ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ
СОЮЗА ССР
КОНТРОЛЬ НЕРАЗРУШАЮЩИЙ
МЕТОДЫ РАДИОВОЛНОВОГО ВИДА
ОБЩИЕ ТРЕБОВАНИЯ
ГОСТ 23480—79
Издание официальное
Цена j коп.
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР ПО СТАНДАРТАМ
Москва
У
Группа Т59
ДК 620.179.1.082 : 006.354ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮЗА ССР
К
ГОСТ
23480-79*
Non-destructive testing.
Radio wave methods.
General requirements
Постановлением Государственного комитета СССР по стандартам от 7 февраля 1979 г. № 485 срок введения установлен
с 01.01,80
Проверен в 1984 г. Постановлением Госстандарта от 22.08.84 № 2945 срок действия продлен до 01.01.90
Несоблюдение стандарта преследуется по закону
Настоящий стандарт распространяется на сверхвысокочастотные (далее СВЧ) методы радиоволнового вида неразрушающего контроля и устанавливает область применения, общие требования к аппаратуре и контрольным образцам, порядку подготовки и проведению контроля, оформлению результатов и требования безопасности.
Термины, применяемые в настоящем стандарте, и их пояснения приведены в справочном приложении 1.
(Измененная редакция, Изм. № 1). ✓
ОСНОВНЫЕ ПОЛОЖЕНИЯ И ОБЛАСТЬ ПРИМЕНЕНИЯ
СВЧ-методы основаны на взаимодействии электромагнитного поля в диапазоне длин волн от 1 до 100 мм с объектом контроля, преобразовании параметров поля в параметры электрического сигнала и передаче на регистрирующий прибор или средства обработки информации.
По первичному информативному параметру различают следующие СВЧ-методы: амплитудный, фазовый, амплитудно-фазовый, геометрический, временной, спектральный, поляризационный, голографический.
Области применения СВЧ-методов радиоволнового вида неразрушающего контроля приведены в табл. 1.
Издание официальное Перепечатка воспрещена
★
* Переиздание (ноябрь 1984 г.) с Изменением № 1,
утвержденным в августе 1984 г. (ИУС 12—84).
© Издательство стандартов, 1985
Таблица 1
|
Название метода |
Область применения |
Факторы, ограничивающие область применения |
Контролируемые параметры |
Чувствительность |
Погрешность |
|
Амплитудный |
Толщиномет- рия полуфабрикатов, изделий из радиопрозрачных материалов |
Сложная конфигурация. Изменение зазора между антенной преобразователя и поверхностью объекта контроля |
Толщина до 100 мм |
1—3 мм |
5% |
|
Дефектоскопия полуфабрикатов, изделий из радиопрозрачных материалов |
Дефекты: трещины, расслоения, включения, недоп- рессовки |
Трещины более 0.1Х1Х XI ММ |
— |
||
|
Фазовый |
Трлщиномет- рия листовых материалов и полуфабрикатов, слоистых изделий и конструкций из диэлектрика |
Волнистость профиля или поверхности объекта контроля при шаге менее 10 L. Отстройка от влияния амплитуды сигнала |
Толщина до 0,5 X s |
5-10~3 мм |
1% |
|
Контроль «электрической» (фазовой) толщины |
Толщцна до 0,5 X е |
0.1° |
1° |
||
|
Амплитудно- фазовый |
Толщиномет- рия материалов, полуфабрикатов, изделий и конструкций из диэлектриков, контроль изменений толщины |
Неоднозначность отсчета при изменениях толщины более Q,5Ae , Изменение диэлектрических свойств материала объектов контроля величиной более 2%. Толщина более 50 мм |
Толщина 0—50 мм |
0,05 мм |
±0,1 мм |
Продолжение табл. 1
|
Название метода |
Область применения |
Факторы, ограничивающие область применения |
Контролируемые параметры |
Чувствительность |
Погрешность |
|
Амплитудно- фазовый |
Дефектоскопия слоистых материалов и изделий из диэлектрика и полупроводника толщиной до 50 мм |
Изменение зазора между антенной преобразователя и поверхностью объекта контроля |
Расслоения, включения, трещины, изменения плотности неравномерное распределение составных компонентов |
Включения порядка O.OSAg . Трещины с раскрывом порядка 0,05 мм. Разноплот- ность по-. рядка 0,06 г/см3 |
|
|
Геометрический |
Толщиномет- рия изделий и конструкций из диэлектриков: контроль абсолютных значений толщины, остаточной толщины |
Сложная конфигурация объектов контроля; непа- раллельность поверхностей. Толщина более 500' мм |
Толщина 0—500 мм |
1,0 мм |
3-5% |
|
Дефектоскопия полуфабрикатов и изделий: контроль раковин, расслоений, инородных включений в изделиях из диэлектрических материалов |
Сложная конфигурация объектов контроля |
Определение глубины залегания дефектов в пределах до 500 мм |
1,0 мм |
3-5% |
|
|
Временной |
Толщиномет- эия конструкций и сред, являющихся диэлектриками |
Наличие «мертвой» зоны. Наносе- кундная техника. Приме- |
Толщина более 500 мм |
5—10 мм |
5% |
|
Дефектоско- шя сред из диэлектриков |
некие генераторов мощностью более ІОО мВт |
Определение глубины залегания дефектов в предетах выше 500 мм |
5—10 мм |
5% |
|
Название метода |
Область применения |
Факторы, ограничивающие область применения |
Контролируемые параметры |
Чувствительность |
Погрешность |
|
Спек тральный |
Дефектоскопия полуфабрикатов и изделий из радиопрозрачных материалов |
