Истьдахк аитвяия - сеть переменного тока: напряжение, В 380/220
частота. Га * ........ 50'
Потребляемая мощность, кВт 0,7
Габаритные размера, »= ’780x436x14400
Масса, кт 150
Автомат дбреэкж и jssxtobhs выводов микросхем *
< ГП6.П2.Ю5
Предназначен для обрезки з правки выводов ИС в корпусах
201.14-1 и укладка их в технологические кассета ГГ707Э-4226 в ориентированном положении.0?u.6I
Редаяяя І-вО
0СТ4 TO.CS4.264 то .62
Редакция І-8О
Привод
обрез
Предназначен для фо
вки ж
800
выводов ИС в корпусах сету ГГ7079-4077.
хем
т подготовки корпусе 10ІСП4-І
ГГ-2І25
Техническая характеристика
ктромехани-
ческиЯ
переменного то
Источник цнтан ня —
напряженке, В частоте., Гц
ость, кВт
220
50
0,1 335x205x205
Потребляемая Габа
Установка для подготовки к сборке
микросхем в круглых корпусах
ГТ-2122
Предназначена для формовки и обрезки выводов ИС в корпусах
301.12-1, ЗСІ.З-І и 301.8-2.
Стр.64
Редакция 1-60
Техническая характеристика
Производительность, шт./я . . , 200
Никл работы, с ................ 2*0,2
Размеры формовки выводов по квадрату, ш . . . 7,5x7,5;
10x10, Высота обрезки, мм 5,4; 5,9; 6,4
Шаг между выводами, мм ............ 2,5+0,2
Привод злектромеханв-
ческий
Источник питания - сеть переменного тока: напряжение, В 220
частота, Гц 50
Потребляемая мощность, кВт . . 0,18
Габаритные размеры, ш ...... ....... 450x406x335
Масса, кг 21,2 ,
Установка для рихтовки и обрезки выводов
транзисторов
ГТ-2293 ♦
Предназначена для рихтовки и обрезки выводов транзисторов.
Перестройка с одного типоразмера на другой обеспечивается
сменой инструмента.
4
Техническая характеристика
Производительность, вт./ч 300
Дива выводов транзисторов ИЛ42, МП4І6 после обрезки, ш 28
Привод адектромагнитннй
Источник питания - сеть переменного тока: напряжение, В 220
частота, Пх 50
Потребляемая мощность, Вт .......... . 80
Габаритнеє размеры, ш . . . . 295x215x275
■веса, кг . . 18,6Редакція І-вО
Устройство для обревкж вывалов микросхем
ГГ-2488
і
Предназначено для оодрезкж выводов ИС ж мккросборок в корпусах "Акция", І5І.І5-2. І5І.І5-3, І5І.І5-4, І5І.І5-6, 151.15-6, І5І.І5-І, 153 .15-1, І55.ІБ-І, 209.24-1, 244.48-1. 155.36-1.
Устройство хтаж» может быть использовано для подрезки выводов ИС в корпусах аналогичнжтипов (оо сменой инструмента).
Производительность, ит./ч .... .. ...... 400
Длина выводов после обрезки, ш . . . 1.9; 2,4;
2,9; 3,4;
Л- Г 3.9; 4,4
Источнжк пжтания - сеть аэршеияого тодо: ■
• напряжеяжа, . і ....... . 220 . ■'0СТ4 ГО.054.264
Редакция 1-80
частота, Гц. 50
Потребляемая мощность,. Вт .......... . 20
Габаритные размер!, мм 228x225x165
Масса, кг . . . 6,4 ,
Устройство для подрезки выводов
микросхем
ІТ-І939
Предназначено для подрезки выводов ИС в корпусах "Тропа'', "Посол", 201.14-1, 151.15-1 - 751.15-6. Устройство также макет быть использовано для обрезки выводов ИС в корпусах аналогичных типов (с доработкой рабочего инструмента). Совместно с устройством применяются в качестве рабочего инструмента приспособления для подрезки выводов плоских микромодулей, реле типов РЭС-42Т, РЭС-43Т и РЭС-44Т, контура СБ-9А я трансформаторов - ІГ7Б49-400І,
ОСТА ГО.064.264 0тр.68
Редакция 1-80
Технт аская характеристика
Производительность, ит./ч 400
Длина выводов после обрезхж, мм 2,5; 3,0;
3,5; 4,0
Ноп для обрезхж выводов . сменные
Источник питания - сеть переменного тока:
напряжение, В .......... 220
частота, Гц . 50
Потребляемая мощность, Вт . 20
Габаритные размеры, ми 200x250x165
Масса, кг . 5,4
УстроЖство формовки выводов радиоэлементов
с самозакрепляхщимся зитом
ТПВ.ІІ2.00І
Предназначено для формовки о самоэахрепляшимся зкгом ("зиг-замком") и обрезки выводов ЭРЭ, имеющих цилиндрическую
Техническая хврнхтермотпа
Производительность, ит./ч: загрузка жз ленте ............. 4800
загрузка вручную . . .". . . . 3600
Источник питания - сеть переменного тока: напряжение, В . 380/220
частота, Гц SO
Потребляемая мощность, кВт . 0,2
Габаритные размеры, ш 400x3501500
Масса, кг % . 20
Устройство для формовки ж обрезкж
выводов микросхем в корпусе 40111015
ІТ-Г77О
Предназначено для формовки ж обрезкж выводов микросхем в корпусах 301.12-1, 301.8-1, 301Л-2. .
