---

р др _1 f)|„ ² вых.max ^Ш ДИН.ОТН “^1V1& р •'вых.тіп

Метод 664 0. Измерение относительного диапазона АРУ по напряжению (А17_ару ).

Для измерения А{/_Ар_{У отн} определяют два значения коэффициента усиления напряжения K_yV и

A'vit (методы 6500—6504), соответствующие двум значениям входного напряжения (7 и и . ука- Увх вх занным в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов.

Относительный диапазон АРУ по напряжению определяют по формуле

& ^АРУ.отн ^— »

•KyU . _ . _

где A_yU — наибольшее значение коэффициента усиления напряжения;

A_yU — наименьшее значение коэффициента усиления напряжения.

Метод 665 0. Измерение относительного диапазона АРУ по току (Л/_{Ару оти}).

Для измерения A/._PV„_TO определяют значения коэффициентов усиления тока K_vi и (метод

6520), соответствующие двум значениям входного напряжения [/_вх и и"_ъ*, указанным в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов.

Относительный диапазон АРУ по току определяют по формуле

А/ -^К'*

АРУ.отн Т”^- ,
Лу[

где К_у1— наибольшее значение коэффициента усиления тока; /

К_у1— наименьшее значение коэффициента усиления тока.

Метод 6660. Измерение относительного диапазона АРУ по мощности (AP,_DV _ ).

Для измерения ДР_АрУотн определяют два значения коэффициента усиления мощности А_уР и K_vP (метод 6530), соответствующие двум значениям входного напряжения и и ' , указанным в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов.

Относительный диапазон АРУ по мощности определяют по формуле

др _ ^уР
^^АРУ.отн ,

Аур

где К_ур — наибольшее значение коэффициента усиления мощности;

А_уР — наименьшее значение коэффициента усиления мощности.

Метод 6670. Измерение коэффициента гармоник (А) для микросхем с одним входом.

Измерение К_т проводят согласно структурной схеме, приведенной на черт. 1.

Плавно увеличивают напряжение входного синусоидального сигнала и измеряют напряжение выходного сигнала, устанавливая его равным значению, указанному в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов.

Переключатель ВЗ переводят в положение 2 и измеряют коэффициент гармоник выходного сигнала.

Метод 6671. Измерение коэффициента гармоник (А) для микросхем с двумя входами.

Измерение А_г проводят согласно структурной схеме, приведенной на черт. 7а. Основные элемен­ты, входящие в структурную схему, должны удовлетворять требованиям, указанным в методе 1651.

При испытаниях микросхем с двумя выходами положение переключателей показано на черт. 7а, а для микросхем с одним выходом переключатель ВЗ устанавливают в положение 2.

Балансируют микросхему (метод 1580) с точностью, указанной в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов.

Переключатель В4 переводят в положение 2, плавно увеличивают напряжение входного синусои­дального сигнала и измеряют напряжение выходного сигнала, устанавливая его равным значению,

указанному в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов.

После этого переключатель В4 переводят в положение 3 и измеряют коэффициент гармоник выходного сигнала.

Метод 668 0. Измерение коэффициента нестабильности по напряжению (А_нси).

Измерение A_hcU проводят согласно структурной схеме, приведенной на черт. 26.

Измеряют выходное напряжение и_вых при входном напряжении и_вх, указанном в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов.

Изменяют входное напряжение до значения и_вх, указанного в стандартах или технических усло­виях на микросхемы конкретных типов, и измеряют выходное напряжение (/_вых. Коэффициент неста­бильности по напряжению определяют по формуле

V- (^вых ^вых) • ^вх

-**нс.и** ' '

(^вх-^вх)^вых

Метод 6681. Измерение коэффициента нестабильности по напряжению (К_{нс и}).

Измерение К_ксц проводят согласно структурной схеме, приведенной на черт. 26.

Измеряют выходной ток 1_ВЫХ при входном напряжении и'_т, указанном в стандартах или

т

Черт. 26

1 — источник питания; 2 — микро­схема; 3 — измеритель напряжения

ехнических условиях на микросхемы конкретных типов.

Выходной ток определяют по методу 2520 или измеряют изме­рителем тока, включаемым в выходную цепь микросхемы.

Изменяют входное напряжение до значения и_вх, указанного в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов, и измеряют выходной ток /_вых .

