Перейти до вмісту
ДНАОП — нормативні документи з охорони праці
ГОСТ 21616-91
/ 8

± 5 млн-1 » » » 400°С » ;

±10 млн-1 » » выше 400°С.

Погрешность измерения выходных сигналов тензорезисторов не должна выходить за пределы ±5 мкОм/Ом.

  1. Тензорезисторы устанавливают на балку по п. 4.4.2.

Влияние дрейфа следует исключать введением поправки или методом схемной компенсации (с использованием компенсацион­ных тензорезисторов, устанавливаемых на отдельные образцы, или попарным объединением в полумосты тензорезисторов, располо­женных на противоположных сторонах балки) или другим спо­собом.

    1. Балку с тензорезисторами нагревают до максимальной температуры за время, установленное в ТУ.

    2. Выполняют операции по пп. 4.1111.3—4.І1І1.5.

  2. Определение воспроизводимости началь­ного сопротивления

    1. При определении воспроизводимости начального сопро­тивления по п. 7.1 табл. 1 тензорезисторы должны быть установ­лены на образец по п. 4.8.1. Требования к измерению выходных сигналов должны соответствовать п. 4.8.2.

    2. Образец с установленными тензорезисторами нагревают со скоростью, указанной в ТУ, от температуры ^н=(23±10)сС до максимальной температуры, выдерживают при этой температуре в течение 1 ч и охлаждают до начальной температуры ta.

    3. Для каждого тензорезистора воспроизводимость началь­ного сопротивления определяют как значение выходного сигнала при температуре /и после выполнения операций по п. 4.13.2.

    4. По’ полученным для отдельных тензорезисторов данным определяют выборочное среднее значение воспроизводимости на­чального сопротивления и выборочное СКО.

    5. Допускается совмещать определение воспроизводимости начального сопротивления с определением воспроизводимости ТХС по подразд. 4.10 и дрейфа выходного сигнала тензорезистора по подразд. 4.14.

    6. Если в ТУ предусмотрено дополнительное определение воспроизводимости начального сопротивления при нагреве до тем­пературы или (и) при выдержке в течение промежутка времени, отличающихся от указанных в подразд. 4.13, то порядок опреде­ления воспроизводимости начального сопротивления должен соот­ветствовать пп. 4.13.1—4.13.5.

  3. Определение дрейфа выходного сигнала при максимальной температуре

    1. При определении дрейфа выходного сигнала при мак­симальной температуре по п. 8.1 табл. 1 тензорезисторы должны быть установлены на образец по п. 4.8.1. Требования к измерению выходных сигналов должны соответствовать п. 4.8.2.

    2. Образец с установленными тензорезисторами нагревают со скоростью, указанной в ТУ, до максимальной температуры и определяют начальные значения & (0) выходных сигналов тен­зорезисторов.

    3. Затем значения выходных сигналов (ту) определяют по истечении промежутка времени т=1 ч, а также спустя другие промежутки времени, заданные в ТУ.

    4. Для каждого тензорезистора дрейф выходного сигнала за промежуток времени т, рассчитывают по формуле

(И)

По полученным данным рассчитывают выборочные средние значения дрейфа выходного сигнала и выборочное СКО.

    1. Допускается дополнительно определять дрейф выход­ного сигнала при других температурах (отличных от максималь­ной), указанных в ТУ.

    2. Допускается совмещать огаределение дрейфа выходного сигнала с определением воспроизводимости ТХС по подразд. 4.10 и воспроизводимостью начального сопротивления по подразд. 4.13.

  2. Определение сопротивления изоляции в рабочей области значений температуры

    1. При определении сопротивления изоляции по п. 9.1 табл. 1 тензорезисторы должны быть установлены на заземленный металлический образец.

Допускается определять сопротивление изоляции на тензоре- зисторах, прошедших проверку других характеристик.

    1. Для измерения сопротивления изоляции должен быть использован мегомметр постоянного тока с погрешностью измере­ний не более 10% и напряжением питания в измерительной цепи, указанным в ТУ.

    2. Сопротивление изоляции тензорезисторов измеряют при температуре %= (23+;? )°С и максимальной температуре. При из­мерениях отдельные тензорезисторы не должны быть электричес­ки соединены друг с другом. Продолжительность подключения мегомметра перед каждым измерением должна быть не менее 2 мин.

