---

ГОСТ 30617-98

МЕЖГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ

МОДУЛИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ
СИЛОВЫЕ

Общие технические условия

Издание официальное

БЗ 5-2001

МЕЖГОСУДАРСТВЕННЫЙ СОВЕТ
ПО СТАНДАРТИЗАЦИИ, МЕТРОЛОГИИ И СЕРТИФИКАЦИИ
МинскПредисловие

1. РАЗРАБОТАН Украинским научно-исследовательским институтом силовой электроники «Преобразователь» (НИИ «Преобразователь»)

ВНЕСЕН Комитетом Украины по стандартизации, метрологии и сертификации

2. ПРИНЯТ Межгосударственным Советом по стандартизации, метрологии и сертификации (протокол № 14 от 12 ноября 1998 г.)

За принятие проголосовали:

3. Постановлением Государственного комитета Российской Федерации по стандартизации и метрологии от 11 апреля 2001 г. № 172-ст межгосударственный стандарт ГОСТ 30617—98 введен в действие непосредственно в качестве государственного стандарта Российской Федерации с 1 июля 2002 г.

4. ВЗАМЕН ГОСТ 20859.1—89 в части модулей

© ИПК Издательство стандартов, 2001

Настоящий стандарт не может быть полностью или частично воспроизведен, тиражирован и распространен в качестве официального издания на территории Российской Федерации без разре­шения Госстандарта России

Содержание

1. Область применения 1

2. Нормативные ссылки 1

3. Определения 2

4. Классификация 2

5. Общие технические требования 6

   1. Характеристики 6

   2. Требованиякматериалам и покупным изделиям 10

   3. Комплектность 10

   4. Маркировка 11

   5. Упаковка 11

6. Требования безопасности 11

7. Правила приемки 11

   1. Общие положения 11

   2. Квалификационные испытания 13

   3. Приемосдаточные испытания 13

   4. Периодические испытания 13

   5. Типовые испытания 14

   6. Испытания на надежность 14

8. Методы испытаний 15

   1. Общие положения 15

   2. Проверка на соответствие требованиям к конструкции 15

   3. Проверка электрических параметров 15

   4. Проверка стойкости к механическим воздействиям 27

   5. Проверка стойкости к климатическим воздействиям 28

   6. Проверка устойчивости корпуса модулей к воздействию неразрушающего тока 28

   7. Испытание на пожарную безопасность 29

   8. Проверка показателей надежности 30

9. Транспортирование и хранение 30

10. Указания по эксплуатации 30

11. Гарантии изготовителя 30

Приложение А Обозначение групп модулей в зависимости от значений параметров 31

Приложение Б Перечень электрических параметров модулей 32

Приложение В Содержание информационных материалов 35МЕЖГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ

МОДУЛИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СИЛОВЫЕ

Общие технические условия

Power semiconductor modules. General specifications

Дата введения 2002—07—01

1. Область применения

Настоящий стандарт распространяется на силовые полупроводниковые модули общего назна­чения (далее — модули), состоящие из полупроводниковых приборов и (или) структур: диодов, биполярных (в том числе составных) транзисторов, полевых транзисторов и тиристоров всех видов (далее — приборов) на максимально допустимые средние, действующие, импульсные или постоян­ные токи 5 А и более, предназначенные для применения в полупроводниковых преобразователях электроэнергии, а также в других цепях постоянного и переменного токов различных силовых электротехнических установок.

Настоящий стандарт не распространяется на модули, работающие:

• в средах с токопроводящей пылью;

• в агрессивных средах при концентрациях, разрушающих металлы и изоляцию в недопусти­мых пределах в течение срока службы;

• во взрывоопасной среде;

• в условиях воздействия различных излучений, повреждающих модули.

Требования разделов 5, 6, 7 настоящего стандарта являются обязательными, требования ос­тальных разделов являются рекомендуемыми.