Коэффициент нестабильности по напряжению определяют по формуле

ff f I

V — (^вых ~ ^вых? ■ вх л нс.и - —" ’ :—’.

ВХ ^— ^ВХ ) ■ ^вых

Метод 669 0. Измерение коэффициента нестабильности по току (А_нсл).

Измерение А_нс ] проводят согласно структурной схеме, приведенной на черт. 26.

Измеряют выходное напряжение и'_вых при выходном токе 1_вах, указанном в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов.

Выходной ток определяют по методу 2520 или измеряют измерителем тока, включаемым в выходную цепь микросхемы. Изменяют выходной ток до значения /_вых , указанного в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов, и измеряют выходное напряжение и_вых■ Коэффициент нестабильности по току определяют по формуле

Г _ (^вых ~^ВЫх)^ВЫХ

(^ВЫХ — ^вых) ‘ ^вых

Метод 6691. Измерение коэффициента нестабильности по току (А^,).

Измерение К_Вй, проводят согласно структурной схеме, приведенной на черт. 26.

Измеряют выходной ток /_вых по методу 2520 или измерителем тока, включаемым в выходную цепь микросхемы, при сопротивлении резистора нагрузки /?_н , указанному в стандартах или техничес­ких условиях на микросхемы конкретных типов. — ~

Изменяют сопротивление резистора нагрузки до значения , указанного в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов, и измеряют выходной ток /"_ых.

Коэффициент нестабильности по току определяют по формуле

It I I

Ъ' _ (4ых ~ ^вых)' *н

^нсЛ (л"-л')-4_ых ■

Методы 6630—6691. (Измененная редакция, Изм. № 2).

Метод 670 0. Измерение коэффициента пульсаций (Х^).

Для измерения измеряют амплитудное значение напряжения пульсаций U. и постоянную составляющую напряжения U. Коэффициент пульсаций определяют по формуле

С/~

^Кпл=~й~-

Метод 6710. Измерение коэффициента сглаживания пульсаций (К_сг).

Измерение К проводят согласно структурной схеме, приведенной на черт. 26.

Измеряют амплитудные значения пульсаций входного U и выходного С/_ых напряжений. Коэф­фициент сглаживания пульсаций определяют по формуле

Метод 672 0. Измерение коэффициента ослабления усиления на нижней (верхней) гранич­ной частоте (К и К ).

^vОС.Н ОС.В'

Для измерения К_жн И К_жв определяют коэффициент усиления напряжения К и (методы 6500-6504). ^У

На вход микросхемы подают сигнал U , напряжение и частота которого устанавливаются в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов.

Затем, не изменяя значения напряжения входного сигнала 17_вх, устанавливают частоту, равную нижней (верхней) граничной частоте, указанной в стандартах или технических условиях на микросхе­мы конкретных типов, и определяют коэффициент усиления K_yV, (A^_Ub).

Значение нижней (верхней) граничной частоты указывается в стандартах или технических усло­виях на микросхемы конкретных типов.

Коэффициент ослабления усиления на нижней (верхней) граничной частоте в децибелах опреде­ляют по формулам

tf_OCH = 201gbuH .

ОС.Н ° У

^AyU

*„..=2018^.

^AyU

Метод 673 0. Измерение коэффициента неравномерности АЧХ (ЛГ_{нр АЧХ}).

Для измерения _АЧХ используют структурную схему, выбранную для измерения коэффициен­та усиления напряжения данной микросхемы (методы 6500—6504). На вход микросхемы подают сину- соидальный сигнал напряжением и частотой, указанными в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов.

Плавно изменяют частоту водного сигнала в заданном диапазоне частот, и поддерживая его напряжение постоянным, измеряют напряжение выходного сигнала. При этом регистрируют наиболь­шее и' и наименьшее и ' значения выходного напряжения.

Коэффициент неравномерности АЧХ в децибелах определяют по формуле

*нр.АЧХ = 201g
^и вых

Метод 674 0. Измерение коэффициента ограничения выходного напряжения (К_отр).

Измерение К проводят согласно структурной схеме, приведенной на черт. 9.

Основные элементы, входящие в структурную схему, должны удовлетворять требованиям, ука­занным в методе 1690.

