---

УДК 621.382.3.083.8:006.354 Группа Э29

Г

ГОСТ
18604.7-74

Взамен
ГОСТ 10870—68

ОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮЗА ССР

ТРАНЗИСТОРЫ

Метод измерения коэффициента
передачи тока

Transistors. Method for measuring
current transfer coefficient

Постановлением Государственного комитета стандартов Совета Министров СССР от 14 июня 1974 г. Ns 1478 срок введения установлен

с 01.01.76

Проверен в 1984 г. Постановлением Госстандарта от 29.01.85 № 184 срок дей­ствия продлен

до 01.01.^?

Несоблюдение стандарта преследуется по закону

Настоящий стандарт распространяется на биполярные тран­зисторы малой мощности и устанавливает метод измерения коэф­фициента передачи тока /г_21й (отношение изменения выходного то­ка к вызвавшему его изменению входного тока в режиме корот­кого замыкания выходной цепи по переменному току).

Общие условия при измерении коэффициента передачи тока должны соответствовать требованиям ГОСТ 18604.0—83.

1. АППАРАТУРА

   1. Измерительные установки, в которых используются стре­лочные приборы, должны обеспечивать измерение с .основной по­грешностью в пределах ±5% от конечного значения рабочей ча­сти шкалы и в пределах ±10 % в начале рабочей части шкалы.

Для измерительных установок с цифровым отсчетом основная погрешность измерения должна быть в пределах ±5% от измеряе­мого значения ±1 знак младшего разряда дискретного отсчета.

Издание официальное

Перепечатка воспрещена

Переиздание. Декабрь 1985 г.

мого транзистора, а также внутренними и внешними наводками в схеме при отсутствии измеряемого сигнала, должны быть не более 2°/о шкалы.

Примечание. Верхняя граница частотного диапазона измерения для транзисторов с частотой (f _а )^5СЮ кГц должка быть не более ЧЮОО Гц.

В приложении к данному стандарту представлены примеры ре­комендуемых специальных схем подключения транзисторов для защиты от паразитных автоколебаний.

2. ПОДГОТОВКА К ИЗМЕРЕНИЮ

   1. Структурная электрическая схема для измерения hi_e дол­жна соответствовать указанной на чертеже.

   2. Основные элементы, входящие в схему, должны соответст­вовать требованиям, указанным ниже.

      1. Значение входного сопротивления прибора ЭИН должно превышать значение сопротивления резистора R_bне менее чем в 100 раз.

      2. Напряжения источников питания транзистора Ue и Uc обеспечивают режим испытываемого транзистора по постоянному току при измерении.

Значение сопротивления R_e (резистора или внутреннего сопро­тивления источника постоянного тока) выбирают из соотношения /?_в>100[^(1+/г_21ЙЯ11п)+60 Ом], где Лаібтіп—минимальное значение коэффициента передачи тока в схеме с общей базой на низкой частоте, соответст­вующее выбранному пределу измерения на шкале ЭИН.Постоянное напряжение на коллекторе Uс задают от источника

питания коллектора с внутренним сопротивлением, значение кото­рого ДОЛЖНО быть не более .

j U „ —напряжение источника питания эмиттера; У? —резистор в

С Є

цепи эмиттера; ИП1, ИП2—измерители постоянного тока; /?р—-резне-

_!

тор в цепи, генератора; С_г—разделительный конденсатор; R ка­либровочный резистор; ЭИН—электронный измеритель напряжения; В—переключатель схемы; R _в—резистор в цепи базы; С_св—конден­сатор, обеспечивающий короткое замыкание в выходной цепи;

t ИПЗ—измеритель постоянного напряжения; U q —напряжение источ-

I ника питания коллектора; Г—генератор низкочастотного электричес-

I кого сигнала.

t 2.2.3. Значение емкости конденсатора С_сь , предназначенного I для обеспечения короткого замыкания по переменному току на £ выходе транзистора, выбирают из соотношения р- I 1

I .[Ом]

^шСсЬ _mi_n

где (о — угловая частота измерения;

г Л_22йт1п —минимальное значение выходной проводимости в схеме с - общей базой указывают в технической документации на

- конкретный тип транзистора.

f 2.2.4. Резистор R_b должен обеспечивать заданную точность из- ; - мерения и значение его сопротивления удовлетворять соотноше­ниям

o,o5t/_c>-_r- "aiemin-r¹

L ioc/i_226mln >[^к°м]

где I_Е— постоянный ток эмиттера, мА;

Uс — напряжение питания коллектора, В; с-

Л«г mm — минимальное значение коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером на низкой частоте указывают в стандартах или другой технической документации, утвержденной в установленном порядке, на транзисто­ры конкретных типов.

Значение емкости конденсатора С г выбирают из соотношения

сиСр

2. 5. Резистор должен обеспечивать заданную погрешность измерения и не должен превышать 0,01 Rr.