Стр.70
Редакция 1-80
Техяичесдая характеристика
Производительность, вт./я 120
Формовка выводов по квадрату, ии 7,5x7,5;
10x10
Шаг между выводами, ж 2,5+0,2
Приводы формовки и обрезки ..... ручные
Габаритные размеры, мм 180x154x165
Масса, кг 8,3
Приспособление для распаковки микросхем
ГГ7079-4247
Предназначено для извлечения ИС в корпусах 401.14-3 в 401.14-4 из однодетальной (ОХ® .870.056) или двухдетальной (ШЯЦЦ4.ІІ8.026) тары-спутника и укладки их в кассету ГГ7879-4223. Загрузка ИС, уп. кованных в тару-спутник, в приспособление^ производится вручную поштучно.
Редакция 1-80
Техническая характеристика
Производительность, ит./ч . . 120
Привод ручной
Габаритные размеры, ш . . 230x215x335
Масса, кг . 6,5
Устройство для формовка выводов
радиоэлементов ГШ5І-40С4
Предназначено дхя формовка осевых проволочных выводов ЭРЗ типов ШТ, ИТ на различные установочные размеры.
Перестройка с одного установочного размера на другой обеспечивается сменой инструмента.
Управление приводом осуществляется с помощью .кнопка.
О
Стр.72
СТА ГО .054.264Редакция 1-80
Техническая характеристика
Производите льяость» шт./ч ТОО
Привод • •••••*•• электромагаит-
ный
Габаритные размеры, ш ••••••••*.«•• 320x240x255
Масса, кг ^»0Редажнжя І-ЭС
*. ’ ЮТЛОІЕНЙЕ ♦
Рекомендуемое
Атеспжя ГГАЖОВ «0РМСЕКИ И 0БР22ВГ ВНеШ® .WHEXEM ПО РЖЛНПЕАЕОМ ЛЖИЯЯ
ЗАЗНАЧЕННІ
» Аттестация проводится J ідальо определения веди ЧИ Eli рЭСТЯГЕ- вагеих усилий, вознихаших в выводах 2С в корпусах 4СІ.В-3» 4ОІД4-4 і 40І.Х4-5 в местах выхода же корцуса нгя фориозхе и обрезке заводов/ 1
г» ЙЗГОТ
: 0WA3HA МИКРОСХЕМЫ
2-І. Обезжирить корпус ЙС погрулениеш > емкость с зтнложк с^дртсм на I ®гн ж выдержать на воздухе в течение 15 мкн.
Нанести с поюжь» иглы на дно корпуса Ж с внутренней сторона тошенй слой к.тея Ш-2 ( 1-2 хапан ) ж на держать ва во здухе в теченжв 15 мкя* К1де2 наносить только на металлическое дно корпуса к..; -X. -•...■.
' 2.3. Псшестять корпус ИС с яянесснннм слоем клея в с^зяхытл акаф и орожввеоти' сужу к отверждение клея по следущеиу режиму:
довести температуру в суяилънои шкафу до 70^ ж выдержать при этой температуре в течение I ч: >•
г *
повысить температуру в сучильном шкафу до 140°3 и выдержать орг этой температуре в течение З я ( скорост! повышения температуры должна быть хЯс в минуту - . і '.
(?) Нов. <Г 6906
ОСТ 4Г 0.054.264 . e
Стр.72б 1
Редасшя І-Є С /
после окончания цикла сушки и отверждения клея корпус Ю дсвеств до температуры окружавшей среды, we вынимая кв сушильного СІСЗфЗ.
Отрезать полоску кальки шириной 5 км и длиной 20 кк*
Нанести один слой клея БФ-2 на отрезанную полоску кальки з месте приклейки, установить ее вдоль корпуса ИС со стороны крьтки ( черт. I ), прижать на 1-2 с и выверить на воздухе в течение 1$ кив.
1-^1
I - корпус ИС; ’ 2 - полоска кальки
Черт. J
Поместить тензометр под микроскоп МБС-9 и с помощью иглы отогнуть выводы тензометра < черт* 2 ).
