Конструкторская и технологическая документация, по которой изготовляют микросхемы, а также все изменения этой документации должны оформляться в соответствии с действующими системами конструкторской и технологической документации.
На предприятии-изготовителе на этапах разработки, освоения и производства микросхем должны действовать программы обеспечения качества.
Изготовление микросхем на предприятии следует проводить по аттестованной технологии в соответствии с нормативнотехнической документацией.
2.1.1.3, 2.1.1.4. (Введены дополнительно, Изм. № 1).
В конструкторской (технологической) документации, при необходимости, должна быть приведена фотография сборки микросхемы до герметизации. На фотографии должна быть указана кратность увеличения. Размер фотографии должен быть не менее 18X24 см. При необходимости фотография может быть цветной.
При производстве микросхем, поставляемых по настоящему стандарту, не допускается исправлять царапины и разомкнутые металлизированные дорожки привариванием проволоки или ленты. На контактных площадках кристалла допускается проводить повторную сварку на свободную от первой сварки часть контактной площадки, при этом сварное соединение по усилию отрыва должно отвечать требованиям нормативно-технической документации, утвержденной в установленном порядке. Допускается не более 10% повторных соединений от числа выводов микросхем с округлением до ближайшего целого числа.
Примечания:
Для гибридных микросхем 3-й и более высокой степеней интеграции до- ■ пускается при сборке микросхем однократная замена дефектных компонентов. Методика замены и число заменяемых компонентов должны быть указаны в . технологической документации.
При сборке гибридных микросхем 1 и 2-й степеней интеграции допускается по согласованию с отделом технического контроля и Госприемкой (при ее наличии) однократная замена не более двух активных элементов, что указывают в технологической документации (далее—ТД).
2.1.1.5, 2.1.1.6. (Измененная редакция, Изм. № 3).
К выполнению наиболее ответственных технологических и контрольных операций (присоединение вывозов, герметизация, визуальный контроль и др.), перечень которых устанавливают в технологической документации, должны допускаться только аттестованные рабочие и контролеры, имеющие соответствующий квалификационный разряд.
Меры защиты от воздействия статического электричества должны соответствовать требованиям нормативно-технической документации.
Обобщенные данные по проценту выхода годных микросхем, среднему значению контролируемых параметров микросхем и основным видам дефектов предприятие-изготовитель представляет головным организациям министерств-потребителей по их запросам.
.1.1.9. (Введены дополнительно, Изм. № 1),
Требования к изготовлению микросхем
Изготовление микросхем всех типов, входящих в одну серию и выпускаемых на различных предприятиях-изготовителях, должно производиться по единой конструкторской документации, а также по единой технологической документации на основные технологические процессы.
Перечень основных технологических процессов, а также основных применяемых материалов, полуфабрикатов и комплектующих изделий разрабатывает предприятие—держатель подлинников. Допускается применение различного оборудования для выполнения одинаковых технологических операций при обеспечении им заданного технологической документацией режима.
Перечень основных технологических процессов изготовления микросхем согласовывают с Госприемкой (при ее наличии) и устанавливают в ТД.
(Измененная редакция, Изм. № 3).
В составе технологического процесса должны быть предусмотрены 100%-ные отбраковочные испытания микросхем в соответствии с табл. 1а.
