артом. Полоса пропускания импульсного усилителя устанавливается в ТУ на микросхемы конкретных типов.
Значения сопротивления и емкости нагрузки должны со-
ответствовать указанным в ТУ на микросхемы конкретных типов.в сопротивление нагрузки включают сопротивление нагрузочного резистора и входное сопротивление импульсного усилителя или измерителя импульсного напряжения, в емкость нагрузки — емкость нагрузочного конденсатора, входную емкость импульсного усилителя и емкость монтажа. Значение длительности и периода управляющих импульсов должно быть таким, чтобы в течение времени, равного длительности управляющего импульса, снижение амплитуды выбросов напряжения не выходило за пределы ±10%. Допустимое отклонение сопротивления резистора нагрузки не должно выходить за пределы ± 1 %, емкости нагрузки — за пределы ±5%.
(Измененная редакция, Изм. № 2).
DA — измеряемая микросхема; SI, S2, ... , X т — аналоговые входы; Di, D2, ’ Dn — аналоговые выходы; INI, IN2 IN — управляющие входы;
U —вывод питания; G1 — генератор импульсов; G2— G5 — источники постоянного напряжения; At — устройство, обеспечивающее задание условий измерения на аналоговых входах; /?н — сопротивление нагрузки; Сн — емкость нагрузки; А2 — импульсный усилитель; Р — измеритель импульсного напряжения; ХД/ — коммутационное устройство, обеспечивающее подключение генератора импульсов G1 и источников постоянного напряжения G? и G3 к управляющим входам INI, 1N2, ... , IN& ; SA2, SA3 — переключатели
Черт. 8
Значения сопротивлений резисторов и емкостей конденсаторов устройства А1 указываются в ТУ на микросхемы конкретных типов. Допустимое отклонение сопротивлений резисторов не должно выходить за пределы ±1%, емкостей конденсаторов — за пределы ±5%.
Подготовка и проведение измерений
К измерительной установке подключают измеряемую микросхему.
Переключатель SA2 устанавливают в положение, указанное на черт. 8.От источников постоянного напряжения G2—G5 и от генератора импульсов G1 подают напряжения, значения которых указаны в ТУ на микросхемы конкретных типов.
Амплитуду выбросов напряжения измеряют измерителем Р в соответствии с черт. 9.
Uynp.B
Чіых'НВ і
Л — уровень амплитуды выходного импульса
Черт. 9
Амплитуды выбросов напряжения на аналоговом выходе измеряют по каждому каналу. Допускается проводить измерения по одному или нескольким каналам, указанным в ТУ на микросхемы конкретных типов.
Допускается измерять амплитуду выбросов напряжения при наличии коммутируемого напряжения. При этом переключатель SA2 устанавливают в положение к источнику постоянного напряжения G5.
Инжектированный заряд (Q) в пикокулонах рассчитывают по формуле
Q—Сн-{7ан,А> (8г)
где t/ан.А —амплитудное значение напряжения на аналоговом выходе, В;
Сн — емкость нагрузки, пФ.
(Измененная редакция, Изм. № 2).
Показатели точности измеренийПогрешность измерения амплитуды выбросов напряжения на аналоговом выходе микросхемы — в пределах ±10% с вероятностью 0,95.
Определение показателей точности измерения амплитуды выбросов напряжения на аналоговом выходе приведено в приложении 3 (разд. 2).
МЕТОД ИЗМЕРЕНИЯ КОЭФФИЦИЕНТА ПОДАВЛЕНИЯ
СИГНАЛА МЕЖДУ КАНАЛАМИ
Принцип измерений
Метод основан на измерении переменной составляющей выходного напряжения закрытого канала при подаче на аналоговый вход другого открытого канала коммутируемого напряжения переменного тока.
Аппаратура
Измерения следует проводить на установке, электрическая структурная схема которой приведена на черт. 10.
Погрешность измерителей переменного напряжения должна быть в пределах ±5%. Допускается применять в качестве измерителей переменного напряжения PV1 и PV2 измеритель отношений.
Погрешность, вносимая контактирующим устройством измерительной установки за счет паразитных емкостей контактов, не должна выходить за пределы ±5% значения измеряемого напряжения сигнала.