    3. За сопротивление изоляции проверяемой партии тензо- резисторов принимают наименьшее из всех значений, полученных для отдельных тензорезисторов при температуре to и максималь­ной температуре.

  2. О п р е д е л е н и е времени реакции на ступен­чатый входной сигнал деформации

    1. При определении времени реакции на ступенчатый вход­ной сигнал деформации по п. 10.1 табл. 1 тензорезисторы устанав­ливают на стальной образец с выточкой, в котором должна созда­ваться ступенчатая волна деформации, вызванная хрупким раз­рушением образца в месте выточки гари его нагружении статичес­кой деформацией растяжения в нагружающем устройстве по п. 4.16.6.

Допускается использовать образец иной конструкции и соот­ветственно иные способы возбуждения ступенчатой волны дефор­мации в образце при его растяжении в устройстве по п. 4.16.6.

  1. Погрешности измерений не должны выходить за пре­делы:

±20 мкОм/Ом — для определения выходных сигналов тензо­резисторов при статических измерениях;

±0,05 А—для определения выходных сигналов тензорезисто­ров при динамических измерениях, где А — амплитуда выходного ступенчатого сигнала;

±0,2 мкс — для измерения временных интервалов при динами­ческих измерениях.

  1. Главные оси тензорезисторов должны быть направлены параллельно продольной оси образца.

  2. Для исключения влияния изгиба образца тензорёзисто- ры рекомендуется устанавливать на образец попарно: тензорези- сторы, образующие пару, размещают друг напротив друга и вклю­чают в противоположные (активные) плечи измерительного моста. Допускается последовательно соединять тензорезисторы, образую­щие пару, и включать их в одно плечо измерительного моста.

На каждый образец устанавливают три пары тензорезисторов: одну пару — для определения деформации образца в момент разрушения (статические измерения);

две другие пары — для определения времени реакции тензоре­зисторов на ступенчатый входной сигнал (динамические измере­ния).

Для испытаний готовят не менее пяти образцов с тензорезис­торами. Допускается устанавливать на образец одну пару тензо­резисторов для динамических измерений; в этом случае для испы­таний готовят не менее десяти образцов.

Допускается использовать одни и те же тензорезисторы как для статических, так и для динамических измерений.

  1. Пример конструкции образца и рекомендуемые схемы размещения тензорезисторов на образце и включения тензорези­сторов в измерительную цепь при динамических измерениях при­ведены на черт. 1 и 2 приложения 4.

  2. Образец с тензорезисторами устанавливают в нагру­жающее устройство, обеспечивающее нагружение образца дефор­мацией растяжения, и нагружают до тех пор, пока он не разру­шится (разорвется) в месте выточки.

  3. По зарегистрированному выходному сигналу первой па­ры тензорезисторов определяют значение деформации образца в момент его разрыва. Оно должно быть 800—1200 млн-1.По зарегистрированным выходным сигналам двух дру­гих пар тензорезисторов определяют для каждой пары тензоре­зисторов промежуток времени т,г в микросекундах, в течение ко­торого выходной сигнал изменяется от 0,1 А до 0,9 А в соответст­вии с черт. 3 приложения 4.

Промежуток Tri принимают заиремя реакции тензорезистора на входной ступенчатый сигнал деформации.

    1. Выполняют операции по пп. 4.16.6—4.16.8 для осталь­ных образцов.

    2. По данным, полученным по пп. 4.16.8, 4.16.9, вычис­ляют выборочное среднее значение времени реакции на ступенча­тый входной сигнал деформации и выборочное СКО.

  2. Испытания тензорезисторов на надежность по п. 2.15 про­водят в соответствии с ТУ.

При этом для случая задания наработки числом циклов задан- пбй деформации испытуемые тензорезисторы устанавливают на изгибаемую балку, которую нагружают знакопеременной симмет­ричной деформацией с амплитудой ±(1000±50) млн-1, если иное не указано в ТУ.

В качестве параметра, по которому определяют отказ тензо­резистора, принимают изменение его выходного сигнала более чем на 100 "к мкОм/Ом при є=0 и е=±1000 млн-1 относительно со­ответствующего выходного сигнала при начальном цикле (выход­ной сигнал тензорезистора определяют относительно начального сопротивления в начальном цикле).

  1. Испытания тензорезисторов в упаковке по п. 2.21 прово­дят в соответствии с ГОСТ 12997.