На микросхему подают входной сигнал с параметрами (в том числе с напряжением указан­ными в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов, при этом измеряют выходное напряжение (Г„. Увеличивают напряжение входного сигнала до значения и _ov , указанного в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов, при этом измеряют выход­ное напряжение {/_вых. Коэффициент ограничения выходного напряжения определяют по формуле

Н !

I/ _ ^вых ~ ^вых

Метод 675 0. Измерение дифференциального коэффициента усиления (АГ_уд).

Измерение К_ул проводят согласно структурной схеме, выбранной для определения 7C_yU данной микросхемы (методы 6500—6504). Измеряют выходное напряжение при двух значениях входного на­пряжения (7 и U _ov = 1,1 U „V , указанных в стандартах или технических условиях на микросхе- мы конкретных типов.

Дифференциальный коэффициент усиления определяют по формуле «« г

к _ ^ВЫХ ~^ВЫХ
-“у.д ~~ '

0,1(7_вх ’

^где ^вых ^и ^вых ^— выходные напряжения, измеренные при входных напряжениях и_вх И и_вх соответственно.

Метод 6760. Измерение коэффициента деления напряжения (К _ц).

Структурная схема для измерения К _у приведена на черт. 27.

1 — источник напряжения; 2 — микросхема; 3 — измеритель посто­янного напряжения

Устанавливают входное напряжение Е_вх, указанное в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов, и измеряют выходное напряжение £_вьіх на каждом выходе микросхе­мы (В1 — в положениях 2; 3... п).

Коэффициент деления напряжения для каждого выхода микросхемы определяют как отношение ^К Д>ых ^{на каж}д°^м выходе микросхемы.

Методы 6720—6760. (Измененная редакция, Изм. № 2).

Метод 6770. Измерение нестабильности частоты (5_Sf)

Измерение 8_Sf от температуры, напряжения питания и т. д. проводят согласно структурной схеме, показанной на черт. 17.

Проводят два измерения значения частоты /'и f" при двух значениях режима (интервала температур, напряжения питания и т. д.). Нестабильность частоты определяют по формуле

Метод 678 0. Измерение нестабильности фазового сдвига (8_s<p).

Измерение 8_S(p от температуры, напряжения питания и т. д. проводят согласно структурной схеме, приведенной на черт. 28.

П

Черт. 28

1 — генератор сигналов; 2 — источ­ник питания; 3 — микросхема;

4 — измеритель фазы

роводят два измерения значения фазового сдвига <р 'и <р " (ме­тод 8520) при двух значениях режима (интервала температур, напря­жения питания и т. д.).

Нестабильность фазового сдвига определяют по формуле

^ф-ф

•Фс ф'

Метод 679 0. Измерение нелинейности фазового сдвига (8_f )• ^f<₽c

Измерение 8_fi)) проводят согласно структурной схеме, приведен­ной на черт. 28.

Проводят два измерения значения фазового сдвига <p_t и <р₂ (метод 8520) при двух значениях частоты входного сигнала f_x и f_v указанных в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов.

Нелинейность фазового сдвига в процентах определяют по формуле

8_fa, = 1-^2-Л- -100

Гфс ф, /₂

(Измененная редакция, Изм. № 2).

8. МЕТОДЫ ИЗМЕРЕНИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ,
   ИМЕЮЩИХ РАЗМЕРНОСТЬ СОПРОТИВЛЕНИЯ (класс 7000)

Метод 750 0. Измерение входного сопротивления (^) для микросхем с одним входом.

Измерение R_m проводят согласно структурной схеме, приведенной на черт. 29, если испытуемая микросхема удовлетворяет условию где X — реактивная составляющая входного сопротивления микросхемы

.

Измерение проводят в режиме малого сигнала при частоте, соответствующей указанной в стан­дартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов.

С

1 — генератор переменного напряжения; 2 — аттеню­атор; 3 — источник питания; 4 — микросхема;

5 — измеритель переменного напряжения; R2 — эта­лонный регулируемый резистор

опротивления R_{ и 7^ резисторов должны удов­летворять условиям:

D < ^BX-rnin D . _<D _<D

— ЮО ’ ^Лвх.тт ^Л2 -‘'вх.тах ■

Предельное отклонение значения сопротивления резистора от установленного значения при заданной частоте должно быть в пределах ±1 %.