ГОСТ 15172-70. Транзисторы. Перечень основных и справочных электрических параметров (72418)

Классы транзисторов

Параметры

Основные 1 Справочные

Транзисторы малой МОЩНОСТИ (Ртах^О.ЗВт) низкой частоты (/_г<3 МГц)

Ісво', ^21е/ (has):

fr (fh2ib)t ■/*'*; ^Сшаіэ’ ^СЕтах» t/свтах/

I Стах, tjmax.

U(L)**ceo, Icbs,' Iebo, hl2b (hl2e)> ^22b (fl22e)j h(ib (hile)t Rth j_a;

R BEmaz,'

U в Em ах/ /смтаіі ^мтах} tamb min

Классы транзисторов

Параметры

Основные

1 Справочные

Транзисторы малой мощности (Ртах^О.ЗВт) средней частоты (3 МГц<{т^30 МГц)

/ с во! ^2іе (Л21 к); F*; It (fh2ib); С_с; Г Ъ Ъ- С d Р стах/ //свтах» ^СЕтах} і стах» ^jmax

6 ft

bq M

***

CQ

4 -ju, 'Й

” и _Л

a a

C <N

г'з 'Й I

Cj "J £

Транзисторы малой мощности (Pmax<0,3Bm) высокой частоты (30 МГц<)_т<300 МГц)

I с во! hzi_e; It (fh2ib)*_fFt С с/ Ь’ Get /^cmaxj 1/свтах>

U C Emax>' /стах» /jmax

U(L)**cko', 1 cbs',

І в в o',

Re (line); Re (Yt,_e; У22Є,

Y_i2e, Yzie)', Im (T_Ile, T_22c, Гі2е, У_2ІД;

Rih ja! ^BEmaxi

Uв Emax,' /ситах»

Pm maxi ^mbmln

Транзисторы средней мощности (0,3 Дщ<Дтах< <1,5 Вт) и большой мощности (Дтах>1,5 Вт) низкой частоты (}т^3 МГц)

ІсвоІ hztEi (fh2lb)t

Pcmax? Vс втаї/ ^СЕтах/ t/BEmaxJ /стах» /jmax

U(L)** CEO', Ices', ІЕВО', Rih jo,' Rih id ЛвЕтах!

IcM max! Pмтах', UsBili

Iamb min

Транзисторы средней мощности (0,3

<1,5 Вт)

И большой мощности (Ртах>1,5 Вт) средней частоты

(3 МГц<1т<30 МГц)

/CBOf ?ЕВОІ Fi2E't fr (fh2ib)i PcmAIf UcBmai, UcEmai!

UgEaut /стах/ /ушах

І/(Д)**СЕО; /cbs;

/?e (hi_e); Y21E1

^b b ’ £с/ Сс/ Pth ja>

Rth Jc/ UsEsatl /?BEmaxJ Iceat maxi FcMmax!

Ueb fli

Pouti Pm max» /атЬШіп

Транзисторы средней мощности (0,3 Вт<Рmax< <1,5 Вт) и большой мощности (Т’шах>1,5 Вт) высокой частоты (30 ЛПц</_т<300 МГц)

/cBOj ^21В/ fr (fh21 Pc ma x» і/свтах/ /стах» 6'max

U(L)**CEOi Icssi 11) b • Cc!

Re (Ytie, Y‘2,2e> Yt2e, Yzie)i

?Уие, YtZe, Y12c> Yzie); /EBOi ta! VsEaat! UEBfl! R BE max» / c s a t m a x 1' /смтаї/ Pout! Рмтахі iamb min

Продолжение

Классы транзисторов

Характеристики

Транзисторы средней (0,3 Вт<Р_шг1< 1,5 Вт) и большой fPmai>l,5 Вт) мощности

1с = f (Усг.) при 1_в = const

Ic = f (U_CE) при /_в = const для малых токов и напряжений (начальные участки вольтамперных выходных характеристик)

Ube = f (Iв) при Uce — const

Ісво = f (tj) при U_Cb — const

Псвтах = f (Rbe) при ІС = const

PСтах = f (iamb)

hziE = f (Ic) при Uce = const

Ucssat = f (Rs) при Ic = const

транзисторов

Буквенные обозначения

Наименования

1 с во 1в во ІСВЗ UcEtai

Обратный ток коллектора

Обратный ток эмиттера

Начальный ток коллектора

Напряжение между коллектором и эмиттером в режиме на­сыщения

UaBtat

U(L)ceo

Напряжение между базой и эмиттером в режиме нас ыщения

Напряжение между коллектором и эмиттером при пулевом токе базы и заданном токе эмиттера

Rih ja

Общее тепловое сопротивление транзистора (переход — ок­ружающая среда)

Rih Je Rih jcM fhZlb fr hue

Тепловое сопротивление транзистора (переход — корпус)

Тепловое сопротивление транзистора в импульсном режиме Предельная частота коэффициента передачи тока

Граничная частота коэффициента передачи тока

Входное сопротивление в режиме малого сигнала в схеме с общим эмиттером

hub

Входное сопротивление в режиме малого сигнала в схеме с общей базой

Re (h_lie) hue

Активная составляющая полного входного сопротивления

Коэффициент обратной связи по напряжению в режиме ма­лого сигнала в схеме с общим эмиттером

hub

Коэффициент обратной связи по напряжению в режим з ма­лого сигнала в схеме с общей базой

hzie

Коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером в режиме малого сигнала

Продолжение

Буквенные обозначения

Наименования

|У₂>И

Модуль проводимости прямой передачи в схеме с общим эмиттером

(Й21е|

Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте

/і22е

Выходная проводимость в режиме малого сигнала в схеме с общим эмиттером

hut,

Выходная проводимость в режиме малого сигнала в схеме с общей базой

ft₂i г.

Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером в режиме большого сигнала

Ги.

Полная входная проводимость в схеме с общим эмиттером в режиме малого сигнала

Г22.

Полная выходная проводимость в схеме с общим эмиттером в режиме малого сигнала

У₁₂,

Полная проводимость обратной передачи в схеме с общим эмиттером в режиме малого сигнала

Гаї.

Полная проводимость прямой передачи в схеме с общим эмиттером в режиме малого сигнала

Гаїв

Статическая крутизна прямой передачи от входа на выход транзистора

tb'b

Сопротивление базы

С_с

Емкость коллекторного перехода

?b Ь

Постоянная времени цепи обратной связи на высокой час-

тоте

с.

Емкость эмиттерного перехода

F

Коэффициент шума

t,

Время рассасывания

ton

Время включения

toff

Время выключения

К,

Коэффициент насыщения (степень насыщения)

R в к m a x

Максимальное внешнее сопротивление между базой и эмит­тером

Uв Em ax

Максимально допустимое напряжение между эмиттером и базой

UCBBlil

Максимально допустимое напряжение между коллектором и базой

Продолжение

Буквенные обозначения

Наименования

U СЕтах

Максимально допустимое напряжение между коллектором и эмиттером

/стах

/ Caatmax

Максимально допустимый ток коллектора

Максимально допустимый ток коллектора в режиме насы­щения

Рстах

^jmax І a mb min Ucem max

Максимально допустимая мощность на коллекторе

Максимально допустимая температура перехода

Минимально допустимая температура окружающей среды

Максимально допустимое импульсное напряжение между коллектором и эмиттером

/сМ max Pm max Pout Uebji

Максимально допустимый импульсный ток коллектора Максимально допустимая импульсная мощность Выходная мощность транзистора на заданной частоте Плавающий потенциал эмиттер — база