Продолжение табл. 2
|
Термин |
Номер термина |
|
Ток потребления выходного напряжения высокого уровня интегральной микросхемы Ток потребления выходного напряжения низкого уровня Ток потребления выходного напряжения низкого уровня интегральной микросхемы Ток потребления динамический Ток потребления интегральной микросхемы Ток потребления интегральной микросхемы динамический Ток потребления 1-го источника питания Ток потребления 1-го источника питания интегральной микросхемы Ток потребления при высоком уровне управляющего напряжения Ток потребления при высоком уровне управляющего напряжения интегральной микросхемы Ток потребления при низком уровне управляющего напряжения Ток потребления при низком уровне управляющего напряжения интегральной микросхемы Ток потребления средний Ток потребления интегральной микросхемы средний Ток сигнала адреса Ток сигнала адреса интегральной микросхемы Ток сигнала выбора Ток сигнала выбора интегральной микросхемы Ток сигнала выбора адреса столбцов Ток сигнала выбора адреса столбцов интегральной микросхемы Ток сигнала выбора адреса строк Ток сигнала выбора адреса строк интегральной микросхемы Ток сигнала входной информации Ток сигнала входной информации интегральной микросхемы Ток сигнала выходной информации Ток сигнала выходной информации интегральной микросхемы Ток сигнала записи Ток сигнала записи интегральной микросхемы Ток сигнала запись-считывание Ток сигнала запись-считывание интегральной микросхемы Ток сигнала разрешения Ток сигнала разрешения интегральной микросхемы Ток сигнала стирания Ток сигнала стирания интегральной микросхемы Ток сигнала считывания Ток сигнала считывания интегральной микросхемы Ток тактового сигнала Ток тактового сигнала интегральной микросхемы Ток управления Ток управления интегральной микросхемы Ток утечки Ток утечки аналогового входа |
202 20'1 20'1 160 2.0 460 159 159 1.39 139 138 138 203 203 265 265 267 267 273 273 274 274 257 257 260 260 263 263 266 266 270 270 271 271 264 264 272 272 <7 7 19 134 |
134 135
135
171
171
173
173
19
168 168
169
169
170
170 172
172 112 112
81 «1
57
57
58
58
56
■56
210
96 96 50
50
84
84 55
55
54
54 49
48
49
Ток утечки аналогового входа интегральной микросхемы
Ток утечки аналогового выхода
Ток утечки аналогового выхода интегральной микросхемы
Ток утечки высокого уровня на входе
Ток утечки высокого уровня на входе интегральной микросхемы
Ток утечки высокого уровня на выходе
Ток утечки высокого уровня на выходе интегральной микросхемы
Ток утечки интегральной микросхемы
Ток утечки на входе
Ток утечки на входе интегральной микросхемы
Ток утечки на выходе
Ток утечки на выходе интегральной микросхемы
Ток утечки низкого уровня на входе
Ток утечки низкого уровня на входе интегральной микросхемы
Ток утечки низкого уровня на выходе
Ток утечки низкого уровня на выходе интегральной микросхемы
Ток холостого хода
Ток холостого хода интегральной микросхемы
Ток шума нормированный
Ток шума интегральной микросхемы нормированный
Частота входного сигнала
Частота входного сигнала интегральной микросхемы
Частота генерирования
Частота генерирования интегральной микросхемы
Частота единичного усиления
Частота единичного усиления интегральной микросхемы
Частота интегральной микросхемы рабочая
Частота квазирезонанса
Частота квазирезонанса интегральной микросхемы
Частота коммутации
Частота коммутации интегральной микросхемы
Частота полной мощности
Частота полной мощности интегральной микросхемы
Частота полосы задерживания верхняя
Частота полосы задерживания интегральной микросхемы верхняя
Частота полосы задерживания интегральной микросхемы нижняя
Частота полосы задерживания нижняя
Частота полосы пропускания граничная верхняя
Частота полосы пропускания граничная нижняя
