Перейти до вмісту
ДНАОП — нормативні документи з охорони праці
ГОСТ 27780-88
/ 7

артом. Полоса пропускания импульсного усилителя устанавлива­ется в ТУ на микросхемы конкретных типов.

  1. Значения сопротивления и емкости нагрузки должны со-

ответствовать указанным в ТУ на микросхемы конкретных типов.в сопротивление нагрузки включают сопротивление нагрузочного резистора и входное сопротивление импульсного усилителя или из­мерителя импульсного напряжения, в емкость нагрузки — емкость нагрузочного конденсатора, входную емкость импульсного усили­теля и емкость монтажа. Значение длительности и периода управ­ляющих импульсов должно быть таким, чтобы в течение времени, равного длительности управляющего импульса, снижение ампли­туды выбросов напряжения не выходило за пределы ±10%. До­пустимое отклонение сопротивления резистора нагрузки не долж­но выходить за пределы ± 1 %, емкости нагрузки — за пределы ±5%.

(Измененная редакция, Изм. № 2).

DA — измеряемая микросхема; SI, S2, ... , X т — аналоговые входы; Di, D2, ’ Dn — аналоговые выходы; INI, IN2 IN — управляющие входы;

U —вывод питания; G1 — генератор импульсов; G2— G5 — источники постоян­ного напряжения; At — устройство, обеспечивающее задание условий из­мерения на аналоговых входах; /?н — сопротивление нагрузки; Сн — ем­кость нагрузки; А2 — импульсный усилитель; Р — измеритель импульсного напряжения; ХД/ — коммутационное устройство, обеспечивающее подключе­ние генератора импульсов G1 и источников постоянного напряжения G? и G3 к управляющим входам INI, 1N2, ... , IN& ; SA2, SA3 — переключатели


Черт. 8

  1. Значения сопротивлений резисторов и емкостей конден­саторов устройства А1 указываются в ТУ на микросхемы конкрет­ных типов. Допустимое отклонение сопротивлений резисторов не должно выходить за пределы ±1%, емкостей конденсаторов — за пределы ±5%.

  1. Подготовка и проведение измерений

    1. К измерительной установке подключают измеряемую мик­росхему.

    2. Переключатель SA2 устанавливают в положение, указан­ное на черт. 8.От источников постоянного напряжения G2—G5 и от ге­нератора импульсов G1 подают напряжения, значения которых указаны в ТУ на микросхемы конкретных типов.

    3. Амплитуду выбросов напряжения измеряют измерителем Р в соответствии с черт. 9.

Uynp.B

Чіых'НВ і

Л — уровень амплитуды выходного импульса

Черт. 9

  1. Амплитуды выбросов напряжения на аналоговом выходе измеряют по каждому каналу. Допускается проводить измерения по одному или нескольким каналам, указанным в ТУ на микросхе­мы конкретных типов.

  2. Допускается измерять амплитуду выбросов напряжения при наличии коммутируемого напряжения. При этом переключа­тель SA2 устанавливают в положение к источнику постоянного на­пряжения G5.

  3. Инжектированный заряд (Q) в пикокулонах рассчиты­вают по формуле

Q—Сн-{7ан,А> (8г)

где t/ан.А —амплитудное значение напряжения на аналоговом вы­ходе, В;

Сн — емкость нагрузки, пФ.

(Измененная редакция, Изм. № 2).

Показатели точности измеренийПогрешность измерения амплитуды выбросов напряжения на аналоговом выходе микросхемы — в пределах ±10% с вероят­ностью 0,95.

Определение показателей точности измерения амплитуды выб­росов напряжения на аналоговом выходе приведено в приложе­нии 3 (разд. 2).

  1. МЕТОД ИЗМЕРЕНИЯ КОЭФФИЦИЕНТА ПОДАВЛЕНИЯ

СИГНАЛА МЕЖДУ КАНАЛАМИ

  1. Принцип измерений

Метод основан на измерении переменной составляющей выход­ного напряжения закрытого канала при подаче на аналоговый вход другого открытого канала коммутируемого напряжения пе­ременного тока.

  1. Аппаратура

    1. Измерения следует проводить на установке, электричес­кая структурная схема которой приведена на черт. 10.

    2. Погрешность измерителей переменного напряжения дол­жна быть в пределах ±5%. Допускается применять в качестве измерителей переменного напряжения PV1 и PV2 измеритель от­ношений.

    3. Погрешность, вносимая контактирующим устройством из­мерительной установки за счет паразитных емкостей контактов, не должна выходить за пределы ±5% значения измеряемого напря­жения сигнала.

