ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ
СОЮЗА ССР
ПРИБОРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ
ОПТОЭЛЕКТРОННЫЕ
ТЕРМИНЫ, ОПРЕДЕЛЕНИЯ
И БУКВЕННЫЕ ОБОЗНАЧЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ
ГОСТ 27299—87
(СТ СЭВ 3787-82)
Издание официально
е
Цена 10 коп.
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР ПО СТАНДАРТАМ
Москва
УДК 621.382:001.4:006.354 Группа ЭОО
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮЗА ССР ■вв^жавшікваввмаамваііммвввавя
П
ГОСТ 27299-87 (СТ СЭВ 3787—82)
РИБОРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ОПТОЭЛЕКТРОННЫЕ Термины, определения и буквенные обозначения параметров Semiconductor optoelectronic devices.Terms, definitions and letter symbols of parameters
ОКСТУ 620'1
Дата введения 01.07.88
Настоящий стандарт устанавливает термины, определения и буквенные обозначения параметров полупроводниковых излучателей, оптопар, оптоэлектронных переключателей логических сигналов, оптоэлектронных коммутаторов аналогового сигнала и оптоэлектронных коммутаторов нагрузки.
Термины и буквенные обозначения, установленные настоящим стандартом, обязательны для применения во всех видах документации и литературы, входящих в сферу действия стандартизации или использующих результаты этой деятельности.
Стандартизованные термины, буквенные обозначения и определения приведены в табл. 1.
Для каждого понятия установлен один стандартизованный термин. Применение терминов — синонимов стандартизованного термина не допускается. Недопустимые к применению термины- синонимы приведены в табл. 1 в качестве справочных и обозначены пометой «Ндп».
Для отдельных стандартизованных терминов в табл. 1 приведены в качестве справочных краткие формы, которые разрешается применять в случаях, исключающих возможность их различного толкования.
Приведенные определения можно при необходимости изменять, вводя в них производные признаки, раскрывая значения используемых в них терминов, указывая объекты, входящие в объем и содержание понятий, определенных в данном стандарте.
В случаях, когда в термине содержатся все необходимые и достаточные признаки понятия, определение не приведено и в графе «Определение» поставлен прочерк.
В
Издание официальное
Перепечатка воспрещена
Алфавитные указатели содержащихся в стандарте терминов на русском и английском языках приведены в табл. 2 и 3.
Стандартизованные термины набраны полужирным шрифтом, их краткая форма — светлым, а недопустимые синонимы — курсивом.
|
Таблица 1 |
||||
|
Термин |
Буквенное обозначение |
Определение |
||
|
отечественное |
международное |
|||
|
ПАРАМЕТРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ИЗЛУЧАТЕЛЕЙ |
||||
|
1. Поток излучения Radiant flux |
Фе[Р] |
Фе |
По ГОСТ 7601-78 |
|
|
2. Мощность излучения полупроводникового излучателя Мощность излучения Radiant power |
Л |
р. |
Суммарный поток излучения на выходе полупроводникового излучателя |
|
|
З. Сила излучения Radiant intensity |
/ = |
/. |
По ГОСТ 7601-78 |
|
|
4. Энергетическая яркость Radiance |
|
£е |
По ГОСТ 7601-78 |
|
|
5, Диаграмма направленности излучения полупроводникового излучателя Диаграмма. направленности излучения Radiation diagram |
|
|
Диаграмма, характеризующая пространственное распределение излучения от полупроводникового излучателя относительно его оптической оси |
|
|
6. Угол излучения полупроводникового излучателя Угол излучения Half-intensity beam |
е |
0е |
Плоский угол, содержащий оптическую ось полупроводникового излучателя и образованный направлениями, в которых сила излучения больше или равна половине ее максимального значения |
|
Продолжение табл. 1
|
Термин |
Буквенное обозначение |
Определение |
|
|
отечественное |
международное |
||
|
7. Длина волны максимума излучения полупроводникового излу чателя Дли?'і волны излучения Pea’ emission wavelength |
Xmax |
2.Р |
Длина волны, соответствующая максимуму спектральной плотности потока излучения полупроводникового излучателя |
|
8. Ширина спектра излучения полупроводникового излучателя Ширина спектра Spectral radiation bandwidth |
ДХо,5 |
ЛК |
Интервал длин волн, в котором спектральная плотность мощности излучения больше или равна половине ее максимального значения |
|
9. Длительность импульса излучения полупроводникового излучателя Длительность импульса излучения |
^имп |
|
Интервал времени, в течение которого сила излучения полупроводникового излучателя больше или равна половине ее максимального значения |
|
10. Оптическая ось полупроводникового излучателя Оптическая ось Optical axis |
— |
— |
Линия, по отношению к которой отцентрирована диаграмма направленности полупроводникового излучателя |
|
11. Геометрическая ось полупроводникового излучателя Геометрическая ось Mechanical axis |
— |
—1 |
Воображаемая линия, по отношению к которой отцентрирован корпус полупроводникового излучателя |
|
12. Угол расхождения Squinting angle |
О |
О |
Угол между оптической и геометрической осями полупроводникового излучателя |
|
13. Постоянный прямой ток полупроводникового излучателя Постоянный прямой ток Continuous (direct) forward current |
/пр |
If |