Стабильность частоты генератора более 1О’~6. Наличие источника магнитного поля. Сложность создания чувствительного тракта преобразователя в диапазоне перестройки частоты более 10% |
Изменения в структуре и физико-химических свойствах материалов объектов контроля, включения |
Микродефекты и микронеоднородности значительно меньшие рабочей длины волны |
|
|
Поляризационный |
Дефектоскопия полуфабрикатов, изделий и конструкций из диэлектрических материалов |
Сложная конфигурация. Толщина более 100 мм |
Дефекты структуры и технологии, вызывающие анизотропию свойств материалов (анизотропия, механические и термические напряжения, технологические нарушения упорядоченности структуры) |
Дефекты площадью более 0,5—1,0 см2 |
|
|
Голографический |
Дефектоскопия полуфабрикатов, изделий и конструкций из диэлектрических и полупроводниковых материалов с созданием видимого (объемного) изображения |
Стабильность частоты генератора более І О-6. Сложность создания опорного пучка или поля с равномерными амплитудно-фазовыми характеристиками. |
Включения, расслоения, разнотолщин- ность, изменения формы объектов |
Трещины с раскрывом 0,0'5 мм |
|
Продолжение табл, t
|
Название метода |
Область применения |
Факторы, ограничивающие область применения |
ч Контролируемые параметры |
Чувствительность |
Погрешность |
|
|
|
Сложность И высокая стоимость аппаратуры |
|
|
|
Примечание. ХЕ — длина волны, в контролируемом объекте;
L — размер раскрыва антенны в направлении волнистости
'1.4. Необходимым условием применения СВЧ-методов является соблюдение следующих требований:
отношение наименьшего размера (кроме толщины) контролируемого объекта к наибольшему размеру раскрыва антенны преобразователя должно быть не менее единицы;
наименьший размер минимально выявляемых дефектов должен не менее чем в три раза превышать величину шероховатости поверхности контролируемых объектов;
резонансные частоты спектра отраженного (рассеянного) излучения или напряженности магнитных полей материалов объекта и дефекта должны иметь различие, определяемое выбором конкретных типов регистрирующих устройств.
Варианты схем расположения антенн преобразователя по отношению к объекту контроля приведены в табл. 2.
Таблица 2
С
Возможный метод
контроля
Примечание
хема расположения антенн преобразователя|
А мплитудный, спектральный, поляризационный Схема расположения антенн преобразователя |
Возможный метод контроля ■ |
Примечание |
||||||
|
у |
|
Z >— |
|
А |
Фазовый, амплитуднофазовый, временной спектральный |
■— |
||
|
|
|
|
2 3 |
|
Амплитудный, геометрический, спектральный, поляризационный |
— |
|
|
1 |
|
|
2 |
j Ў |
|
Фазовый, амвлитудно- фазовый, геометриче ский, временной, спектральный |
. — |
|
|
1 |
|
1 [ІГ |
|
|
Амплитудный, спектральный, поляризационный |
|
|
1 |
f ♦ н t |
2 |
НІН YW |
J |
|
Амплитудный, поляризационный, голографический |
В качестве приемной используется многоэлементная антенна |
|
Схема расположения антенн преобразователя |
Возможный метод контроля |
Примечание |
|
4 2 5 J / |
Амплитудный, голографический |
В качестве приемной используется многоэлементная антенна |
Продолжение табл. 2
Амплитудный, амплитудно-фазовый временной, поляризационный
Амплитудный, фазовый, амплитудно-фазовый, спектральный
Амплитудно-фазовый, спектральный
Функции передающей (излучающей) и приемной антенн совмещены в одной антенне
Амплитудно-фазовый спектральный »
В качестве приемно-передающих антенн используются две одинаковые антенны
|
Схема расположения антенн преобразователя |
Возможный метод контроля |
Примечание |
|
. 3 / XX |
Амплитудный, амплитудно-фазовый, геометрический, временной, поляризационный |
— |
В
Амплитудный, графический
голо-
качестве при-Обозначения:
—
— нагрузка;
антенна преобразователя;1 — СВЧ-генератор; 2 — объект контроля; 3 — СВЧ-приемник; 4 — линза для создания (квази) плоского фронта волны; 5 — линза для формирования радиоизображения; 6 опорное (эталонное) плечо мостовых схем.
Примечание. Допускается применение комбинаций схем расположения антенн преобразователя по отношению к объекту контроля.
АППАРАТУРА И КОНТРОЛЬНЫЕ ОБРАЗЦЫ
Аппаратура должна разрабатываться и изготавливаться в соответствии с требованиями ГОСТ 26170—84.
Основными характеристиками аппаратуры радиоволнового вида и контроля должны быть:
чувствительность;
основная и дополнительная (ые) погрешности;
рабочий диапазон длин волн (частот) и (или) напряженностей поля;
диапазон контролируемых толщин;
скорость контроля.
Величины погрешности аппаратуры должны определяться . по стандартам и техническим условиям на конкретные типы аппаратуры, а виды нормируемых характеристик средств измерений должны соответствовать ГОСТ 8.009—72.
(Измененная редакция, Изм. № 1).
Аппаратура должна строиться по принципу унификации и агрегатирования основных входящих в нее блоков, габаритные размеры которых должны соответствовать ГОСТ 20504—81.