2. Нормативные ссылки

8. настоящем стандарте использованы ссылки на следующие стандарты:

ГОСТ 12.1.004—91 Система стандартов безопасности труда. Пожарная безопасность. Общие требования

ГОСТ 12.2.007.0—75 Система стандартов безопасности труда. Изделия электротехнические. Общие требования безопасности

ГОСТ 20.39.312—85 Комплексная система общих технических требований. Изделия электро­технические. Требования надежности

ГОСТ 20.57.406—81 Комплексная система контроля качества. Изделия электронной техники, квантовой электроники и электротехнические. Методы испытаний

ГОСТ 8032—84 Предпочтительные числа и ряды предпочтительных чисел

ГОСТ 14192—96 Маркировка грузов

ГОСТ 15133—77 Приборы полупроводниковые. Термины и определения

Издание официальное ★

ГОСТ 15150—69 Машины, приборы и другие технические изделия. Исполнения для различ­ных климатических районов. Категории, условия эксплуатации, хранения и транспортирования в части воздействия климатических факторов внешней среды

ГОСТ 15543.1—89 Изделия электротехнические. Общие требования в части стойкости к кли­матическим внешним воздействующим факторам

ГОСТ 17516.1—90 Изделия электротехнические. Общие требования в части стойкости к ме­ханическим внешним воздействующим факторам

ГОСТ 18620—86 Изделия электротехнические. Маркировка

ГОСТ 19095—73 Транзисторы полевые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров

ГОСТ 20003—74 Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров

ГОСТ 20332—84 Тиристоры. Термины, определения и буквенные обозначения параметров

ГОСТ 23216—78 Изделия электротехнические. Хранение, транспортирование, временная про­тивокоррозионная защита, упаковка. Общие требования и методы испытаний

ГОСТ 24461—80 Приборы полупроводниковые силовые. Методы измерений и испытаний

ГОСТ 24566—86 Соединители плоские втычные. Основные размеры, технические требования и методы испытаний

Г

ния параметров

ГОСТ 27264—87

ГОСТ 27591—88

ОСТ 25529—82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначе­

Транзисторы силовые биполярные. Методы измерений

Модули полупроводниковые силовые. Габаритные и присоединительные размеры

СТ СЭВ 1657—79 Приборы полупроводниковые силовые. Охладители воздушных систем ох­лаждения. Габаритные и присоединительные размеры

3. Определения

В настоящем стандарте применены термины с соответствующими определениями по ГОСТ 15133, ГОСТ 19095; ГОСТ 20003, ГОСТ 20332, ГОСТ 25529, а также, приведенные ниже:

мостовая схема: Двухпутевая схема соединения, содержащая только пары плечей, средние выводы которых являются выводами переменного тока, а наружные выводы с одинаковой поляр­ностью, соединенные вместе, являются выводами постоянного тока;

полупроводниковый модуль (модуль): Совокупность двух или более структур полупроводнико­вых приборов, средств электрического и механического соединений, а также вспомогательных элементов системы охлаждения, при ее наличии, соединенных между собой по определенной схеме в единую конструкцию, которая с точки зрения функционального назначения, технических требо­ваний, испытаний, торговли и эксплуатации рассматривается как отдельное изделие;

беспотенциальный модуль: Модуль с изолированным (беспотенциальным) основанием, служа­щим для отвода тепла и крепления модуля;

потенциальный модуль: Модуль с неизолированным (потенциальным) основанием, служащим для отвода тепла и крепления модуля и являющимся электрическим (силовым) контактом.

3. Классификация

   1. Модули подразделяют на виды:

• МП — модуль потенциальный;

• М — модуль беспотенциальный.

Таблица 1

Таблица 2

Окончание таблицы 2

Максимально допустимый ток определяется:

• для модулей на основе диодов, тиристоров, оптотиристоров, симметричных тиристоров, симметричных оптотиристоров — максимально допустимым средним прямым током либо макси­мально допустимым средним током в открытом состоянии, либо максимально допустимым дейст­вующим током в открытом состоянии;

• для модулей на основе запираемых тиристоров — максимально допустимым повторяющимся импульсным запираемым током;

• для модулей на основе биполярных транзисторов — максимально допустимым постоянным током коллектора, а для полевых транзисторов — током стока;

• для модулей со схемой однофазных и трехфазных мостов — максимально допустимым сред­ним значением выпрямленного тока;

• для модулей со встречно-параллельной схемой соединения — максимально допустимым эф­фективным током нагрузки.

• модули на основе диодов — по значениям повторяющегося импульсного обратного напря­жения;

• модули на основе тиристоров (в том числе запираемых), непроводящих в обратном направ­лении, — по значениям повторяющегося импульсного обратного напряжения и повторяющегося импульсного напряжения в закрытом состоянии;

• модули на основе тиристоров (в том числе запираемых), проводящих в обратном направле­нии, — по значениям повторяющегося импульсного напряжения в закрытом состоянии (для сим­метричных тиристоров — по значениям напряжений для обоих направлений);

• модули на основе биполярных транзисторов — по максимально допустимому напряжению коллектор — эмиттер;

• модули на основе полевых транзисторов — по максимально допустимому напряжению сток — исток.