  2. Обработка и представление результатов

    1. Выборочное среднее значение (X) и выборочное СКО» (Sjr) случайной величины X (метрологической характеристики или выходного сигналаtтензорезистора) рассчитывают по формулам:

Л==_1_2Х;, (15)

п <=i

5Л=У • (16)

  1. Оценку анормальности результатов измерения проводят в следующем порядке:

  1. для выборки результатов наблюдений случайной величины ХиХ2,...,Хп

  2. рассчитывают выборочное среднее значение по формуле (15) и выборочное СКО по формуле (16);определяют наибольшее отклонение (ДХМ) результата из­мерения от выборочного среднего значения

ДХм=тах| Хи-Л|,

где — максимальный (или минимальный) результат из числа произведенных наблюдений;

  1. чтобы оценить принадлежность к данной нормальной со- зокупности, рассчитывают отношение

£/и=-^-; ' (17)

^х

  1. UK сравнивают со значением ₽, выбранным в соответствии с табл. 3 для данного объема выборки и принятого уровня зна­чимости 0,05;

  2. если (4,^0, то рассматриваемый результат наблюдения яв­ляется анормальным, в противном случае его считают нормаль­ным.

Таблица 3

Объем выборки п

Предельное значение Р при уровне значи­мости 0,05

Объем выборки п

Предельное значение 3 при уровне значи­мости 0,05

10!

2.18

16

2,44

11

2.23

17

2.48

12

2.29

48

2,50

13

2,33

19

2.53

14

2,37

20

2.56

15

2,41

  1. СКО погрешности аппроксимации рассчитывают по формуле

(18)



где Z (Х}) — выборочное среднее значение метрологической харак­теристики;

Z (X) — расчетное значение метрологической характеристики; т — число ступеней температуры нагрева (охлаждения);

і—число коэффициентов полинома;

/ — номер ступени, ]'=■ 1, 2,..., т.

  1. 4J19.4. Блок-схема алгоритма расчета метрологической харак­теристики на ЭВМ. приведена в приложении 5.Результаты испытаний заносят в протокол (или журнал, испытаний) и в паспорт на партию тензорезисторов. В протоколе должны быть указанЦ

дата и год испытаний;

цель проведения испытаний;

тип испытуемых тензорезисторов, номер партии;

порядковые номера (по системе нумерации предприятия-изго­товителя) используемых приборов и оборудования;

температура и влажность воздуха в помещении;

наименование связующего и номер инструкции по наклейке (установке) тензорезисторов;

результаты испытаний;

заключение по результатам испытаний, должность и фамилия лица, проводившего испытания.

Пример представления характеристик тензорезисторов в пас­порте предприятия-изготорителя на партию тензорезисторов при­веден в приложении 6. z

  1. Рекомендуется проводить проверку характеристик тен­зорезисторов, поступающих с предприятия-изготовителя.

Методика проверки характеристик тензорезисторов потребите­лем приведена в приложении 7.

Эта же методика может быть использована потребителем для оценки пригодности к применению тензорезисторов, гарантийный срок хранения которых истек.

  1. ТРАНСПОРТИРОВАНИЕ И ХРАНЕНИЕ

    1. Тензорезисторы транспортируют любым видом транспорта при условии защиты их от атмосферных осадков и механических повреждений.

    2. Хранение тензорезисторов в упаковке осуществляют при температуре от 5 до 35°С, относительной влажности до 80% и при отсутствии в атмосфере паров агрессивных веществ.

6; ГАРАНТИИ ИЗГОТОВИТЕЛЯ

  1. Изготовитель гарантирует соответствие качества тензоре­зисторов требованиям настоящего стандарта и технической доку­ментации на тензорезисторы конкретного типа при соблюдении потребителем условий эксплуатации и хранения.

Гарантийный срок хранения тензорезисторов —18 мес © момента изготовления.ПРИЛОЖЕНИЕ 1

Справочное

ПРИМЕРЫ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ВЫБОРОЧНОГО СРЕДНЕГО ЗНАЧЕНИЯ И
ВЫБОРОЧНОГО СКО ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТИ

Пример 1. В ТУ заданы:

интервал средних значений чувствительности 1 ,90—2,10;

допускаемое СКО чувствительности 0,02.

Побачили розбіжність з офіційним текстом?

Повідомити про неточність

Напишіть, що саме розходиться з офіційною публікацією. Код документа вкажіть у повідомленні — так ми швидше знайдемо потрібне місце.

Перейти до форми зворотного зв'язку

Дивіться також

Весь розділ →