ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ
СОЮЗА ССР
СИСТЕМА ПОКАЗАТЕЛЕЙ КАЧЕСТВА ПРОДУКЦИИ
ОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ
НОМЕНКЛАТУРА ПОКАЗАТЕЛЕЙ
Издание официальное
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР ПО СТАНДАРТАМ
Москв
а
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮЗА ССР
Система показателей качества продукции
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ
Номенклатура показателей
Product-quality index system.
Semiconductor materials.
Nomenclature of indices
ГОСТ
4.64-80*
Постановлением Государственного комитета СССР по стандартам от 12 мая 1980 г. № 2059 срок действия установлен
c 01.07.31
Настоящий стандарт устанавливает номенклатуру основных показателей качества объемных монокристаллов іполупроводнико- вых материалов, включаемых в ТЗ на НИР по определению перспектив развития этой группы продукции, государственные стандарты с перспективными требованиями, а также номенклатуру показателей качества, включаемых в разрабатываемые и перспективные стандарты на продукцию, ТЗ на ОКР, технические условия, карты технического уровня и качества продукции.
Коды ОКП приведены в справочном приложении 1.
НОМЕНКЛАТУРА ПОКАЗАТЕЛЕЙ КАЧЕСТВА ОБЪЕМНЫХ МОНОКРИСТАЛЛОВ
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ
Номенклатура показателей качества, единицы измерения, условные обозначения, а также характеризуемые свойства, приведены в табл. 1.
Алфавитный перечень показателей качества полупроводниковых материалов приведен в справочном приложении 2.
Издание официальное Перепечатка воспрещена
* Переиздание (февраль 1985 г.) с Изменением № 1, утвержденным в марте 1985 г. Пост. Лі 545 от 13.03.85 (И У С 6—85).
© Издательство стандартов, 1985
2—558Показатель качества и единица измерения |
Условное обозначение показателя качества |
Характеризуемое свойство |
Удельное электрическое сопротивление, Ом-см
Номинальное значение удельного электрического сопротивления, Ом-см
Интервал номинальных значений удельного электрического сопротивления, Ом- см
Интервал значений удельного электрического сопротивления, Ом-см
Относительное отклонение удельного электрического сопротивления от среднего значения по длине монокристаллического слитка, %
Радиальное относительное отклонение удельного электрического сопротивления от среднего значения по торцу монокристаллического слитка, %
Относительное отклонение средних значений удельного электрического сопротивления торцов от номинального значения удельного электрического сопротивления, %
Ориентация продольной оси монокристаллического слитка
Отклонение плоскости торцового среза от плоскости ориентации, °
Концентрация атомов оптически. активных примесей, см-3
Концентрация атомов оптически активного кислорода, см-3
7.Й. Концентрация атомов оптически активного углерода, см-3
Геометрическая характеристика поперечного сечения монокристаллического слитка
Диаметр монокристаллического слитка, мм
Интервал номинальных значений диаметров, мм
Площадь поперечного сечения монокристаллического слитка, мм2
Отклонение диаметра монокристаллического слитка от номинального значения, мм
Длина монокристаллического слитка, мм
Ри |
Электрофизическое свойство |
Ри,—рна |
|
Р1—Рз |
|
8Р/ |
Электрофизическое свойство |
5?Z? |
Электрофизическое свойство |
8Рн |
Электрофизическое свойство |
|й£/| |
Кристаллографическое свойство |
а |
Кристаллографическое свойство |
8Рн |
Химический состав |
Мэ, |
|
Nc |
|
d |
|
|
|
S |
|
|
— |
I |
Продолжение табл. 1
Показатель качества и единица измерения |
Условное обозначение показателя качества |
Характеризуемое свойство |
И. Плотность дислокаций, см~2 |
Nd |
Структурное совершенство |
12. Время жизни неравновесных |
т |
Электрофизическое |
носителей заряда, -мкс, или диффузионная длина, мм |
|
свойство |
13. Суммарная длина малоугловых границ, мм или доли диаметра |
МУ г |
Структурное совершенство |
14. Концентрация основных носителей заряда, см-3 |
N |
Электрофизическое свойство |
15. Относительное отклонение от номинального значения концентрации основных носителей заряда, % |
|
Электрофизическое свойство |
Г8.2. Наличие второй фазы
|
Iі |
Электрофизическое свойство Структурное совершенство |
Примечания:
Допускается использование других показателей качества, связанных с особенностями отдельных полупроводниковых материалов, по согласованию с потребителями.
