ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ
СОЮЗА ССР

СИСТЕМА ПОКАЗАТЕЛЕЙ КАЧЕСТВА ПРОДУКЦИИ

ОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ

НОМЕНКЛАТУРА ПОКАЗАТЕЛЕЙ

ГОСТ 4.64-80

Издание официальное

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР ПО СТАНДАРТАМ
Москв

а



ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮЗА ССР

Система показателей качества продукции

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ

Номенклатура показателей

Product-quality index system.
Semiconductor materials.

Nomenclature of indices


ГОСТ
4.64-80*



Постановлением Государственного комитета СССР по стандартам от 12 мая 1980 г. № 2059 срок действия установлен

c 01.07.31

Настоящий стандарт устанавливает номенклатуру основных показателей качества объемных монокристаллов іполупроводнико- вых материалов, включаемых в ТЗ на НИР по определению пер­спектив развития этой группы продукции, государственные стан­дарты с перспективными требованиями, а также номенклатуру показателей качества, включаемых в разрабатываемые и перспек­тивные стандарты на продукцию, ТЗ на ОКР, технические усло­вия, карты технического уровня и качества продукции.

Коды ОКП приведены в справочном приложении 1.

  1. НОМЕНКЛАТУРА ПОКАЗАТЕЛЕЙ КАЧЕСТВА ОБЪЕМНЫХ МОНОКРИСТАЛЛОВ
    ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ

Номенклатура показателей качества, единицы измерения, ус­ловные обозначения, а также характеризуемые свойства, приведе­ны в табл. 1.

Алфавитный перечень показателей качества полупроводнико­вых материалов приведен в справочном приложении 2.

Издание официальное Перепечатка воспрещена

* Переиздание (февраль 1985 г.) с Изменением № 1, утвержденным в марте 1985 г. Пост. Лі 545 от 13.03.85 (И У С 6—85).

© Издательство стандартов, 1985

2—558Показатель качества и единица измерения

Условное обоз­начение показа­теля качества

Характеризуемое свойство

  1. Удельное электрическое сопро­тивление, Ом-см

    1. Номинальное значение удель­ного электрического сопротивления, Ом-см

    2. Интервал номинальных значе­ний удельного электрического сопро­тивления, Ом- см

    3. Интервал значений удельного электрического сопротивления, Ом-см

  2. Относительное отклонение удель­ного электрического сопротивления от среднего значения по длине моно­кристаллического слитка, %

  3. Радиальное относительное от­клонение удельного электрического сопротивления от среднего значения по торцу монокристаллического слит­ка, %

  4. Относительное отклонение сред­них значений удельного электричес­кого сопротивления торцов от номи­нального значения удельного элек­трического сопротивления, %

  5. Ориентация продольной оси монокристаллического слитка

  6. Отклонение плоскости торцово­го среза от плоскости ориентации, °

  7. Концентрация атомов оптичес­ки. активных примесей, см-3

    1. Концентрация атомов оптичес­ки активного кислорода, см-3

7.Й. Концентрация атомов оптичес­ки активного углерода, см-3

  1. Геометрическая характеристика поперечного сечения монокристалли­ческого слитка

    1. Диаметр монокристаллического слитка, мм

    2. Интервал номинальных значе­ний диаметров, мм

    3. Площадь поперечного сечения монокристаллического слитка, мм2

  2. Отклонение диаметра монокрис­таллического слитка от номинально­го значения, мм

  3. Длина монокристаллического слитка, мм


Ри

Электрофизическое свойство

Ри,—рна


Р1—Рз


8Р/

Электрофизическое свойство

5?Z?

