■ 'И п - ГОСТ 19799-74


МЕЖГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ

МИКРОСХЕМЫ
ИНТЕГРАЛЬНЫЕ АНАЛОГОВЫЕ

МЕТОДЫ ИЗМЕРЕНИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ
И ОПРЕДЕЛЕНИЯ ХАРАКТЕРИСТИК

Издание официальное

БЗ 12-98





ИПК ИЗДАТЕЛЬСТВО СТАНДАРТОВ
Москва


МЕЖГОСУДАРСТВЕННЫЙ


СТАНДАРТ



М

ГОСТ
19799-74

ИКРОСХЕМЫ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ АНАЛОГОВЫЕ

Методы измерения электрических параметров
и определения характеристик

Analog integrated circuits. Methods for measurement of electric
parameters and determination of responses

Дата введения 01.01.76

Настоящий стандарт распространяется на интегральные аналоговые микросхемы (далее — микро­схемы) и устанавливает методы измерения электрических параметров и определения характеристик.

Стандарт не распространяется на коммутаторы и ключи, на компараторы напряжения в части методов 1580, 1581, 2500, 2501 и операционные усилители.

Настоящий стандарт должен применяться:

при разработке и пересмотре стандартов или технических условий на микросхемы конкретных типов;

при разработке установок для измерения электрических параметров микросхем;

при проведении научно-исследовательских и опытно-конструкторских работ.

Степень соответствия настоящего стандарта СТ СЭВ 1622—79 приведена в приложении 4.

Общие требования к аппаратуре — в соответствии с ГОСТ 30350.

(Измененная редакция, Изм. № 1, 2, 3, 4, 5, 6).

Разд. 1. (Исключен, Изм. № 6).

2. МЕТОДЫ ИЗМЕРЕНИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ, ИМЕЮЩИХ
РАЗМЕРНОСТЬ НАПРЯЖЕНИЯ (класс 1000*)

Метод 1500. Измерение входного напряжения (Um).

Измерение t/x проводят согласно структурной схеме, приведенной на черт. 1. Измеряют напряже­ние на входе микросхемы при ее работе в заданном режиме, указанном в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов.

Метод 1510. Измерение максимального входного напряжения (Ummax) для микросхем с одним входом.

* Порядок нумерации методов измерения, применяемый в настоящем стандарте, приведен в приложе­нии 2.

П

Издание официальное

ерепечатка воспрещена

© Издательство стандартов, 1974 © ИПК Издательство стандартов, 1999 Переиздание с ИзменениямиИзмерение (/х тах проводят согласно структурной схеме, приведенной на черт. 1.


1 — генератор сигналов; 2 — измеритель переменного напря­жения; 3 — источник питания; 4 — микросхема; 5 — измери­тель переменного напряжения; 6 — измеритель нелинейных искажений; 7 — измеритель временных интервалов (осцил­лограф)


Черт. 1

На микросхему подают входное напряжение с параметрами, указанными в стандартах или техни­ческих условиях на микросхемы конкретных типов.

Увеличивая напряжение входного сигнала, устанавливают напряжение выходного сигнала мик­росхемы равным значению, указанному в стандартах или технических условиях на микросхемы конк­ретных типов. Измерителем напряжения измеряют Ummm на входе микросхемы.

Метод 1511. Измерение максимального входного напряжения (t/xтах) для микросхем с двумя входами на переменном токе.

ci С2 Структурная схема для измерения UBXmax на переменном токе


п

1 — генератор переменного напря­жения; 2, 5 — измерители перемен­ного напряжения; 3 — микросхема;

4 — источник питания

риведена на черт. 2.

Значения чистоты и сопротивления нагрузки должны соответ­ствовать установленным в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов. В случае применения модулированно­го сигнала измерители 2 и 5 должны обеспечивать измерение эффек­тивного немодулированного напряжения. Конденсаторы С1 и С2 дол­жны являться короткозамкнутыми цепями при заданной частоте.

Д

Черт. 2

ля проведения измерения испытуемую микросхему (при необ­ходимости) балансируют в соответствии с условиями, указанными в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных ти­пов. Сигнал генератора 1 на заданной частоте устанавливают на уров­не, обеспечивающем значение напряжения на входе (выходе) испытуемой микросхемы, указанное в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов.