В качестве удельного электрического сопротивления используется один из показателей 1.1—1.3.
В качестве геометрической характеристики поперечного сечения монокристаллического слитка используется один из показателей 8.1—8.3.
Внутренние дефекты характеризуются показателем 18 или комплексом показателей 18.1—18.4.
Для германия вместо показателя 4 используется показатель: «Относительное отклонение значений удельного электрического сопротивления торцов от номинального значения удельного электрического сопротивления, %».
(Измененная редакция, Изм. № 1).
ПРИМЕНЯЕМОСТЬ ПОКАЗАТЕЛЕЙ КАЧЕСТВА
Применяемость -показателей качества полупроводниковых материалов приведена в табл. 2—6.
2*
Кремний монокристаллический
Номер показателя качества |
Кремний монокристаллический для полупроводниковых приборов и микросхем |
Кремний монокристаллический для эпитаксиальных структур |
Кремніий монокристаллический для силовой полупроводниковой техники |
Кремний монокристаллический для фотоприемников |
Кремний монокристаллический для источников тока |
Кремний монокристаллический для детекторов ядерных излучений |
Кремний монокристаллический водородный |
1 |
+ |
+ |
+ |
+ |
+ |
+ |
+ |
2 |
■ 1 ■ |
+ |
+ |
— |
|
+ |
—г- |
3 |
+ |
+ |
+ |
|
— |
|
— |
4 |
+ |
+ |
|
-4- |
— |
— |
— |
5 |
+ |
+ |
+ |
|
+ |
+ ■ |
Т“ |
6 |
+ |
+ |
+ |
+ |
— |
+ |
-X- |
7.1 |
+ |
+ |
+ |
+ |
— |
+ |
”Т“ |
7.2 |
-4- |
-4— |
— |
—— |
—— |
— |
——• |
8 |
|
+ |
+ |
+ |
+ |
+ |
+ |
9 |
— _ |
4- |
ч- |
— |
— |
|
• |
10 |
- - |
+ |
+ |
+ |
+ |
+ |
— |
11 |
- - |
+ |
+ |
4- |
— |
+ |
|
12 |
-Ь |
-+- |
+ |
+ |
+ |
+ |
+ |
13 |
— |
■ |
•4- |
— |
— |
-4- |
+ |
17 |
+ |
+ |
+ |
+ |
+ |
+ |
-L- |
18.1 |
+ |
+ |
+ |
+ |
+ |
+ |
+ |
18.4 |
± |
|
|
|
|
|
|
Таблица 3
Германий монокристаллический
Номер показателя качества |
Германий монокристаллический для полупроводниковых приборов и микросхем |
Германий монокристаллический для эпитаксиальных структур |
Германий монокристаллический для оптоэлектроники |
Германий монокристаллический для ядерной спектрометрии |
1 |
+ |
+ |
-н |
|
2 |
± |
-4- |
— |
т |
3 |
4- |
■4- |
— |
|
4 |
+ |
+ |
— |
— |
5 |
+ |
+ |
4_ |
+ |
6 |
— |
— |
— |
|
8 |
+ |
+ |
+ |
+ |
9 |
|
|
|
-4- |
10 |
+ |
"Т" |
+ |
+ |
11 |
|
+ |
|
+ |
Продолжение табл. 3
Номер показа* теля качества |
Германий монокристаллический для полупроводниковых приборов и микросхем |
Германий монокристаллический для эпитаксиальных структур |
Германий монокристаллический для оптоэлектроники |
Германий монокристаллический для ядерной спектрометрии |
12 |
ч- |
— |
+ |
|
13 |
± |
|
—- |
— |
14 |
—— |
— |
— |
4“ |
16 |
|
|
— |
|
17 |
+ |
+ |
+ |
+ |
18.1 |
+ |
+ |
+ |
+ |
18.2 |
|
— |
—— |
Ч- |
18.3 |
+ |
+ |
+ |
+ |
Таблица 4
Антимонид индия монокристаллический
Номер показателя качества |
Антимонид индия для п олупр оводн иковых приборов |
Антимонид индия для эпитаксиальных структур |
1 |
|
|
|
|
|
5 |
+ |
+ |
6 |
-4- |
+ |
8 |
+ |
+ |
10 |
Ч- |
|
11 |
+ |
+ |
12 |
Ч- |
|
13 |
— |
- - |
14 |
+ |
-- |
15 |
- |
— — |
16 |
+ |
— » |
17 |
+ |
— _ |
18 |
+ |
|