Примечание. Тензометрі следует брать пинцетом за выводы. • » ’ * . . I ■ ' ' •OCT <
Стр.72> Режакхде 1-450
I * кристалл тензометра; 2 - выводы теньокетра v Черт. 2
Установить корпус КС с при клеен ней полоско! кальо.под мікроскоп. Установить тензометр на корпус ИС, так чтобы выводы его были направлены вдоль полосы малыш. а кристалл тензометра выступал за краї калька на 2,5 - 3 мм. нанести кдеЛ БФ-2 на выводы тензометра ( черт. 3 ) ■ выдержать на воздухе в течение 15 мів.
Приклеїть тензометр ко дну корпуса ИС ( черт. 4 ), для чего выводить следуомее:
установіть пол микроскоп корпус ИС с приклеенным за выводы тензометром; /-'7 7 7 • ' ■
отогнуть с помолы» иглы выводы тензометра так. чтобы кристалл
• , * ■ ' ' Г' ' ■ ~ ■
тензометра располагался параллельно плоскости дна кЬрпуса ИС;
сориентировать кристалл тензометра вдоль средней пары выводов, расположенно! на одної осн корпуса ИС;
* ■ ■ ' - • ’ - • • ■ . - • • • г 7л ■ ■
• • ' ■■ • ‘ ” .•>: <• • . '*'* *’ ’ .-
'■ • ■ ’ ' г • • V :V < :
’© Вп».4Г «Юб ' Л . лг ■ . 'ОСТ 4Г 0.054,264
Редашжя 1-80
I - корпус ИС; 2 - тензометр
I - корпус ИС; 2 - тензометр; 3 - полоска кальки
•' Черт 4 4
••.••■'.' - у.;.; '";г> . ■ * » . ' V ' ■ •’ 'V " ’ -Ч " - ■
(а)..,,а»-., 4Г;6Х6 :
• ■/ < ОСТ 4Г 0.054.2f4
• Стр.72д
Редакция X-QO
пряжать кристалл тензометра ко дну корпуса ИС, эбеспечтг его ' плотное прилегание ко дну кожуса ИС по всей длине;
нанести на кристалл тензометра, не допуская его смещения, каплю клея 55W я выдержать на воздухе в течение 15 кин.
Отрезать подоску кальки шириной 5 мм и длиной 15 «к.
Нанести слой клея БФ-2 на одну из сторон пол ос кг. кальке, ] Установить полоску кальки на корпус ИС с приклееннымч 'ензометрок, располагая ее таким образом, чтобы дно корпуса ИС с тензометром и выводы тензометра были закрыты (ск.черт.4), в выдержать на воздухе в течение 15 ГИБ. .
Произвести1сукну и отверждение клея в готовом образце ’ ИС по режимам', указанным в п. 2,3.
у ’ 3. ИЗМЕРЕНИЕ РАСТЯГИВАЩИХ УСИЕКИ
ЭЛ. Соединить измерительные приборы по электрической схеме соединений’ ( черт. 5 ) в соответствии с техническими описаннями ж : инструкциями по эксшсуатации приборов . .
3.2. Паять выводы тензометра в соответствии со схемой >
?( СМ. черт. 5 ■■•'••••л4*';’ "'.Д:-- -■'■J
. . •*' - * ■ ,г ’ • ' У . .
; 3.3. Включить приборы в электрическую сеть напряжением 220 В и частотой 50 Гц и прогреть кх в течение 20 мин. . J і
* - 3.4. Образец ИС с двух сторон закрепить sa выводы в зажимах
приспособления для тарирования ( черт. 6 .
3*5. Произвести тренировку тензометра, для чего произвести 2-3 дикл& нагрузки и разгрузки его с помощью гирь, ■ подвешивавмыз к нижнему зажиму приспособления для тарирования.
7--.' : ’Ї ’ • ' •' ‘9069 Л*«0Я (?)
hJ
«4
WtWO А
PR " иагааин сопротівлвмі Р 3271 R - твнвоиетр тип* КТ1 24, ІТД 2Б, ГГЭ 24, ІТЭ ffi| G dio« патанмя В 5H7j 4 - тви»оуои«твж» "Топм-Э", Р - о»агоа/ч«»о< осцвмвгрвф В І2| Черг. 3
Стр.ТЗх
ЯешШЗ 1-80
■ ** иівтжві 2 — зажмк верхпв; 3 - образец ИС с тензоиетвок;
. Ь - з ахи к вижяхЯ; 5 — гжрж
Черт* б
' . ■ *
4 « ф Вов. <Г 69О6
, —■ с.,’--- . . ‘ • .
л. . •• • ч •
ОСТ 4Г Є
Стр.723 • - .
Редакция 1-00 ■ . .. ' . , *
• . 1
Произвести запись тарирования образца МС в следующей последовательности: ' ♦
I * •
установить мост тензоусиителя "Топаэ-Т* на Т" в соответствии с инструкцией по эксплуатации;