Значения максимального входного напряжения измеряют измерителем 2.

Методы 150 0, 151 0, 1511. (Измененная редакция, Изм. № 2).

Метод 1512. Измерение максимального входного напряжения (t/xmax) для микросхем с двумя входами на постоянном токе.

С труктурная схема измерения июта на постоянном токе приведена на черт. 2а.

  1. — источник постоянного напряжения;

  2. , 5 — измерители постоянного напряжения;

— микросхема; 4 — источник питания
Черт. 2

а

    Для измерения UMmax на источнике 1 устанавливают напряжение Um< Ummsx и постепенно увели­чивают его до тех пор, пока Ubux не достигнет значения, указанного в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов.

    Значение Umma измеряют измерителем 2.

    (Введен дополнительно, Изм. № 2).

    Метод 1520. Измерение минимального входного напряжения (17йтіп) ДЛЯ микросхем с одним входом.

    Измерение t^xmin проводят согласно структурной схеме, приведенной на черт. 1.

    На микросхему подают входное напряжение с параметрами, указанными в стандартах или техни­ческих условиях на микросхемы конкретных типов.

    Уменьшая напряжение входного сигнала, устанавливают напряжение выходного сигнала микро­схемы равным значению, указанному в стандартах или технических условиях на микросхемы конкрет­ных типов.

    Измерителем напряжения измеряют Ummin на входе микросхемы.

    Метод 1521. Измерение минимального входного напряжения (l/BXmin) для микросхем с двумя входами.

    Измерение UBXmjn проводят согласно структурной схеме, приведенной на черт. 2.

    Основные элементы, входящие в структурную схему, должны удовлетворять требованиям, ука­занным в методе 1511.

    При необходимости микросхему балансируют с точностью, указанной в стандартах или техни­ческих условиях на микросхемы конкретных типов. На микросхему подают входное напряжение с параметрами, указанными в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов. Уменьшая напряжение входного сигнала, устанавливают напряжение на входе (выходе) испытуемой микросхемы равным значению, указанному в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов. После этого измеряют Uminin измерителем 2.

    Метод 153 0. Измерение чувствительности (5)

    Измерение S проводят согласно структурной схеме, приведенной на черт. 1. На микросхему подают входное напряжение с параметрами, указанными в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов.

    Уменьшают входное напряжение до такого значения, при котором параметры микросхемы при­мут значения, указанные в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов, при этом измеряют напряжение входного сигнала, которое численно равно чувствительности.

    Метод 154 0. Измерение диапазона входных напряжений

    Для измерения А1/х измеряют значение максимального входного напряжения UBxm№ (методы 1510 и 1511) и значение минимального входного напряжения t/Bxmin (методы 1520 и 1521). Диапазон входных напряжений определяют по формуле

    А17 вх


    U вх.тах


    и .

    Bx.min




    1 — микросхема; 2 — источник пи­тания; 3 — измеритель постоянного напря­жения


    Метод 1550. Измерение входного напряжения покоя (170вх) и выходного напряжения покоя

    Измерение UObx и 170вых микросхем с одним входом проводят согласно структурной схеме, приведенной на черт. 3.

    Емкость Cj конденсатора должна быть достаточной для того, чтобы исключить паразитные самовозбуждения, и должна соответствовать стандартам или техническим ус­ловиям на микросхемы конкретных типов.

    Переключатель В1 устанавливают в положение 1 и измерителем 3 измеряют значение входного напряжения покоя UQm. Затем переключатель В1 переводят в положе­ние 2 и измерителем 3 измеряют значение выходного напряжения покоя 1/Овых.

    (Измененная редакция, Изм. № 2). Черт. 3

    Метод 156 0. (Исключен, Изм. № 2).

    Метод 1570. Измерение входного напряжения ограничения (UOmpвх).

    Измерение 170гр вх проводят согласно структурной схеме, выбранной для измерения коэффициента усиления напряжения А"уи данной микросхемы

    .


    На вход микросхемы подают синусоидальный сигнал напряжением ивх, указанным в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов, и измеряют переменное напряжение на выходе микросхемы ивых Увеличивают входной сигнал до напряжения ивх= 1,1 UBX и измеряют Ї/ВЬІХ . Дифференциальный коэффициент усиления определяют по формуле

    И !