Частота полосы пропускания интегральной микросхемы граничная верхняя
Частота полосы пропускания интегральной микросхемы граничная нижняя
51 51
210 95
95 190
190
S3 83 149 149
34
34
80
Продолжение табл. 2
Н
Термин
омер терминаЧастота полосы пропускания интегральной микросхемы центральная
Частота полосы пропускания центральная
Частота рабочая
Частота резонанса
Частота резонанса интегральной микросхемы
Частота следования импульсов тактовых сигналов
Частота следования импульсов тактовых сигналов интегральной микросхемы
Частота среза
Частота среза интегральной микросхемы
Частота управляющего напряжения
Частота управляющего напряжения интегральной микросхемы
Чувствительность
Чувствительность интегральной микросхемы
ЭДС шума нормированная
АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ
НА АНГЛИЙСКОМ ЯЗЫКЕ
Таблица 3
|
Гермин |
Номер термина |
|
Access time |
277 |
|
Common-mode rejection ratio |
05 |
|
Common-mode voltage amplification |
64 |
|
Cycle time |
181 |
|
Delay time |
00 |
|
Differential-mode voltage amplification |
67 |
|
Fall time |
31 |
|
Feedback sense voltage |
T08 |
|
Frequency of unity (open loop) amplification |
56 |
|
Hold time |
278 |
|
Input offset voltage Input stabilization coefficient |
38 |
|
Input transient current recovery time |
121 |
|
Input transient voltage recovery time |
115 |
|
Input voltage operating range |
114 |
|
Load stabilization coefficient |
90 |
|
Open-loop cut-off freguency Output current drift Output noise voltage Output voltage drift |
1122 80 125 39 124 107 109 281 123 59 ЗО 180 21 178 |
|
Output voltage operating range Reference voltage |
|
|
Refresh time interval Ripple rejection ratio Ripple time Rise time Set-up time Short-circuit current Valid time |
АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ
НА ФРАНЦУЗСКОМ ЯЗЫКЕ
Таблица 4
|
Гермин |
Номер термина |
|
Amplification en tension en mode commun |
64 |
|
Amplification en tension en mode differentiel |
‘67 |
|
Coefficient de stabilisation en fonction de la charge |
122 |
|
Coefficient de stabilisation en fonction de la tension d’entree |
121 |
|
Courant de court-circuit |
|
|
Derive de la tension de sortie |
21 |
|
Derive du courant de sortie |
Л 24 |
|
Domaine de fonctionnement de la tension d’entree |
125 |
|
Domaine de fonctionnement de la tension de sortie |
SO |
|
Frequence de coupure en boucle ouverte |
107 |
|
Frequence pour [’amplification unite |
$3 |
|
Intervalle de temps de rafraichissement |
56 |
|
Taux de rejection en mode commun |
281 |
|
Taux de rejection de 1’ondulation residuelie |
‘65 |
|
Temps d’acces |
123 |
|
Temps de croissance |
277 |
|
Temps de cycle |
ЗО |
|
Temps de decroissance |
1-8'1 |
|
Temps de delai |
ЭД |
|
Temps de maintien |
60 |
|
Temps de preparation |
278 |
|
Temps de recourement de la tension transitoire a 1’entree |
1 OU |
|
Temps de recouvrement du courant transitoire a l’entree |
114 |
|
'lemps de vacillement |
'lib |
|
Temps de validation |
59 |
|
Tension de bruit en sortie |
178 |
|
Tension de decalage |
39 |
|
Tension de lecture de contre-reaction |
00 |
|
Tension de reference |
■HJJo 109 |
ПРИЛОЖЕНИЕ
Справочное
МЕТОДИКА ОБРАЗОВАНИЯ БУКВЕННЫХ ОБОЗНАЧЕНИЙ
ПРОИЗВОДИМЫХ ПАРАМЕТРОВ МИКРОПРОЦЕССОРНЫХ И
ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ ЗАПОМИНАЮЩИХ УСТРОЙСТВ
I. Для буквенных обозначений производных параметров используют следующий способ записи: Хуі- zj*,
где X — буквенное обозначение параметра, установленное настоящим стандартом;
у, z — подстрочные индексы буквенных обозначений входных и (или) выходных сигналов, приведенных в табл. 5;
i, j — цифровые индексы соответствующих входов и (или) выходов, равные 0, 1, 2, 3... п, где п — число входов и (или) выходов.
