ГОСТ 19480-89. Микросхемы интегральные. Термины, определения и буквенные обозначения электрических параметров (73600)






I p. 10 коп. БЗ 12—89/1048


ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ
СОЮЗА ССР

МИКРОСХЕМЫ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ

ТЕРМИНЫ, ОПРЕДЕЛЕНИЯ И БУКВЕННЫЕ
ОБОЗНАЧЕНИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ

ГОСТ 19480-89

(СТ СЭВ 1817 — 88, СТ СЭВ 4755-84,

СТ СЭВ 4756-84)

Издание официальное

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР ПО УПРАВЛЕНИЮ
КАЧЕСТВОМ ПРОДУКЦИИ И СТАНДАРТАМ
Москв

а

Группа ЭОО

Г ОС У Д А PC ТВ Е НН Ы И


СТ АНДА Р Т СО Ю ЗА С С Р


УДК 621.382.82:001.4:006.354

М

ГОСТ

: 19480—89 i>«

(СТ СЭВ 1817—88,
СТ СЭВ 4755—84,
СТ СЭВ 4756—84)

ИКРОСХЕМЫ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ

Термины, определения и буквенные обозначения
электрических параметров

г Integrated circuits; Termsi definitions and letter symbols of electrical parameters

ОКСТУ 6301

Дата введения 01.0V.91

Настоящий стандарт устанавливает термины, определения и буквенные- обозначения электрических параметров интегральных микросхем.

Термины и буквенные обозначения, установленные Настоящим стандартом, обязательны для применения во всех видах докумен­тации й литературы, входящих в сферу работ по стандартизации или использующих результаты; втих работ.

Международные буквенные обозначения обязательны для. при­менения в технической документации, предназначенной для экс­портных поставок.

  1. Стандартизованные термины с определениями и буквенные обозначения приведены в табл. 1.

  2. Для каждого понятия установлен один стандартизованный термин. ■ ■ ’ .,.'1

Применение терминов — синонимов стандартизованного терми­на не допускается. Недопустимые к применению термины-синонимы приведены в табл. 1 в качестве справочных и обозначены пометой «Ндп». м

,2.1. Для отдельных стандартизованных терминов в табл. 1 при­ведены в качестве справочных краткие формы, которые разреша­ется применять в случаях, исключающих возможность их различ- ного;толкования.

  1. Приведенные определения можно, при необходимости, из­менять, вводя в них производные признаки, раскрывая значения используемых в них терминов, указывая объекты, входящие в объ­ем определяемого понятия. Изменения не должны нарушать объем и содержание понятий, определенных в данном стандарте.

    1. В

      Издание официальное


      Перепечатка воспрещена


      случаях, когда в термине содержатся все необходимые и достаточные признаки понятия, определение не приведено и в графе «Определение» поставлен прочерк.

    2. В табл. 1 в качестве справочных приведены иноязычные эквиваленты для ряда стандартизованных терминов на английском (Е) и французском (F) языках.

  2. Алфавитные указатели содержащихся в етандарте терминов на русском языке и их иноязычных эквивалентов приведены в табл. 2—4.

  3. Методика образования буквенных обозначений производных параметров приведена в приложении.

  4. Стандартизованные термины набраны полужирным шриф­том, их краткая форма — светлым, а недопустимые синонимы — курсивом-.

Таблица 1

Термин

Буквенное обозначение

Определение

отечест­венное

между­народное



ОБЩИЕ ПОНЯТИЯ

1. Параметр интеграль­ной микросхемы

Параметр

X

X

2. Номинальное значе­ние параметра интег­ральной микросхемы

Номинальное значение параметра

X НОМ

ПОТП

3. Диапазон значений параметра интегральной микросхемы

Диапазон значений па­раметра

6Х

——

4. Допустимый диапа­зон значений параметра интегральной микросхе­мы

Допустимый диапазон значений параметра

6ХД„

—•

5. Отклонение пара­метра интегральной мик­росхемы

Отклонение парамет­ра

ЛХ




Величина, характеризую­щая свойства или режимы работы интегральной микро­схемы

Значение параметра ин­тегральной микросхемы, за­данное в нормативно-техни­ческой документации и яв­ляющееся исходным для от­счета отклонений

Область, в которую ук­ладываются значения па­раметров всех интеграль­ных микросхем данного ти­па или партии однотипных интегральных микросхем при заданном уровне дове­рительной вероятности

Разброс значений пара­метра интегральной микро­схемы, указанной в норма­тивно-технической докумен­тации

Разность между действи­тельным значением пара­метра интегральной микро­схемы и его номинальным значением