Электрофизическое свойство

8Рн

Электрофизическое свойство

|й£/|

Кристаллографическое свойство

а

Кристаллографическое свойство

8Рн

Химический состав

Мэ,


Nc


d




S



I





Продолжение табл. 1

Показатель качества и единица измерения

Условное обоз­начение показа­теля качества

Характеризуемое свойство

И. Плотность дислокаций, см~2

Nd

Структурное совершен­ство

12. Время жизни неравновесных

т

Электрофизическое

носителей заряда, -мкс, или диффузи­онная длина, мм

свойство

13. Суммарная длина малоугловых границ, мм или доли диаметра

МУ г

Структурное совершен­ство

14. Концентрация основных носите­лей заряда, см-3

N

Электрофизическое свойство

15. Относительное отклонение от номинального значения концентра­ции основных носителей заряда, %


Электрофизическое свойство

  1. Подвижность основных носите­лей заряда, см2/(В.с)

  2. Внешние дефекты (трещины, раковины, сколы)

  3. Внутренние дефекты

    1. Раковины, трещины

Г8.2. Наличие второй фазы

  1. Наличие двойниковых границ

  2. Наличие свирл-дефектов

Iі

Электрофизическое свойство

Структурное совершен­ство



Примечания:

  1. Допускается использование других показателей качества, связанных с особенностями отдельных полупроводниковых материалов, по согласованию с потребителями.

  2. В качестве удельного электрического сопротивления используется один из показателей 1.1—1.3.

В качестве геометрической характеристики поперечного сечения монокрис­таллического слитка используется один из показателей 8.1—8.3.

Внутренние дефекты характеризуются показателем 18 или комплексом по­казателей 18.1—18.4.

  1. Для германия вместо показателя 4 используется показатель: «Относи­тельное отклонение значений удельного электрического сопротивления торцов от номинального значения удельного электрического сопротивления, %».

(Измененная редакция, Изм. № 1).

  1. ПРИМЕНЯЕМОСТЬ ПОКАЗАТЕЛЕЙ КАЧЕСТВА

Применяемость -показателей качества полупроводниковых ма­териалов приведена в табл. 2—6.

2*



Кремний монокристаллический

Номер показате­ля каче­ства

Кремний монокри­сталличес­кий для полупро­воднико­вых прибо­ров и ми­кросхем

Кремний монокри­сталличес­кий для эпитакси­альных структур

Кремніий монокри­сталличес­кий для силовой полупро­воднико­вой тех­ники

Кремний монокри­сталличес­кий для фотопри­емников

Кремний монокри­сталличес­кий для источни­ков тока

Кремний монокри­сталличес­кий для детекторов ядерных излучений

Кремний монокри­сталличес­кий водо­родный

1

+

+

+

+

+

+

+

2

■ 1 ■

+

+


+

г-

3

+

+

+



4

+

+


-4-

5

+

+

+


+

+ ■

Т“

6

+

+

+

+

+

-X-

7.1

+

+

+

+

+

Т“

7.2

-4-

-4—

——

——

——•

8


+

+

+

+

+

+

9

_

4-

ч-


10

- -

+

+

+

+

+

11

- -

+

+

4-

+


12

-+-

+

+

+

+

+

13

•4-

-4-

+

17

+

+

+

+

+

+

-L-

18.1

+

+

+

+

+

+

+

18.4

±







Таблица 3



Германий монокристаллический

Номер показа­теля качества

Германий моно­кристаллический для полупровод­никовых прибо­ров и микросхем

Германий моно­кристаллический для эпитаксиаль­ных структур

Германий моно­кристаллический для оптоэлек­троники

Германий моно­кристаллический для ядерной спектрометрии

1

+

+


2

±

-4-

т

3

4-

4-


4

+

+

5

+

+

4_

+

6


8

+

+

+

+

9




-4-

10

+

"Т"

+

+

11


+


+



Продолжение табл. 3

Номер показа* теля качества

Германий моно­кристаллический для полупровод­никовых прибо­ров и микросхем

Германий моно­кристаллический для эпитаксиаль­ных структур

Германий моно­кристаллический для оптоэлек­троники

Германий моно­кристаллический для ядерной спектрометрии

12

ч-

+

13

±


—-

14

——

4“

16




17

+

+

+

+

18.1

+

+

+

+

18.2


——

Ч-

18.3

+

+

+

+

Таблица 4



Антимонид индия монокристаллический

Номер показателя качества

Антимонид индия для п олупр оводн иковых приборов

Антимонид индия для эпитаксиальных структур

1






5

+

+

6

-4-

+

8

+

+

10

Ч-


11

+

+

12

Ч-


13

- -

14

+

--

15

-

— —

16

+

»

17

+

_

18

+