Полосовой фильтр А устанавливают при наличии помех.
Погрешность значения коэффициента передачи полосового фильтра не должна выходить за пределы ±3%. Полосу пропускания полосового фильтра указывают в ТУ на микросхемы конкретных
типов.
Значение сопротивления нагрузки, сопротивления резисторов на аналоговых входах, конденсатора нагрузки, блокировочных конденсаторов и конденсатора С2 должны соответствовать указанным в ТУ на микросхемы конкретных типов.
В сопротивление нагрузки включают сопротивление нагрузочного резистора, входное сопротивление полосового фильтра илй измерителя синусоидальных сигналов, в емкость нагрузки — емкость нагрузочного конденсатора, входную емкость полосового фильтра или измерителя синусоидальных сигналов и емкость мой- тажа.
Допустимое отклонение сопротивлений резисторов на аналоговых входах и резисторов нагрузки не должно выходить за пределы ±1%, конденсатора С2 и конденсатора нагрузки — за пределы ±5%.
Подготовка и проведение измерений
Схема измерения коэффициента подавления сигнала между каналами
DA — измеряемая микросхема; SI, S2, ... , S т— аналоговые входы; Dl, D2
D п— аналоговые выходы; U — вывод питания; INI, IN2 IN & — управляющие
входы; GI—G3 — источники постоянного напряжения; G4 — генератор синусоидального напряжения; SA1 — коммутационное устройство, обеспечивающее подключение источников постоянного напряжения Gl, G2 к управляющим входам INI, IN 2, , IN £ ; SA2—SA4 — переключатели; RI — резистор на аналоговом входе от
крытого канала; R2 — резистор на аналоговом выходе открытого канала; Кн — резистор нагрузки: Сн — конденсатов нагрузки; С1 — блокировочный конденсатор; С2 — конденсатор на аналоговом выходе открытого канала; PV1, PV2 — измерители синусоидальных напряжений; А — полосовой фильтр
Черт. 10
К измерительной установке подключают микросхему.
От источников постоянного напряжения G1—G3 и от генератора синусоидального напряжения G4 подают напряжения, указанные в ТУ на микросхемы конкретных типов.
Измерителями синусоидального напряжения PV1 и PV2 измеряют переменные напряжения.
Измерение коэффициента подавления сигнала между каналами проводят по каждому каналу. Допускается проводить измерения по одному или нескольким каналам, указанным в ТУ на микросхемы конкретных типов.
Обработка результатов измерений
Значение коэффициента подавления сигнала между каналами (Кпод ) в децибелах определяют по формуле
*n«=201g , (8д)
^ВЫХ
—
измеренное
измеренное
действующее напряжение,
PV2, мВ.
измерителем
измерителем
Ї
сигнала меж
действующее напряжение, PV1, мВ;Показатели точности измерений 'Погрешность измерения коэффициента подавления
ду каналами—в пределах ±10% с вероятностью 0,95. При частоте •измерения более 1 МГц ±15% с вероятностью 0,95.
Расчет показателей точности измерения коэффициента подавления сигналамежду каналами приведен в приложении 4 (разд. 1).
МЕТОД ИЗМЕРЕНИЯ ЕМКОСТЕЙ УПРАВЛЯЮЩЕГО ВХОДА,
АНАЛОГОВОГО ВХОДА И ВЫХОДА, ЕМКОСТИ МЕЖДУ
АНАЛОГОВЫМ ВХОДОМ И ВЫХОДОМ
Принцип измерений
Метод основан на измерении падения напряжения на токосъем- шом резисторе, возникающем за счет емкостной реактивной составляющей тока, протекающего через управляющий вход, аналоговый вход (выход), между аналоговым входом и аналоговым выходом, ^вызванного источником синусоидального напряжения.
Допускается измерять емкость управляющего входа, аналогового входа (выхода), емкость между аналоговым входом и аналоговым выходом мостовым методом (см. приложение 5).
Аппаратура
Измерения следует проводить на установках электрические структурные схемы которых приведены на черт. 11—14.
Измерения проводят на малом сигнале, т. е. при изменении амплитуды сигнала генератора G4 в два раза изменение измеряемой емкости не должно выходить за пределы погрешности
^измерения.