Продолжение табл. 1

Термин

Буквенное обозначение

Определение

отечест­венное

между­народное

6. Относительное отк­лонение параметра ин­тегральной микросхемы

Относительное откло­нение параметра

ДХотН

—

Отношение отклонения п а раметр а и нтег р альной

микросхемы к его номи­нальному значению

7. Напряжение (ток) управления интегральной микросхемы

Напряжение (ток) уп-

Хупр


Напряжение (ток) уп­равляющее функциональ­ным назначением интег­

ральной микросхемы

8. Температурный ко­эффициент параметра ин­тегральной микросхемы

Температурный коэф­фициент параметра

ах

а»

Отношение изменения па­раметра интегральной мик­росхемы к вызвавшему его изменению температуры ок­ружающей среды

9. Нестабильность па­раметра интегральной микросхемы

Нестабильность пара­метра

Д-^нст

— 1-'

Отношение относительно­го отклонения параметра интегральной микросхемы к вызвавшему его дистаби­лизирующему фактору

10. Максимальное зна­чение параметра интег­ральной микросхемы

Максимальное значе­ние параметра

■^тах

■^тах

Наибольшее значение па­раметра интегральной мик­росхемы. при котором за­данные параметры соот­ветствуют заданным значе­ниям

11. Минимальное зна­чение параметра интег­ральной микросхемы

Минимальное значение параметра

V min

Л

Наименьшее значение па­раметра интегральной мик­росхемы, при котором за­данные параметры соответ­ствуют заданным значениям



ПАРАМЕТРЫ, ОБЩИЕ ДЛЯ ЦИФРОВЫХ И АНАЛОГОВЫХ
ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ

12. Напряжение пита­

Un

Ucc

Значение напряжения на

ния интегральной микро­схемы

Напряжение питания



выводах питания интег­ральной микросхемы

13. Входное напряже­ние интегральной микро­схемы

Входное напряжение

Un

Ui

Напряжение на входе ин­тегральной микросхемы в заданном режиме

14. Выходное напря­жение интегральной мик­росхемы

Выходное напряжение

Una

Uo

Напряжение на выходе интегральной микросхемы, в заданном режиме

Термин

Буквенное обозначение

Определение

отечест­венное

между­народное

15. Напряжение сра­батывания интегральной микросхемы

Напряжение срабаты­вания

U срб

І7іт + 6/itp

Наименьшее постоянное напряжение на входе, при котором происходит пере­ход интегральной микро­схемы из одного устойчиво­го состояния в другое

16. Напряжение отпу­скания интегральной

микросхемы

Напряжение отпуска- •ния

£/отп

і/іт-

U1T N

Наибольшее постоянное напряжение на входе, при котором происходит пере­ход интегральной микро­схемы из одного устойчи­вого состояния в другое

17. Входной ток ин­тегральной микросхемы

Входной ток

/вх

fl

Ток, протекающий во входной цепи интегральной микросхемы в заданном ре­жиме

18. Выходной ток ин­тегральной микросхемы

Выходной ток

Лых

Io

Ток, протекающий в це­пи нагрузки интегральной микросхемы в заданном режиме

19. Ток утечки интег­ральной микросхемы

Ток утечки

/ УТ

4

Ток в цепи интегральной микросхемы при закрытом состоянии цепи и заданных режимах на остальных вы­водах

20. Ток потребления интегральной микросхе­мы

Ток потребления

/пот

Icc

Ток, потребляемый интег­ральной микросхемой от ис­точников питания в задан­ном режиме

21. Ток короткого за­мыкания интегральной микросхемы

Ток короткого замы- . кания

  1. Short-circuit current

  2. Courant de court-cir- euit

/ КЗ

los

Выходной ток интеграль­ной микросхемы при зако­роченном выходе

22. Потребляемая мощ­ность интегральной мик- фосхемы

' Потребляемая мощ­ность

Р пот

Paa

Мощность, потребляемая интегральной микросхемой, работающей в заданном ре­жиме, от соответствующего источника питания

23. Рассеиваемая мощ­ность интегральной мик­росхемы

Рассеиваемая мощ­ность

Р рас

P tot

Мощность, рассеиваемая интегральной микросхемой, работающей в заданном режиме



Продолженис табл. 1

Термин

Буквенное обозначение

Определение * >

отечест­венное

между­народное

24. Входное сопротив­ление интегральной мик­росхемы

Входное сопротивле­ние

RbX

Ri

Отношение приращения входного напряжения ин­тегральной микросхемы к приращению активной со­ставляющей входного тока при заданной частоте сиг­нала

25. Выходное сопро­тивление интегральной микросхемы

Выходное сопротивле­ние

^вых

Ro

Отношение приращения выходного напряжения ин­тегральной микросхемы к вызвавшему его прираще­нию активной составляю­щей выходного тока при. заданной частоте сигнала

26. Сопротивление на­грузки интегрально# микросхемы

Сопротивление нагруз­ки


Rl

Суммарное активное со­противление внешних це­пей, подключенных к вы­ходу интегральной микро­схемы

27. Входная емкость интегральной микросхе­мы

Входная емкость

Свх

Ci

Отношение емкостной ре­активной составляющей входного тока интегральной микросхемы к произведению синусоидального входного напряжения, вызвавшего этот ток, и его круговой частоты

