Страница 6: ОСТ 92-1714-81. Микросборки толстопленочные. Методика учета и планирования выхода годных микросборок (80976)

J£T.92rimrfiI Лист 32

С .

§

г

( 0.С.Толстый ) "IV января 1983г<

:1V

—

—

I

■V

' х V* *•*

■J

”г

Данные о выходе годных толстогглекочных микросборок (пленочная часть)

на la

ции

Наименование

операции

А₃.

шт.

А_и,

ВТ,

Брак, шт.

р,

шт.

V.

шт.

в, Л

Вид технологическ ого брака

«г

Причина брака

,с

П

т

‘і, ’ ¹" •

Приме­чание

Вс о- го

в т.ч.

технол огического

-

прочего

тех

НОЛ,

Ар.

.ЛЗГ-ОТ^-ГтГО прове слоя.. ... ..

30..

29

28

I

I

<-»

зо

29<

Х>.6

7 КЗ в слое !

Высокая вязкость ?

»• AF

•— V

0,34

294(

3

2

Иэгот. 1-го слоя изоляции

I

I

-

—

>6,55 Затекание окон ’

То же?

0,25

27,6

7 7

3

Наращивание КП

28

28

—

*•

—

—

28

100

* 1м. - I

■»

■

■

- ’

0,12

25,С

2 3

4

Язгот, 2-го проз, слоя

28

26

1 -Л г

4

—

2"

30 86,6’

' ' і

■ І

1.04

23.7

9 3

?"ніЗ dt5

5

Кзгрт. . 2-г о. слоя, изоляции

26

22

22

19

4

3

•»

26 8^6!

22 86,3<

' Разрыв лроводнич-а’ ! КЗ в слое !

Низкая вязкость ?

Последствия регенерации?

_₄

0.47

21,91 3 — _u

10,44 3

6

Надшивание КП

3 КЗ в слое !

Несовмещение трафарета!

•»

0і64

--

Изгат., 3-го пров._.слоя

19

17_

2

2

«•

t9 в9,«

■ КЗ в сл ое ?

КЗ ме}вду слоями ?

Высокая вязкость ?

МИРГрк^тнЫе вжирания'?

—

[,15

18,3

0 3

* 4 * ‘

е

Иэгот. 3-го слоя изоляции

V .

V

“< , ■ л

Наращивание КП

•. л*

< у

•

- Л "

го

Изгот. 4-го пров. слоя

*

-Т' - ————

• JP’

П

Иэгот. ’«-го слоя изоляции

f' -

*

^#*^%■*’ >.

. ч *

:г

Наращивание КП

• •

>. . . ц ^J

j* ’

і . ’ «

4^V.

Имот. 5-го пров. слоя

, л_ , ' • " Эі

’• ,'ij

_>J?.— .....

’іі f-

7

Т4

Изгот. слоя защиты

17

16

I

I

—

•■V

17

94,1$ Закрытая КП ?

{«совмещение трафарете ?.

0.53

16,8

7 3

15

Иэгот. маркировочного слоя

16

15

I

j

X,

16 93,

і < То же ?

То жё ?

0,28

15,8

8.5.

16

Наращивание КП

15

15

— L

—

в»

—

15

100

—

0,28

••

15,1

р 3

> •

■ ' '|

-

.....

¹ ■ ... ....

Г;

L* ’ГўГ*-< V»K,' ■ ..“* • Л»-.

■

■ —

ИТОГО по изготовление пленочных элементов (кроме резисторов ) :

30

15

15

•15

•—

2

32 і

6,8!

2 •

¹ ■ • ’ ' • ■

’ J¹.. '■ ^г - лл

2

ИЗГОТ* 7-ГО СЛОЯ—DC3ИСтопои

15

10

5

5.

—

■15;

56, в

к

• А. * ji-

j. _{п п} -'У' .•'*’**.4 ■ —.

.А_'

Р*[кОм/о

Изгот. 2-го слоя резисторов

■ > ■

3

Изрот. 3-го слоя резисторов

- -

_4 ‘ 44

* «

- -

>?* F-' V’

"

- Дч . «л

• ■ ■ л

*4 . /5 ■■—. *•*

* * "^тйЗ

У * . ^А.

—

ИТОГО по изготовлению резисторов:

А!’- ■ — 1 ■ ■■ ■

15

10

5

5

<•

—

15

6Й

L_L——-—- .а. Ц