Таблица 1а
М
Вид испытания
етод и условия проведенияП
Визуальный контроль кристаллов (кроме гибридных микросхем)
Визуальный контроль сборки перед герметизацией (кроме сборок по методу перевернутого кристалла)
Термообработка для стабилизации параметров:
перед герметизацией
после герметизации
Испытание на воздействие изменений температуры среды
Испытание на воздействие линейного ускорения (кроме микросхем монолитной конструкции)
Увеличение 80*
Увеличение 16—32*
48 ч; +150°С (+85°С — для гибридных микросхем)
24 ч; повышенная температура среды, установленная в ТУ на микро- ехшук таш>в
От минус 60°С до повышенной предельной температуры среды, установленной в ТУ на микросхемы конкретных типов, но не менее + 85'С; 10 циклов
200000 м/с2 (20000 g);
100000 м/с2 (10000 g)—для гибридных микросхем
Метод и условия проведения
испытания
Проверка герметичности (кроме микросхем монолитной конструкции)
Измерение статических параметров при нормальных климатических условиях
Электротермотренировка
Электрические испытания
Проверка статических параметров при:
нормальных климатических условиях
пониженной рабочей температуре среды (кроме п- и р-канальной и КМОП технологии)
повышенной рабочей температуре среды
Проверка динамических параметров при нормальных климатических условиях
Функциональный контроль (для микросхем третьей и выше степеней интеграции) при повышенной рабочей температуре среды и наихудших сочетаниях питающих напряжений
Контроль внешнего вида
Малые течи
Большие течи
По методам, установленным в ТУ
168 ч; 125°С; электрический режим указывают в ТУ на микросхемы конкретных типов
Устанавливают в ТУ па микросхемы конкретных типов
То же
Устанавливают в ТУ на микросхемы конкретных типов
Устанавливают в ТУ на микросхе
мы конкретных типов
і io нормативно-технической документации, утвержденной в установленном порядке
II р и м с ч а н и я:
Для микросхем, имеющих внутренние полости, герметизацию которых осуществляют заливкой или склеиванием полимерными материалами, допускается вместо проверки герметичности проводить проверку качества уплотнения по методу, указанному в стандарте на методы испытаний.
В технически обоснованных случаях допускается совмещение функционального контроля с проверкой электрических параметров.
Для микросхем с корпусами весом более 5 г или с размером периметра внутренней полости корпуса более 51 мм вместо испытаний на воздействие линейного ускорения проводят технологический контроль прочности внутренних соединений методом, установленным в технических условиях. Для микросхем с внутренними соединениями, выполненными алюминиевой микропроволокой, допускается вместо испытаний на воздействие линейного ускорения проводить испытание методом, согласованным с основным потребителем.
В технически обоснованных случаях, что определяется в процессе разработки, подтверждается в течение 2 лет серийного производства и устанавливается в технических условиях на конкретные типы микросхем по согласованию с основным потребителем, вместо проверки статических параметров при повышенной и пониженной рабочей температуре среды (и функционального контроля при повышенной рабочей температуре среды для интегральных схем р-, /г-каналы.:ых п КМОП-технологий) проводят проверку статических параметров и функциональный контроль при нормальных климатических условиях по нормаи и режимам, обеспечивающим установленные значения параметров и функционирование при повышенной (.пониженной) температуре среды.
Для микросхем, имеющих перегрев на клисталле, электротермотренировку (далее — ЭТТ) проводят при такой температуре окружающей среды, при которой температура кристалла будет в пределах 145—150°С, но не ниже повышенной рабочей температуры окружающей среды в соответствии с ТУ на микросхемы конкретных типов. Длительность ЭТТ следует определять периодом приработки, после которого прекращается отход дефектных изделий, в соответствии с методикой, приведенной в приложении, и выбирают из ряда: 0, 24, 48, 72, 96, 120, 144, 168 ч и указывают в ТД. Для микросхем, идущих на комплектацию телевизионных приемников, определение длительности ЭТТ проводят по специальной методике, согласованной с основным потребителем.
Для микросхем, требующих первоочередных мероприятий по повышению надежности, номенклатура которых согласована с основным потребителем, длительность ЭТТ устанавливают не менее 168 ч.
Для вновь освоенных микросхем в течение первого года серийного выпуска длительность ЭТТ устанавливают 168 ч. Допускается устанавливать другую длительность ЭТТ по согласованию с основным потребителем' и Госприемкой (при ее наличии).
Допускается выборочный визуальный контроль сборки перед герметизацией при автоматизированной сборке микросхем, что указывают в ТД.
Допускается для микросхем в корпусах, имеющих внутренние полости, герметизируемых пайкой (сваркой), при испытаниях на воздействие изменения температуры среды проводить 5 циклов.
Допускается вместо ЭТТ, по согласованию с основным потребителем и Госприемкой (при ее наличии), использовать диагностические методы отбраковки потенциально ненадежных микросхем, эффективность которых не хуже ЭТТ.