    4. Полосовой фильтр А устанавливают при наличии помех.

Погрешность значения коэффициента передачи полосового фильт­ра не должна выходить за пределы ±3%. Полосу пропускания полосового фильтра указывают в ТУ на микросхемы конкретных

типов.

  1. Значение сопротивления нагрузки, сопротивления резис­торов на аналоговых входах, конденсатора нагрузки, блокировоч­ных конденсаторов и конденсатора С2 должны соответствовать указанным в ТУ на микросхемы конкретных типов.

В сопротивление нагрузки включают сопротивление нагрузоч­ного резистора, входное сопротивление полосового фильтра илй измерителя синусоидальных сигналов, в емкость нагрузки — ем­кость нагрузочного конденсатора, входную емкость полосового фильтра или измерителя синусоидальных сигналов и емкость мой- тажа.

Допустимое отклонение сопротивлений резисторов на аналого­вых входах и резисторов нагрузки не должно выходить за пределы ±1%, конденсатора С2 и конденсатора нагрузки — за пределы ±5%.

  1. Подготовка и проведение измерений

Схема измерения коэффициента подавления сигнала между каналами

DA — измеряемая микросхема; SI, S2, ... , S т— аналоговые входы; Dl, D2

D п— аналоговые выходы; U — вывод питания; INI, IN2 IN & — управляющие

входы; GI—G3 — источники постоянного напряжения; G4 — генератор синусои­дального напряжения; SA1 — коммутационное устройство, обеспечивающее под­ключение источников постоянного напряжения Gl, G2 к управляющим входам INI, IN 2, , IN £ ; SA2—SA4 — переключатели; RI — резистор на аналоговом входе от­

крытого канала; R2 — резистор на аналоговом выходе открытого канала; Кн — резистор нагрузки: Сн — конденсатов нагрузки; С1 — блокировочный конденсатор; С2 — конденсатор на аналоговом выходе открытого канала; PV1, PV2 — измери­тели синусоидальных напряжений; А — полосовой фильтр

Черт. 10

    1. К измерительной установке подключают микросхему.

    2. От источников постоянного напряжения G1—G3 и от ге­нератора синусоидального напряжения G4 подают напряжения, указанные в ТУ на микросхемы конкретных типов.

    3. Измерителями синусоидального напряжения PV1 и PV2 измеряют переменные напряжения.

    4. Измерение коэффициента подавления сигнала между ка­налами проводят по каждому каналу. Допускается проводить из­мерения по одному или нескольким каналам, указанным в ТУ на микросхемы конкретных типов.

  2. Обработка результатов измерений

Значение коэффициента подавления сигнала между каналами (Кпод ) в децибелах определяют по формуле

*n«=201g , (8д)

^ВЫХ

—

измеренное

измеренное

действующее напряжение,


PV2, мВ.

измерителем

измерителем

Ї

сигнала меж­

действующее напряжение, PV1, мВ;

  1. Показатели точности измерений 'Погрешность измерения коэффициента подавления

ду каналами—в пределах ±10% с вероятностью 0,95. При частоте •измерения более 1 МГц ±15% с вероятностью 0,95.

Расчет показателей точности измерения коэффициента подав­ления сигналамежду каналами приведен в приложении 4 (разд. 1).

  1. МЕТОД ИЗМЕРЕНИЯ ЕМКОСТЕЙ УПРАВЛЯЮЩЕГО ВХОДА,

АНАЛОГОВОГО ВХОДА И ВЫХОДА, ЕМКОСТИ МЕЖДУ

АНАЛОГОВЫМ ВХОДОМ И ВЫХОДОМ

  1. Принцип измерений

Метод основан на измерении падения напряжения на токосъем- шом резисторе, возникающем за счет емкостной реактивной состав­ляющей тока, протекающего через управляющий вход, аналоговый вход (выход), между аналоговым входом и аналоговым выходом, ^вызванного источником синусоидального напряжения.

Допускается измерять емкость управляющего входа, аналого­вого входа (выхода), емкость между аналоговым входом и анало­говым выходом мостовым методом (см. приложение 5).

  1. Аппаратура

    1. Измерения следует проводить на установках электричес­кие структурные схемы которых приведены на черт. 11—14.

    2. Измерения проводят на малом сигнале, т. е. при измене­нии амплитуды сигнала генератора G4 в два раза изменение из­меряемой емкости не должно выходить за пределы погрешности

^измерения.

