Страница 8: ГОСТ 30617-98. Модули полупроводниковые силовые. Общие технические условия (77722)

Примеры обозначения групп модулей: - для численного значения параметра 500 — Е2 - для численного значения параметра 16—71?

- для численного значения параметра 0,0025 — М7ПРИЛОЖЕНИЕ Б
(рекомендуемое)

Перечень электрических параметров модулей

Параметры модулей выбирают в зависимости от вида применяемых полупроводниковых приборов, устанавливают в ТУ на модули конкретных типов и выбирают из приведенных ниже:

• максимально допустимое напряжение между беспотенциальным основанием модуля и его выводами (электрическая прочность изоляции);

• тепловое сопротивление переход — среда при работе с рекомендуемым типом охладителя;

• переходное тепловое сопротивление переход — корпус (при работе с рекомендуемым типом охлади­теля);

• тепловое сопротивление переход — корпус;

• переходное тепловое сопротивление переход — корпус.

Дополнительно для модулей на основе диодов всех видов указывают:

• напряжение пробоя (для модулей на основе лавинных диодов);

• неповторяющееся импульсное обратное напряжение;

• повторяющееся импульсное обратное напряжение;

• импульсное прямое напряжение;

• максимально допустимый средний прямой ток;

• ударный прямой ток;

• повторяющийся импульсный обратный ток;

• время обратного восстановления (для модулей на основе быстровосстанавливающихся диодов);

• ударную обратную рассеиваемую мощность в обратном непроводящем состоянии (для модулей на основе лавинных диодов с контролируемым пробоем).

Дополнительно для модулей на основе тиристоров указывают:

• повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии;

• неповторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии (для модулей на основе симметрич­ных тиристоров устанавливают для обоих направлений);

• неповторяющееся импульсное обратное напряжение (для модулей на основе тиристоров, не проводящих в обратном направлении);

• обратное напряжение пробоя (только для модулей на основе лавинных тиристоров);

• средний ток в открытом состоянии;

• повторяющийся импульсный обратный ток (для модулей на основе тиристоров, не проводящих в обратном направлении);

• повторяющийся импульсный ток в закрытом состоянии (для модулей на основе симметричных тирис­торов устанавливают для обоих направлений);

• импульсное напряжение в открытом состоянии (для модулей на основе симметричных тиристоров устанавливают для обоих направлений);

• импульсное напряжение в обратном проводящем состоянии (для модулей на основе тиристоров, проводящих в обратном направлении);

• ток удержания (кроме модулей на основе симметричных тиристоров);

• ударный ток в открытом состоянии;

• ударный ток в обратном проводящем состоянии (для модулей на основе тиристоров, проводящих в обратном направлении);

• критическую скорость нарастания тока в открытом состоянии;

• критическую скорость нарастания коммутационного напряжения (для модулей на основе тиристоров, проводящих в обратном направлении, и симметричных тиристоров);

• критическую скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии (за исключением модулей на основе симметричных тиристоров);

• отпирающее постоянное напряжение управления;

• отпирающий постоянный ток управления;

• неотпирающее постоянное напряжение управления;

• время включения и задержки (для модулей на основе быстровключающихся, быстродействующих и запираемых тиристоров).

Дополнительно для модулей на основе запираемых тиристоров указывают:

• время выключения по управляющему электроду;

• неповторяющийся импульсный запираемый ток;

• повторяющийся импульсный запираемый ток;

• действующий ток в открытом состоянии;

• обратное импульсное напряжение управления;

• время медленного спада;

• ток медленного спада;

• постоянное обратное напряжение;

• постоянное напряжение в закрытом состоянии;

• ток перегрузки в открытом состоянии;

• прямой импульсный ток управления;

• среднюю рассеиваемую мощность управления;

• импульсную рассеиваемую мощность управления;

• неотпирающий постоянный ток управления;

• запирающее импульсное напряжение управления;

• запирающий импульсный ток управления;

• среднюю рассеиваемую мощность в открытом состоянии;

• скорость нарастания запирающего тока.

Дополнительно для модулей на основе биполярных транзисторов указывают:

• постоянное напряжение коллектор — база;

• постоянное напряжение эмиттер — база;

• предельное напряжение коллектор — эмиттер;

• напряжение насыщения коллектор — эмиттер и база — эмиттер;

• постоянный и импульсный токи базы;

• обратный ток коллектора;

• обратный ток эмиттера;

• обратный ток коллектор — эмиттер при заданных условиях в цепи базы;

• время включения;

• время выключения;

• статический коэффициент передачи тока.