Частоту измерения указывают в ТУ на микросхемы конкретных типов из ряда: 100, 465 кГц, 1, 5 10, 30 МГц.
Сопротивление токосъемного резистора (/?) определяют
3 13 условия
(8е)
тде «о— угловая частота измерения;
Сх—измеряемая емкость микросхемы.
В качестве токосъемного резистора может быть использовано входное сопротивление измерителя синусоидального напряженияП
устройством
огрешность, вносимая контактирующимизмерительной установки за счет паразитных емкостей контактов
и монтажа, не должна выходить за пределы ±5% значения изме
ряемого напряжения сигнала.
Схема измерения емкости управляющего входа
DA
DA — измеряемая микросхема; SltS2 Sfn— аналоговые
входы; О/, D2, ... , Dn— аналоговые выходы; U — вывод питания; /ЛД, IN2, ... , IN — управляющие входы; OV — обший вывод; GI—G3 — источники постоянного напряжения: G4 — генератор синусоидального напряжения; SA1 — коммутационное устройство, обеспечивающее подключение источников постоянного напряжения Gl, G2 и генератора G4 к управляющим, входам INI, IN2, ... , IN ; С1 — разделительный конденсатор; С2 — блокировочный конденсатор; R — токосъемный резистор;
PV — измеритель синусоидального напряжения
Черт. 1’1
Е мкость разделительного конденсатора (С/) определяют из условия
(8ж)
где /?о4 — выходное сопротивление генератора синусоидального напряжения
.
Конденсатор СГмоЖет отсутствовать, если генератор G4 имеет на выходе собственный резделительный конденсатор.
Е мкость блокировочного конденсатора С2 определяют из условия
(8з)
Схема, измерения емкости аналогового входа
DA
DA — измеряемая микросхема; SJ, S3, ... , S т— аналоговые входы; D/, D2, ... , Dn— аналоговые выходы; V — вывод питания; ZVA Ш2, ... , — управляющие
ВХОДЫ; О V — общий вывод; G1—G3 — источники ПОСТОЯННОГО напряжения; G4 — генератор синусоидального напряжения; SA1 — коммутационное устройство, обеспечивающее подключение источников постоянного напряжения Gl, G2 к управляющим входам INI, 1N2
5Л2 — переключатель; С1 — разделительный кон' денсатор; С2 — блокировочный конденсатор; R — токосъемный резистор; PV — измеритель синусоидального напряжения
Черт. 12
Выходное сопротивление (Rot ) генератора синусоидального напряжения определяют из условия
10<оСх ‘
Схема измерения емкости аналогового выхода*
DA
ЭЛ — измеряемая микросхема; SI, S2. ... , S — аналоговые входы; DI, D2) ... , Dn— аналоговые выходы; U — вывод питания; INI, 1N2, ... , 1N — управляющие входы; OV — общий вывод; G1—G3 — источники постоянного напряжения; G4 — генератор синусоидального напряжения; SA1 — коммутацией- • ное устройство, обеспечивающее подключение источников постоянного напряжения О/, G2 к управляющим входам INI,. 1N2, ... , IN ; SA2 — переключатель; С1 — разделительный конденсатор; С2 — блокировочный конденсатор; Р — токосъемный резистор; РV — измеритель синусоидального напряжения
Черт. 13
Погрешность измерителя синусоидального напряжение PV не должна выходить за пределы ±5%. Измеритель PV может* быть проградуирован в единицах емкости.
Подготовка и проведение измерений
К измерительной установке подключают вместо микросхемы калибровочный конденсатор С1<л между выводами /V/ » OV (черт. 11), между выводами S1 и OV (черт. 12), между выводами D1 и OV (черт. 13) и между выводами S1 и D1 (черт. 14). Емкость конденсатора Скл должна составлять 50—150% от измеряемой емкости микросхемы. Допустимое отклонение конденсатора* Скл не должно выходить за пределы ±1%.
От генератора G4 подают переменное напряжение.
Измерителем PV измеряют значение напряжения UKJ1.
К измерительной установке подключают измеряемую* микросхему.