дислокации............................................. 4.3.4.3
изображение во вторичных электронах
при ионной бомбардировке .............................. 4.2.4
изображение во вторичных электронах
при электронной бомбардировке ......................... 4.2.5
изображение в термоэлектронах ......................... 4.2.6
изображение в фотоэлектронах .......................... 4.2.7
изображение светлопольное ............................. 4.2.1
изобрражение темнопольное ............................. 4.2.2
метод вторичных электронов............................. 4.3.7.1
метод газовой камеры................................... 4.3.6.8
метод декорирования обЬекта ........................... 4.3.6.5
метод ионного травления................................ 4.3.6.4
метод исследования светлопольный ...................... 4.3.4.1
метод исследования темнопольный ....................... 4.3.4.4
метод каналирования электронов ........................ 4.3.7.5
метод катодолюминесценции ............................. 4.3.7.4
метод микродифракции .................................. 4.3.4.5
метод Муара ........................................... 4.3.4.2
метод наведенного тока ................................ 4.3.7.6
метод нагревания обЬекта .............................. 4.3.6.7
метод отраженных электронов ........................... 4.3.7.2
метод охлаждения обЬекта .............................. 4.3.6.6
метод поглощенных электронов .......................... 4.3.7.3
метод прошедших электронов ............................ 4.3.7.7
метод рентгеновского излучения ........................ 4.3.7.8
метод реплик .......................................... 4.3.5.2
метод стереомикроскопический .......................... 4.3.6.2
метод ультратонких срезов ............................. 4.3.4.6
метод модуляции .................................... 4.3.7.9
метод усиления контрастности объекта .................. 4.3.5.7
метод фазовоконтрастной микроскопии ................... 4.3.6.3
метод электронной микроскопии ......................... 4.3.1
методы исследований косвенные ......................... 4.3.3
методы исследований прямые ............................ 4.3.2
методы исследований специальные ....................... 4.3.4
микродифракция ........................................ 4.2.3
микроскоп автоэлектронный ............................. 4.1.6
микроскоп электронный ................................. 4.1.1
микроскоп электронный высокотемпературный ............. 4.1.10
микроскоп электронный зеркальный ...................... 4.1.5
микроскоп электронный отражательный ................... 4.1.3
микроскоп электронный просвечивающий .................. 4.1.2
микроскоп электронный растровый ....................... 4.1.11
микроскоп электронный сверхвысокого напряжения ........ 4.1.9
микроскоп электронный теневой ......................... 4.1.8
микроскоп электронный эмиссионный...................... 4.1.4
псевдореплика ......................................... 4.3.5.6
реплика ............................................... 4.3.5.1
реплика двухступенчатая................................ 4.3.5.4
реплика одноступенчатая ............................... 4.3.5.3
реплика с экстракцией.................................. 4.3.5.5
съемка панорамная ..................................... 4.3.6.1
ультрамикротом ........................................ 4.3.4.7
установка вакуумная распылительная .................... 4.3.5.8
электронограф ......................................... 4.1.7
- 22 -
ДСТУ Б А.1.1-9-94
УДК 006.354:543.423 ТОО
Ключові слова:
абетковий покажчик, визначення, електронограф
збільшення, зображення камера, об'єктив, метод
дослідження, метод мікроскопії, установка,
репліка, система, ультрамікротом.
Примітка.
/ цифри за літерами в квадратних дужках
відповідають значенням в таблиці
відповідності символів