Дополнительно для модулей на основе биполярных транзисторов с изолированным затвором указывают:

• предельное (пробивное) напряжение коллектор — эмиттер;

• максимальную мощность рассеивания;

• напряжение затвор — эмиттер;

• импульсный ток коллектора;

• пороговое напряжение затвора;

• обратный ток коллектор — эмиттер при короткозамкнутых выводах затвора и эмиттера;

• прямую проводимость (коэффициент передачи);

• емкость полупроводниковую структура — корпус;

• входную емкость;

• выходную емкость;

• емкость обратной связи;

• паразитную индуктивность коллектор — эмиттер;

• время задержки включения;

• время задержки выключения;

• время нарастания тока;

• время спада;

• энергию потерь при запирании.

Дополнительно для модулей на основе полевых транзисторов с электростатической индукцией указывают:

• сопротивление сток — исток в открытом состоянии;

• максимальную мощность рассеивания;

• импульсный ток стока;

• напряжение затвор — исток;

• энергию одиночного импульса при лавинном пробое;

• ток лавинного пробоя;

• максимальную скорость восстановления напряжения на паразитном диоде;

• температурный коэффициент напряжения пробоя;

• пороговое напряжение затвор — исток;

• прямую проводимость;

• ток утечки сток — исток;

• прямой (обратный) ток утечки затвор — исток;

• полный заряд затвора;

• заряд затвор — исток;

• заряд затвор — сток;

• время задержки включения;

• время задержки выключения;

• время нарастания;

• время спада;

• внутреннюю индуктивность стока;

• внутреннюю индуктивность истока;

• входную емкость;

• выходную емкость;

• емкость обратной связи;

емкость сток — охладитель.Содержание информационных материалов

Предприятие-изготовитель должно обеспечить разработку материалов, содержащих информацию о нор­мах на предельно допустимые значения параметров, характеристиках и их зависимостях от режимов и условий эксплуатации.

По предельно допустимым значениям в зависимости от параметра должны приводиться максимально допустимые и (или) минимально допустимые значения, которые являются гарантированными для всех модулей данного типа.

По характеристикам приводятся максимальные и (или) минимальные значения или типичные значения.

Типичные значения характеристик приводятся для информации и не являются гарантированными.

Кроме того, в информационных материалах должны приводиться также следующие данные:

• дата выпуска информационных материалов;

• тип, модификация модуля, расшифровка условного обозначения модуля;

• особенности свойств, конструкции и технологии изготовления;

• основные области применения;

• габаритно-присоединительные размеры;

• обозначения выводов;

• минимальное расстояние между выводами и между выводами и беспотенциальным основанием модуля по воздуху;

• минимальное расстояние пути утечки тока по поверхности корпуса между выводами и между выводами и беспотенциальным основанием модуля;

• расположение (три координаты) контрольной точки измерения температуры корпуса;

• масса;

• рекомендуемый охладитель;

• указания по монтажу и эксплуатации;

• данные по надежности;

• гарантии изготовителя;

• формулирование заказа.

Обеспечение информационными материалами должно осуществляться в установленном порядке.

УДК 621.382:006.354

МКС 31.080.99

Е65

ОКП 34 1700

Ключевые слова: модули полупроводниковые силовые, классификация, общие технические требо­вания, требования безопасности, правила приемки, методы испытаний, указания по эксплуата­ции, гарантии изготовителя

Редактор Т.С. Шеко

Технический редактор Л.А. Гусева

Корректор В.И. Варенцова
Компьютерная верстка О.В. Арсеевой

Изд. лиц. № 02354 от 14.07.2000. Сдано в набор 18.07.2001. Подписано в печать 12.09.2001. Усл. печ. л. 4,65. Уч.-изд. л. 4,20.
Тираж 425 экз. С 2004. Зак. 837.

ИПК Издательство стандартов, 107076, Москва, Колодезный пер., 14.

Набрано в Издательстве на ПЭВМ

Филиал ИПК Издательство стандартов — тип. «Московский печатник», 103062, Москва, Лялин пер., 6.

Плр № 080102