При однозначном понимании допускаются следующие сокращенные формы записи: Ху, z; Xу1; Ху; X.
Таблица 5
|
Наименование направления перехода сигнала |
Обозначение |
|
|
отечественное |
международное |
|
|
Для перехода из состояния низкого уровня |
|
LH |
|
в состояние высокого уровня Для перехода из состояния высокого уров- |
01 |
|
|
ня в состояние низкого уровня |
10 |
HL |
♦ Данный способ записи используют для микропроцессорных интегральных микросхем.
Для обозначений временных параметров сигналов необходимо использовать следующий способ записи: ^Ai(BC—de)f,
где /а — вид временного параметра;
і—порядковый номер параметра (1,2...п);
В — наименование сигнала в соответствии с перечнем, приведенным в табл 6, состояние которого изменяется первым;
С — направление перехода сигнала В;
D — наименование сигнала в соответствии с перечнем, приведенным в табл. 6, состояние которого изменяется последним, т. е. в конце временного интервала;
Е — направление перехода сигнала D;
F — дополнительная информация в соответствии с перечнем, приведенным в табл. 9.
Для направления перехода сигнала С и Е используют обозначения в соответствии с табл. 5.
При однозначном понимании допускается первый индекс в обозначении направления перехода сигнала С и Е опускать.
Таблица S
|
Наименование сигнала |
Обозначение |
||
|
отечественное |
международное |
||
СИГНАЛЫ, ОБЩИЕ ДЛЯ МИКРОПРОЦЕССОРНЫХ И ИНТЕГРАЛЬНЫХ
МИКРОСХЕМ ЗАПОМИНАЮЩИХ УСТРОЙСТВ
|
1. Адрес |
а |
А |
|
2. Выбор микросхемы |
в.м |
CS |
|
3. Запись |
зп |
WR |
|
4. Считывание (чтение) |
сч |
RD |
|
5. Тактовый |
т |
С |
|
6. Разрешение |
р |
СЕ |
|
7. Запись-считывание |
зп.сч |
1VR/RD |
|
8. Адрес-данные |
а.д |
AD |
СИГНАЛЫ, ХАРАКТЕРНЫЕ ДЛЯ МИКРОПРОЦЕССОРНЫХ
ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ
|
9. Авария источника питания |
а.и.п |
PSB |
|
10. Авария сети питания |
а.с.п |
PNB |
|
11 Арифметический сдвиг |
а.с.д |
AS |
|
12. Асинхронный |
асх |
ASYN |
|
13. Вектор |
вс |
REC |
|
14. Внешний |
вн |
EXT |
|
15. Вывод для подключения кварцевого |
К1 |
BQ1 |
|
езонатора |
К2 |
BQ2 |
|
16. Выход |
вых |
О |
|
17. Вход |
вх |
I |
|
18. Блокировка |
б л |
DE |
|
19. Ведомый |
вдм |
SV |
|
20. Ведущий |
вдщ |
MS |
|
21. Восстановление |
ВС |
REC |
|
22. Вычитание |
вч |
SUB |
|
23. Генерация |
ГП |
GEN |
|
24. Готовность |
ГТ |
RA |
|
25. Графический символ |
ГС |
GRS |
|
26. Данные |
д |
D |
|
27. Деление |
дл |
DIV |
|
28. Декремент 1 |
—1 |
DECI |
|
29. Декремент 2 |
—2 |
DEC2 |
|
30. Доступ |
де |
AC |
|
31. Запрос |
зпр |
RQ |
|
32. Заем |
зм |
BR |
|
33. Зависание |
звс |
HG |
|
34. Задатчик |
зд |
DR |
|
35. Захват |
зх |
TR |
|
36. Знак |
зн |
SI |
|
37. Инкремент 1 |
+ 1 |
INCI |
|
38. Инкремент 2 |
+2 |
INC2 |
|
39. Инкремент 1/Декремент 1 |
+1/-1 |
1 NCI/DECI |
|
40. Исполнитель |
И СП |
PF |
