зитных емкостей, измеряемое измерителем синусоидального напря­жения PV при отсутствии микросхемы в контактном устройстве.

Погрешность измерения б2 определяют по формул

е

    ПРИЛОЖЕНИЕ 5

    Рекомендуемое



    ИЗМЕРЕНИЕ МОСТОВЫМ МЕТОДОМ

    L Аппаратура

    1. Электрические структурные схемы измерения емкостей приведены на

    2. Емкость конденсаторов С1 определяют из условия

    соС1


    10шСизм


    (98)



    где Сизы — наибольшая из измеряемых емкостей микросхемы.

    2. Подготовка к проведению измерений

    1. Мост балансируют без микросхемы. Считывают значение емкости.

    X Проведение измерения

    1. Подключают измеряемую микросхему, от источников постоянного нап­ряжения 62—63 подают напряжения, значения которых указаны в ТУ на мик­росхемы конкретных типов.

    2. Мост балансируют вновь.

    3. Считывают значение измеряемой емкости.Схема измерения емкости управляющего входа

    DA



    DA — измеряемая микросхема; Si, S2, ..., Sm аналоговые входы; DI, D2, ... , Dn аналоговые выходы; U вывод питания; /W7, Ш2, ... , IN& управляющие входы; OV общий вывод; G1G3 источники постоянного напряжения; SA1 коммутационное устройство, обеспечивающее подклю­чение источников постоянного напряжения Gl, G2 и измери­тельного моста Е к управляющим входам tNl, IN2, .... IN $

    С1 — конденсатор; Е — измерительный мост

    Схема измерения

    витания; JWf, IN2, , IN& — управляющие входы; OV общий вывод; GI—G3 источники постоянного напряжения;

    3AJ ~~ ном мутационное устройство, обеспечивающее подклю­чение маточников постоянного напряжения Gl, G2 к управ­ляющим входам /УУ/, IN2, ... , IN & , SA2 — переключатель;

    Сі — конденсатор; Е — измерительный мост


    ПА


    емкости аналогового входа

    Схема измерения емкости аналогового выхода



    DA измеряемая микросхема; SI, S2, , Sm аналоговые

    входы; DI, D2f... , Dn«-» аналоговые выходы] U — вывод питания; INI, IN2, ... , 1N& управляющие входы; OV общий вывод; G1G3 — источники постоянного напряжения; SA1 коммутационное устройство, обеспечивающее подклю­чение источников постоянного напряжения G/, 02 ■ управ­ляющим входам ГАГ/, 1N2, ... . g SA2 — переключатель;

    С1 — конденсатор; Е — измерительный мост

    Черт. 17



    С. 42 ГОСТ 27780—3» г

    Схема измерения емкости между аналоговым входом и выходом

    DA — измеряемая микросхема; SI, S2, ... , Sm аналоговые входы; DI, D2, ... , D п аналоговые выходы; U — вывод питания; Ж/, IN2, ... , IN& управляющие входы; OV общий вывод; G1G3 источники постоянного напряжения; 34/ — коммутационное устройство, обеспечивающее подклю­чение источников постоянного напряжения Gl, G2 к управ­ляющим входам ЛУ/, 1N2, ... , ; SA2, SA3 переклю­