Значение постоянного тока, протекающего через полупроводниковый излучатель в прямом направлении |
|
Термин |
Буквенное обозначение |
Определение |
|
|
отечественное |
международное |
||
|
14. Импульсный прямой ток полупроводникового излучателя Импульсный прямой ток Peak forward current |
/пр.и |
/fm |
Наибольшее мгновенное значение прямого тока, протекающего через полупроводниковый, излучатель, при заданной скважности и длительности импульса |
|
1'5. Средний прямой ток полупроводникового излучателя Средний прямой ток Average forward current |
-Лір.ср |
! F(AV) |
Среднее за период значение прямого тока, протекающего через полупроводниковый излучатель |
|
16. Постоянный обратный ток полупроводникового излучателя Постоянный обратный ток Reverse continuous current |
/обр |
|
Значение постоянного тока, протекающего через полупроводниковый излучатель в обратном- направлении при заданном обратном напряжении |
|
17. Постоянное прямое напряжение полупроводникового излучателя Постоянное прямое напряжение Continuous (direct) forward voltage |
Unp |
U? |
Значение постоянного- напряжения на полупроводниковом излучателе при заданном постоянном прямом токе |
|
18. Импульсное прямое напряжение полупроводникового излучателя Импульсное прямое напряжение Maximum peak forward voltage |
Л^пр.И |
|
Наибольшее мгновенное значение прямого напряжения на полупроводниковом излучателе при заданном импульсном прямом токе |
|
1& Постоянное обратное напряжение полупроводникового излучателя Постоянное обратное напряжение Reverse continuous voltage |
Уобр |
и* |
Значение постоянного напряжения, приложенного к полупроводниковому излучателю в обратном направлении |
Продолжение табл. 1
|
Термин |
Буквеввое обозначеаве |
Определение |
|
|
отечественное |
международное |
||
|
20. Импульсное обратное напряжение полупроводникового излучателя Импульсное обратное напряжение Peak reverse voltage |
|
— |
Наибольшее мгновенное значение обратного напряжения на полупроводниковом излучателе |
|
21. Напряжение пробоя полупроводникового излучателя Напряжение пробоя Breakdown voltage |
{/проб |
|
Значение обратного напряжения, вызывающего пробой перехода, при котором обратный ток через полупроводниковый излучатель превышает заданное значение |
|
22. Общая емкость по- .лупроводникового излучателя Общая емкость Total capacitance |
С |
Ctot |
Значение емкости между выводами полупроводникового излучателя при заданных напряжении смещения и частоте |
|
23. Емкость перехода полупроводникового излучателя Емкость перехода л |
Спер |
Cj |
Значение емкости между выводами полупроводникового излучателя без емкости корпуса при заданных напряжении смещения и частоте |
|
24. Динамическое сопротивление полупроводникового излучателя Динамическое сопротивление Dynamic resistance |
/?ДИН |
/?D |
Значение сопротивления, определяемое по наклону прямой, аппроксимирующей вольт- амперную характеристику полупроводникового излучателя при заданном прямом токе |
|
25. Средняя рассеиваемая мощность полупроводникового излучателя Средняя рассеиваемая мощность Average power dissipation |
Р рас>ср |
PAV |
Среднее за период значение мощности, рассеиваемой полупроводниковым излучателем при протекании тока в прямом и обратном направлениях |
■3 Зак. 1373
|
Термин |
Буквенное обозначение |
Определение |
||
|
отечественное |
международное |
|||
|
26. Импульсная рассеиваемая мощность полупроводникового излу чателя Импульсная рессеи- ваемая мощность Maximum peak power |
Ррас.и |
Рм |
Наибольшее мгновенное значение мощности, рассеиваемой полупроводниковым излучателем при подаче импульсов с заданной длительностью и скважностью |
|
|
27. Время нарастания импульса излучения полупроводникового излучателя Время нарастания импульса Rise time |
Агр.яз |
/г |
Интервал времени, в течение которого сила излучения полупроводникового излучателя изменяется от 10 до 90 % своего максимального значения |
|
|
26. Время спада импульса излучения полупроводникового излучателя Время спада импульса Fall time |
^сп.иэ |
6 |
Интервал времени, в течение которого сила излучения полупроводникового излучателя изменяется от 90 до 10. % своего максимального значения |
|
|
29. Время задержки при включении импульса излучения полупроводникового излучателя Время задержки при включении Е. Turn-on delay time |
^зд.яз |
ti |
Интервал времени между 10 % значения импульса тока и 10 % значения импульса силы излучения полупроводникового излучателя, измеренный по фронту импульсов |
|
|
30. Световой поток Luminous flux |
фу |
фу |
По ГОСТ 7604—7« |
|
|
31. Тепловое сопротивление полупроводникового излучателя Тепловое сопротивление Total thermal resistance |
Я пер-кор |
^th-ja |
Отношение разности эффективной температуры перехода и температуры контрольной точки на корпусе полупроводникового излучателя к рассеиваемой мощности излучателя в установившемся режиме |
|
|
02. Температурный коэффициент прямого напряжения полупроводникового излучателя Температурный коэффициент прямого напряжения Forward voltage temperature coefficient |
а, у пр |
|
Отношение относи тельного изменения прямого напряжения полупроводникового излучателя к вызвавшему его абсолютному изменению температуры окружающей среды |
|