Допускается для гибридных, оптоэлектронных микросхем и микросхем памяти на цилиндрических магнитных доменах ЭТТ проводить при повышенной рабочей температуре среды, установленной в ТУ на микросхемы конкретных типов.
ЭТТ не проводят для микросхем памяти, программируемых потребителем.
(Измененная редакция, Изм. № 1, 2, 3, 4).
Изменения в конструкторскую и технологическую документацию, приводящие к изменению норм и требований в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов, вносят только после получения положительных результатов типовых испытаний путем утверждения в установленном порядке решения о внесении соответствующих изменений в стандарты или технические условия на микросхемы конкретных типов.
(Измененная редакция, Изм. № 3).
Изменения в конструкторской и технологической документации, не приводящие к изменению параметров, должны быть согласованы с техническим контролем.
На предприятиях-изготовителях изменения в технологической документации на основные технологические процессы производят по согласованию с предприятием — разработчиком микросхемы и предприятием — держателем подлинника технологической документации.
При необходимости внесения изменений изготовитель должен предъявлять техническому контролю документы, подтверждающие целесообразность и возможность предлагаемых изменений. Если при рассмотрении этих документов возникают сомнения в получении ожидаемых результатов, проводят типовые испытания. По результатам типовых испытаний принимают согласованное решение по внесению изменений.
Изменения в конструкторской и технологической документации, приводящие к изменению параметров, проводят в установленном порядке по согласованию с отделом технического контроля, предприятием—держателем подлинников конструкторской и технологической документации и основным потребителем и Гос- приемкой (при ее наличии).
(Измененная редакция, Изм. № I, 3).
Микросхемы в процессе производства должны сопровождаться документацией (сопроводительными листами) по форме, принятой в установленном порядке на предприятии-изготовителе.
Нормы, устанавливаемые в технологической документации для проверки микросхем цехом, кроме функционального контроля2, должны быть более жесткими в сравнении с нормами, установленными в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов для испытаний по категории приемосдаточных испытаний.
(Измененная редакция, Изм. № 1).
Предприятие-изготовитель совместно с техническим контролем ежемесячно проводит обобщение данных по проценту выхода годных микросхем с указанием основных дефектов, обнаруженных в производстве за истекший период, а также данных об уровне сдачи партий в технический контроль с первого предъявления.
Если производственный брак микросхем или число рекламаций на них резко возрастает, то в каждом отдельном случае изготовитель анализирует причины увеличения брака и рекламаций. На основании анализа предприятие-изготовитель разрабатывает и согласовывает с техническим контролем и Госприеіцкой (при ее наличии) необходимые мероприятия и внедряет их в производство.
(Измененная редакция, Изм. № 3).
Электрические испытания согласно п. 8 табл. 1а допускается проводить в любой последовательности.
(Введен дополнительно, Изм. № 3).
Материалы, полуфабрикаты и комплектующие изделия, применяемые для изготовления микросхем, должны соответствовать стандартам или другой технической документации на них.Качество применяемых материалов должно быть подтверждено клеймами, сертификатами или протоколами испытаний технического контроля предприятия-изготовителя.
Материалы, из которых изготовляют микросхемы, должны быть химически совместимыми и стойкими в составе микросхемы к воздействию внешних воздействующих факторов, установленных настоящим стандартом.
Электрически разнородные металлические материалы, применяемые для изготовления соприкасающихся между собой деталей, выбирают по ГОСТ 9.005—72.
Виды и толщины металлических и неметаллических покрытий должны соответствовать требованиям ГОСТ 9.301—86, ГОСТ 9.032—74 и нормативно-технической документации.
2.1.3.3. (Введены дополнительно, Изм. № 1).
Требования к испытательному оборудованию и средствам измерений
Испытательные установки, стенды и средства измерений должны соответствовать действующим государственным стандартам на методы измерений и другой технической документации, утвержденной в установленном порядке.
Средства измерений и испытательные установки не должны вызывать выхода микросхем из строя. При измерении и испытании должны быть исключены появления в установке наводок и помех от сети, а также условия, вызывающие паразитную генерацию проверяемой микросхемы.