28. Выходная емкость интегральной микросхе­мы

Выходная емкость

Свых

Co

Отношение емкоетной ре­активной составляющей вы­ходного тока интегральной микросхемы к произведе­нию синусоидального вы­ходного напряжения, выз­ванного этим током, и его круговой частоты

29. Емкость нагрузки интегральной микросхе­мы

Емкость нагрузки

Си

cL

Суммарная емкость внеш­них цепей, подключенных к выходу интегральной микросхемы

30. Время нарастания сигнала интегральной микросхемы

Время нарастания си­гнала

Е. Rise time

G. Temps de croissance


tr

Интервал времени нара­стания сигнала от уровня 0,1 до момента, когда вы­ходной сигнал интегральной микросхемы впервые до­стигнет заданного значения, близкого к его окончатель­ному значению при сту­пенчатом изменении уров­ня входного сигнала



Термин

Буквенное обозначение

Определение

отечест­венное

между­народное

31. Время спада сиг­нала интегральной мик­росхемы

Время спада сигнала

  1. Fall time

  2. Temps de decrois- eance

U

it

Интервал времени спада сигнала от уровня 0,9 до момента, когда выходной сигнал интегральной мик­росхемы впервые достигнет заданного значения, близ­кого к его окончательному значению при ступенчатом изменении уровня входного сигнала

32. Длительность фрон­та входного сигнала ин­тегральной микросхемы

Длительность фронта входного сигнала

Тф


Интервал времени нара­стания амплитуды импуль­са входного сигнала ин­тегральной микросхемы от уровня 0,1 до уровня 0,9 от номинального значения

33. Длительность спа­да входного сигнала ин­тегральной микросхемы

Длительность спада входного сигнала

Тсп


Интервал времени убыва­ния амплитуды импульса входного сигнала интег­ральной микросхемы от уровня 0,9 до уровня 0,1 от номинального значения

34. Чувствительность интегральной микросхе­мы

Чувствительность

S


Наименьшее значение

входного напряжения, при котором электрические па­раметры интегральной мик­росхемы соответствуют за­данным значениям
Скачать бесплатно
Предыдущий документ
Следующий документ
Следующая страница


Нормативні акти про охорону праці Основні законодавчі акти Будівельні норми і правила (ДБН, СНиП) Стандарти (ГОСТ, ДСТУ) Санітарні норми і правила Пожежна безпека (НАПБ) Інструкції з охорони праці Реестр НПАОП 2020-2021 - Нормативно-правові акти з охорони праці

ДСТУ 4306:2004 Олія пальмова ГОСТ 6836-80 Серебро и серебряные сплавы. Марки ДСТУ 2793-94 Сумісність технічних засобів електромагнітна. Стійкість до потужних електромагнітних завад. Загальні положення ДБН В.2.5-28-2006 Природне і штучне освітлення Правила пожарной безопасности в Украине НПАОП 10.0-5.25-89 Инструкция по безопасному ведению горных работ на пластах, опасных по внезапным выбросам угля, породы и газа ЗАКОН УКРАЇНИ Про охорону культурної спадщини НАПБ Б.01.008-2004 Правила експлуатації вогнегасників ДБН А.2.2-3-2011 Склад та зміст проектної документації на будівництво об’єктів Закон України "Про відпустки"
Пpавила безпеки у доменному виpобництві СТОРІНКА: 13 ВСН 506-88 Проектирование и устройство грунтовых анкеров СТОРІНКА: 2 ГОСТ 28198-89 Основные методы испытаний на воздействие внешних факторов. Часть 1. Общие положения и руководство СТОРІНКА: 6 Закон України 2498-XII Про ветеринарну медицину СТОРІНКА: 8 ГОСТ 25725-89 Инструменты медицинские. Термины и определения СТОРІНКА: 2 ГОСТ Р 51388-99 Энергосбережение. Информирование потребителей об энергоэффективности изделий бытового и коммунального назначения. Общие требования СТОРІНКА: 2 ГОСТ 17376-2001 Детали трубопроводов бесшовные приварные из углеродистой и низколегированной стали. Тройники. Конструкция СТОРІНКА: 2 Радіаційно-гігієнічне регламентування проведення робіт на об’єктах ліквідованого Придніпровського хімічного заводу (ПХЗ). Методичні вказівки СТОРІНКА: 2 ДСТУ Б А.1.1-39-94 Методи контролю якості сировини та будівельних матеріалів. Дилатометрія, калориметрія і колориметрія. Терміни та визначення СТОРІНКА: 2 Нормы пожарной безопасности НПБ 101-95 СТОРІНКА: 4
Смотрите также
Земельный кодекс Украинской ССРНПАОП 0.00-6.12-97 Про затвердження порядку ведення і публікації реєстру сертифікованого персоналу у галузі неруйнівного контролю Объекты газовой промышленности