    1/ — ^ВЫХ ~ ^вых

    Изменяя входное напряжение и определяя К . находят такое значение U. при котором К п

    У-Д »х у.д

    равен 0,1 Куд. Входное напряжение ограничения Ц,огрвх равно найденному значению Um.

    Метод 158 0. Измерение э. д. с. смещения (Е ) и напряжения смещения нуля (UCM) для микросхем с двумя и одним входами.

    Измерение Е , Ucu для микросхем с двумя входами проводят согласно структурной схеме, приведенной на черт. 4, а для микросхем с одним входом — согласно структурной схеме, приведенной на черт. 4а.

    Инвентирующий усилитель 4 применяется, если выходное напряжение испытуемой микросхемы не сдвинуто по фазе. Усилитель должен обеспечивать коэффициент усиления напряжения Ку1]~1 и иметь входное сопротивление 7?вх»RH-

    Значения сопротивлений резисторов, входящих в структурные схемы черт. 4 и черт. 4а, должны удовлетворять следующим требованиям:

    Ry> R5> R10RBBlx;

    ^<0,01/?5 или .

    U1Ayt/min ’

    = R^; RBX»R2<

    JR4 +RSbx2 50 ’

    где RBx — входное сопротивление испытуемой микросхемы;

    — выходное сопротивление испытуемой микросхемы;

    KyU — коэффициент усиления напряжения испытуемой микросхемы при условии, что цепь обрат- 1п ной связи разомкнута.


    1 — источник постоянного напряжения для ба­лансировки микросхемы; 2, 5 — измерители по­стоянного напряжения; 3 — микросхема; 4 — ис­точник питания


    Черт. 4

    1 — источник постоянного напряжения для балансировки мик­росхемы; 2, 5 — измерители постоянного напряжения; 3 — мик­росхема; 4 — усилитель, инвентирующий фазу; 6 — источник питания


    Черт. 4

    аИспытуемую микросхему балансируют, изменяют напряжение Е{ источника 1 до тех пор, пока напряжение на измерителе 5 будет равно нулю или значению иозых, указанному в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов, и измеряют значение Et измерителем 2.

    Э. д. с. смещения и напряжения смещения нуля определяют по формуле

    Ясм(^см) = Д +f/овых .

    Метод 1581. Измерение э. д. с смещения (Е.м) и напряжения смещения нуля (Ц.м) для микросхем с двумя входами с автоматической балансировкой испытуемой микросхемы с помощью вспомогательного усилителя.

    Измерение Есм, UCM проводят согласно структурной схеме, приведенной на черт. 5.

    Параметры вспомогательного дифференциального усилителя должны обеспечивать:

    усиление при разомкнутой обратной связи более 60 дБ;

    размах выходного напряжения, достаточный для обработки входного напряжения испытуемой микросхемы;

    диапазон напряжений синфазного сигнала на входе не меньше диапазона выходного напряжения испытуемой микросхемы.

    Значения сопротивлений резисторов, входящих в структурную схему, должны удовлетворять следующим требованиям:

    R3= R4, 7?,«/^«^;

    1 — измеритель постоянного напряжения; 2, 5 — источники питания;

    3 — микросхема; 4 — вспомогательный дифференциальный усилитель;

    6 — источник постоянного напряжения



    Черт. 5

    Значения сопротивлений резисторов R устанавливают в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов.

    Переключатель ВЗ устанавливают в положение 1, когда выходное напряжение испытуемой мик­росхемы равно нулю, или в положение 2, когда выходное напряжение не равно нулю. Напряжение источника 6должно соответствовать установленному в стандартах или технических условиях на микро­схемы конкретных типов. Для измерения Есм переключатели В1 и В2 замыкают, а для измерения Ucu размыкают.

    Устанавливают напряжение источника 6 и положение переключателя ВЗ в соответствии со стан­дартами или техническими условиями на микросхемы конкретных типов и измеряют напряжение Ц измерителем 1. Э. д. с. смещения и напряжение смещения нуля определяют по формуле:

    £’см(^см) = ^1Т^-.

    Л2 + Л4

    Метод 159 0. Измерение синфазного входного напряжения (^сфвх)-

    Измерение £/фвх проводят согласно структурной схеме, приведенной на черт. 6.