Приборы полупроводниковые. Микросхемы интегральные. Часть 2. Цифровые интегральные схемы

статическом режиме) . . . . . . . ... .89

9. Мощность или ток потребления от каждого источника питания (в динамическом режиме) . . 89

10. Конструктивные данные< характеристики и другие данные . . 90

11. Дополнительные сведения . . .90

    1. Нагрузочная способность по выходу . . . . . .90

    2. Помехоустойчивость . . . ... . . .90

    3. Соединения однотипных схем 90

    4. Тип схемы на выходе . . . 90

    5. Соединения со схемами других типов .90

12. Меры предосторожности 90

2. Постоянные запоминающие устройства, программируемые пользователем. 90

1. Обозначение и описание схемы . 90

2. Функциональное назначение . . . . . . . . .90

   1. Блок-схема . . .90

Обозначение выводов . ... 912,3. Описание функции

Предельно допустимые значения параметров . . .

Режим считывания .

92

92

5. Режим программирования

   1. Процедура программирования

   2. Рекомендуемые режимы программирования

   3. Временные параметры

8. Режим стирания (если применяется) . .

6.1. Запоминающие устройства с электрическим стиранием

6.2. Запоминающие устройства со стиранием информации

информации

ультра^

ио-

93

93

95

летовым излучением .

7. Количество циклов программирование-стирание

8. Сведения о сохранении информации

9. Мощность или ток потребления от каждого источника

питания

статическом режиме) . .

10. Мощность или ток потребления от каждого источника питания динамическом режиме) . . .

11. Конструктивные данные, характеристики и другие данные

12. Дополнительные сведения ........

13. Меры предосторожности

(в

Раздел III. Микропроцессорные интегральные схемы

1. Обозначение и описание схемы

   4. Электрическая совместимость

2. Функциональное назначение

   4. Блок-схема ...

2.2. Описание функции

Предельно допустимые значения параметров .

Рекомендуемые рабочие условия (в заданном диапазоне рабочих ператур) . . ... . . .

тем

96

96

96

96

97

97

97

97

97

98

98

98

99

99

99

100

100

101

101

последовательностей

5. Электрические характеристики

   1. Статические характеристики

   2. Динамические характеристики ...

6. Конструктивные параметры, характеристики и другие данные .

7. Дополнительные данные . . .. .

   1. Нагрузочная способность по выходу . . .

7J2. Помехоустойчивость

7. 3. Данные о применении . . . . . .

   4. Другие данные . . . . . . . ' .

8. Меры предосторожности . . . . • •

. 101

101

101

101

101

' 101

101

. 102

102

102

103

104

104

* 104

104

105

105 . 105

ГЛАВА IV. МЕТОДЫ ИЗМЕРЕНИЙ . . . . . .105

Раздел I. Общие положения . . . . 105

А

1. Основные требования ... . . . , . . . 105

2. Специальные требования . . . . . .* . .105

   1. Общие требования к измерению статических и динамических ха­рактеристик ' . . . . . .105

   2. Заданные условия для статических характеристик . 106

   3. Заданные условия для динамических характеристик . ’ 107

3. Таблица применения методов измерений -■ . . . ' . .106

Раздел II. Методы измерений статических характеристик . .106

1. Выходные напряжения высокого и низкого уровней (Уон и Vol) (37). 106

2. Входные токи высокого и низкого уровней (/ін и /il) (38) . .110

3. Ток короткого замыкания на выходе /os (40) Ill

4. Ток потребления в статическом режиме . , 112

5. Пороговые напряжения (на входе) и напряжение гистерезиса (48) . 113

Раздел III. Методы измерения динамических характеристик . 116

1. Общий ток потребления в динамическом режиме (1) . . .116

2. Мощность, потребляемая по цепи синхронизации (2) . .117

3. Входное и выходное полные сопротивления (6), (11) . . . . .119

   1. Измерение по току: входная и выходная емкости в режиме боль­шого сигнала (6) , . . . . .119

   2. Измерение по напряжению (эквивалентные входная-и выходная ем­кости, эквивалентные входное и выходное сопротивления) (11) . • 121

4. Время, характеризующее схему . . . . .... 125

   1. Время задержки переключения (3), (7) . .* , . . , 125

   2. Время задержки и время перехода (4), (5) . -. .129

   3. Время установления (8) и время удержания (9) . . . , 132

   4. Время обращения (36) ... . . . 135

   5. Время разрешения и время запрещения на выходе. (для выходов с тремя состояниями) (49) . . . . . . .137

   6. Временные параметры, характеризующие интегральные схемы за­поминающих устройств (50) — (54) . . , . . . 140

5. Частота переключения последовательностной схемы (10) . . .145

ГЛАВА V. ПРИЕМКА И НАДЕЖНОСТЬ . . . . . ,147

Раздел I. Электрические испытания на срок службы . . . 147

1. Общие требования . . . . . , . ... . 147

2. Специальные требования . . . ... . . . .147

Таблица II . . . . . . . " . . . . . ' . 148

Информационные данные . Л151Редактор В. М. Лысенкина
Технический редактор В. Н. Прусакова

Корректор И. Л. Асауленко

Сдано в набор 14.11.91 Подп. в печ. 21.01.92 Усл. печ. л. 9,75. Усл. кр.-отт. 9,88. Уч.-нзд»
л. 10,55. Тир. 1100 экз. Цена 72 р. 50 к.
* ■■■— ■ — — ■ - -_г-г- -1! _гг-в—!-/.!-!■ - Т

Ордена «Знак Почета» Издательство стандартов, 123.557, Москва, ГСП
Новопресненский пер., 3.

Калужская типография стандартов, ул. Московская, 255. Зак, 2234* Индексы D и Е не используются при обозначении времени перехода, в том числе времени нарастания и спада.

* Индекс F только в том случае, если он несет существенную информацию.

Типовое динамическое запоминающее устройство с произвольной выборкой.
Цикл записи:

1 Индекс F только в том случае, если он несет существенную информацию»

2он несет существенную информации^

3 Индексы D и Е не используют при обозначении времени перехода, в том

числе времени нарастания и спада. Примечания: 1. RAS — строб адреса строки;

2. CAS — строб адреса столбца;

3. СА — адрес столбца;

4. RA — адрес строки (прим, переводчика).