  1. Частоту измерения указывают в ТУ на микросхемы кон­кретных типов из ряда: 100, 465 кГц, 1, 5 10, 30 МГц.

  2. Сопротивление токосъемного резистора (/?) определяют

3 13 условия

(8е)

тде «о— угловая частота измерения;

Сх—измеряемая емкость микросхемы.

  1. В качестве токосъемного резистора может быть использовано входное сопротивление измерителя синусоидального напряженияП

    устройством

    огрешность, вносимая контактирующим

измерительной установки за счет паразитных емкостей контактов

и монтажа, не должна выходить за пределы ±5% значения изме­

ряемого напряжения сигнала.

Схема измерения емкости управляющего входа

DA

DA — измеряемая микросхема; SltS2 Sfn— аналоговые

входы; О/, D2, ... , Dn— аналоговые выходы; U — вывод питания; /ЛД, IN2, ... , IN — управляющие входы; OV — об­ший вывод; GI—G3 — источники постоянного напряжения: G4 — генератор синусоидального напряжения; SA1 — коммутационное устройство, обеспечивающее подключение источников постоян­ного напряжения Gl, G2 и генератора G4 к управляющим, входам INI, IN2, ... , IN ; С1 — разделительный конденсатор; С2 — блокировочный конденсатор; R — токосъемный резистор;

PV — измеритель синусоидального напряжения

Черт. 1’1

  1. Е мкость разделительного конденсатора (С/) определяют из условия

(8ж)

где /?о4 — выходное сопротивление генератора синусоидального напряжения

.

Конденсатор СГмоЖет отсутствовать, если генератор G4 имеет на выходе собственный резделительный конденсатор.

Е мкость блокировочного конденсатора С2 определяют из усло­вия

(8з)

Схема, измерения емкости аналогового входа

DA


DA — измеряемая микросхема; SJ, S3, ... , S т— ана­логовые входы; D/, D2, ... , Dn— аналоговые выходы; V — вывод питания; ZVA Ш2, ... , — управляющие

ВХОДЫ; О V — общий вывод; G1—G3 — источники ПО­СТОЯННОГО напряжения; G4 — генератор синусоидального напряжения; SA1 — коммутационное устройство, обес­печивающее подключение источников постоянного на­пряжения Gl, G2 к управляющим входам INI, 1N2

5Л2 — переключатель; С1 — разделительный кон' денсатор; С2 — блокировочный конденсатор; R — токо­съемный резистор; PV — измеритель синусоидального напряжения

Черт. 12

  1. Выходное сопротивление (Rot ) генератора синусоидаль­ного напряжения определяют из условия

10<оСх ‘

Схема измерения емкости аналогового выхода*

DA

ЭЛ — измеряемая микросхема; SI, S2. ... , S — аналоговые входы; DI, D2) ... , Dn— аналоговые выходы; U — вывод пи­тания; INI, 1N2, ... , 1N — управляющие входы; OV — общий вывод; G1—G3 — источники постоянного напряжения; G4 — генератор синусоидального напряжения; SA1 — коммутацией- • ное устройство, обеспечивающее подключение источников по­стоянного напряжения О/, G2 к управляющим входам INI,. 1N2, ... , IN ; SA2 — переключатель; С1 — разделительный конденсатор; С2 — блокировочный конденсатор; Р — токо­съемный резистор; РV — измеритель синусоидального напря­жения

Черт. 13

    1. Погрешность измерителя синусоидального напряжение PV не должна выходить за пределы ±5%. Измеритель PV может* быть проградуирован в единицах емкости.

  2. Подготовка и проведение измерений

    1. К измерительной установке подключают вместо микро­схемы калибровочный конденсатор С1<л между выводами /V/ » OV (черт. 11), между выводами S1 и OV (черт. 12), между выво­дами D1 и OV (черт. 13) и между выводами S1 и D1 (черт. 14). Емкость конденсатора Скл должна составлять 50—150% от изме­ряемой емкости микросхемы. Допустимое отклонение конденсатора* Скл не должно выходить за пределы ±1%.

    2. От генератора G4 подают переменное напряжение.

    3. Измерителем PV измеряют значение напряжения UKJ1.

    4. К измерительной установке подключают измеряемую* микросхему.

Побачили розбіжність з офіційним текстом?

Повідомити про неточність

Напишіть, що саме розходиться з офіційною публікацією. Код документа вкажіть у повідомленні — так ми швидше знайдемо потрібне місце.

Перейти до форми зворотного зв'язку

Дивіться також

Весь розділ →