3. ПРОВЕДЕНИЕ ИЗМЕРЕНИЯ И ОБРАБОТКА РЕЗУЛЬТАТОВ

   2. Измерение величины Л_21в производят следующим образом.

Транзистор включают в измерительную схему и по приборам ИП1 или ИП2 и ИПЗ устанавливают режим по постоянному току (ток 1е или 1с и напряжение Uс).

Перед измерением производят калибровку измерительной уста­новки. Для этого переключатель В устанавливают в положение 1. При этом на калибровочный резистор 7?_к подают напряжение от генератора Г и устанавливают заданный ток эмиттера /_е= контролируемый по падению напряжения U _K на резисторе J? _к • За­тем переключатель В устанавливают в положение 2 и измеряют падение напряжения U_b на резисторе R_b.

14-й — ^l±tl^-_Ub-R_K-

Шкала ЭИН может быть проградуирована непосредственно в значениях параметра 1+h _21е.

Значение h _21е вычисляют по формуле

U_bR_K'•

Допускается измерение тока эмиттера I_е при поддержании пос­тоянным тока базы (U _ь = const) с использованием шкалы ЭИН с прямым отсчетом параметра;ПРИЛОЖЕНИЕ

Справочное

ПРИМЕРЫ СХЕМ ПОДКЛЮЧЕНИЯ ВЧ И СВЧ ТРАНЗИСТОРОВ К СХЕМАМ
ИЗМЕРЕНИЯ КОЭФФИЦИЕНТА ПЕРЕДАЧИ ТОКА h _21е,
ИЗОБРАЖЕННЫМ НА ЧЕРТ. 1—3 НАСТОЯЩЕГО СТАНДАРТА

1. Для измерения параметра h₂i_e в режиме малого сигнала транзисторов навесной конструкции с гибкими выводами, высокочастотные параметры кото­рых удовлетворяют соотношению где f _т —граничная частота коэффициента передачи тока, МГц;

r_b,_bC_c—постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте, пс;

примеры схемы подключения транзисторов приведены на черт, к

Элементы, входящие в схемы на черт. 1, должны соответствовать требова­ниям, указанным ниже.

Uli. Конденсаторы Cl и С2 блокируют выводы транзистора по высокой частоте с целью повышения устойчивости и (избежания паразитного самовоз­буждения. Эти конденсаторы монтируют непосредственно на выводах контакт­ного устройства. Длину соединительных выводов нужно сокращать до мини­мально возможной величины. Рекомендуется применение контактных устройств, в которых номинальные значения емкостей конденсаторов С1 и С2 являются составной частью конструкции и колеблются от 30 до 20000 пФ.

Рекомендуется принимать меры к устранению погрешности измерения за счет падения напряжения на соединительных проводах и контактах путем раз­деления контактов и соединительных проводов на токовые и потенциальные.

'1.3. Принимают меры к уменьшению взаимной индукции между выводами контактного устройствн.

Черт. 2

Уровень ограничения напряжения должен быть в 1,5—2 раза больше, чем прямое падение напряжения на зажимах измеряемого транзистора.

В качестве диодов для схем ограничения применяют кремниевые диоды, а также р—п переходы кремниевых транзисторов.

2. Для транзисторов коаксиальной и полосковой конструкции, электриче­ские параметры которых не удовлетворяют неравенству, приведенному в п. 1 настоящего приложения, схема подключения, рекомендуемая при измерении па­раметра /ї2і_в в режиме малого сигнала должна соответствовать приведенной на черт. 4 приложения.

Элементы, входящие в схему, представленную на черт. 4, должны соответ­ствовать следующим требованиям.

ОН—ограничитель напряжения; СІ, С2, СЗ—проходные кон­денсаторы; RI, R2, R3—нагрузочные резисторы, согласован­ные с линией (активная нагрузка); ЛІ, Л2, ЛЗ—ыжю/лъыь передающие линии; Z_Oi, Z02, Дз—волновые сопротивления ли­ний /71, /72, /73.

Черт. 4

Примечания:

Г. Рекомендуемые значения волновых сопротивлений

Zoi=2O Ом, Z_oa=5O Ом, Zos=5O Ом.

2. Рекомендуется принимать меры к устранению паразитных связей между линиями, подключенными к различным электродам транзистора.

Z_oi, Ri=Zq^,R_s=Z₀₃

Нагрузочные резисторы включают последовательно в цепи выводов транзи­сторов, и в силу малой своей величины они не влияют на результаты измерения параметра h_{2 е} в режиме малого сигнала.

Дополнительным требованием является увеличение уровня ограничения по сравнению со значением уровня ограничения, указанного в п. ІІ.5 приложения, на значение Д17_Е , которое определяется как

Д1/_£ =/р -Ri,

■ «а значение ДС7 _с, которое определяется как

А1/_с=/_с ,

где 1_Е—постоянный ток эмиттера указывают в стандартах или другой техни­ческой документации, утвержденной в установленном порядке, на тран­зисторы конкретных типов.