ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ
СОЮЗА ССР

ПРИБОРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ.
ПРИЕМНИКИ ЛУЧИСТОЙ ЭНЕРГИИ
ФОТОЭ Л ЕКТРИ Ч ЕСКИ Е

КЛАССИФИКАЦИЯ И СИСТЕМА ОБОЗНАЧЕНИЙ

ГОСТ 17704-72

Издание официальное

Цена 3 коп.



ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СТАНДАРТОВ
СОВЕТА МИНИСТРОВ СССР

Москва



У

Группа ЭОО

ДК 621.383.00133(083.74)

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮЗА ССР

П

ГОСТ
17704—72

РИБОРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ. ПРИЕМНИКИ ЛУЧИСТОЙ ЭНЕРГИИ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ

Классификация и система обозначений

Semiconductor. Devices. Photoelectric receivers
of radiant energy.

Classification and Sistem Designations.

Постановлением Государственного комитета стандартов Совета Министров СССР от 11/V 1972 г. № 952 срок введения установлен

с 1/VII 1973 г.

Несоблюдение стандарта преследуется по закону

Настоящий стандарт распространяется на неохлаждаемые и охлаждаемые фотоэлектрические полупроводниковые приемники лучистой энергии и устанавливает классификацию и систему еди­ного обозначения фоторезисторов, фотомагнитных приемников, фотоприемников с р-п переходами с внутренним усилением и без внутреннего усиления.

  1. КЛАССИФИКАЦИЯ

Классификация фотоэлектрических полупроводниковых приемников лучистой энергии должна соответствовать схеме, пред­ставленной на чертеже.














Издание официальное

Перепечатка воспрещен

а

КЛАСС


Стр. 2 ГОСТ 17704—72





















  1. СИСТЕМА ОБОЗНАЧЕНИЙ

    1. Первый элемент обозначения полупроводниковых фото­электрических приемников лучистой энергии определяет группу приемника:

фоторезисторы неохлаждаемые — ФР;

фоторезисторы охлаждаемые — ФРО;

приемники фотомагнитные неохлаждаемые — ФМ;

приемники фотомагнитные охлаждаемые—ФМО;

фотоприемники с p-п переходами с внутренним усилением не­охлаждаемые — ФУ;

фотоприемники с р-п переходами с внутренним усилением ох­лаждаемые — ФУО;

фотоприемники с р-п переходами без усиления неохлаждае­мые — Ф Д;

фотоприемники с р-п переходами без усиления охлаждае­мые — ФДО.

  1. Второй элемент обозначения полупроводниковых фотоэлек­трических приемников лучистой энергии определяет материал, из которого изготовлен прибор. Обозначение материала должно со­ответствовать указанному в таблице.

Материал фоточувствитедьного элемента в обозначении прием­ника записывается либо в буквенном, либо в цифровом варианте в зависимости от назначения (области применения) приемника.

При обозначении двухцветных приемников и приемников с ге­теропереходами необходимо указывать оба материала через раз­делительное тире. Материал с меньшей шириной запрещенной зоны должен записываться первым.

  1. Третий элемент обозначения полупроводниковых фото­электрических приемников лучистой энергии определяет порядко­вый номер разработки приемников в подгруппе и обозначается от 001 до 999.

  2. Четвертый элемент обозначения полупроводниковых фото­электрических приемников лучистой энергии определяет подгруппу приемников:

фоторезисторы многоэлементные — П (одно- и двухэлементные фоторезисторы обозначения подгруппы не имеют);

фототранзистор униполярный — У;

фототранзистор биполярный — Б;

фотодиод лавинный — Л;

фототиристор ■— Т;

фотодиод координатный — К (некоординатные фотодиоды обо­значения подгруппы не имеют).

  1. В технически обоснованных случаях допускается присвое­ние полупроводниковым приемникам лучистой энергии сокращен­ных и дополнительных обозначений, что должно быть оговорено в стандартах или другой технической документации на приборы кон­кретных типов, утвержденных в установленном порядке.

2-6. Примеры условных обозначений приемников лучистой энер­гии приведены ниже:

ФД-ГЗ—001К — фотодиод неохлаждаемый из германия, леги­рованного золотом, предназначенного для широкого применения, координатный. Номер разработки 00'1.

ФРО-51—ОНП —фоторезистор охлаждаемый из сульфида свинца, предназначенного для специального применения, много­элементный. Номер разработки 011.

  1. Настоящие обозначения не должны применяться в случаях обязательного применения кодов общесоюзного классификатора продукции.


Второй элемент обозначений


« і

2 і



м а э* wЯ £ Я ® Я СХФ Я $ X.

,2 4>

5 fe 2 о 4» Р-ф



4> Я « ± 4> н Я Я Ї X

£ х ® х s я "я о.


Материал фоточувствительного элемента

S <У £ s а н « Si я

2 41 Ч jj С «и т £.Я ф



5 й в




<L< Q -* ф

г и 2 я

W т 5 ®

= =■ 5 « *

Я о « - О

о й 5 = о.

О ■©■ я» ж 3

Обозначе фоточувс элемента, ного для специалы

НИЯ


1. Германий

го

10


2. Германий, легированный:


11


а) бором

ГБ


б) золотом

ГЗ

12


в) кадмием

ГА

13


г) медью

ГМ

14


д) ртутью

ГР

15


е) цинком

ГЦ

16


ж) цинком и сурьмой

п

17


з) золотом и сурьмой

Г2

18


3. Германиево-кремниевый сплав

гк

19


  1. Кремний

  2. Кремний, легированный:

к

20


а) алюминием

кю

21


б) бором

КБ

22


в) галлием

кг

23


6. Антимонид галлия

АГ

31


7. Арсенид галлия

РГ

32


8. Фосфид галлия

ФГ

33


9. Антимонид индия

АИ

41


10. Арсенид индия

РИ

42


11. Фосфид индия

ФИ

43


12. Сульфид свинца

сс

51


13. Селенид свинца

ЕС

52


14. Теллурид свинца

ТС

53


15. Сульфид цинка

сц

61


16. Сульфид кадмия

СА

71


Сдано в наб. 18/V 1972 г. Подп. в печ. 31/V 1972 г. 0.5 п. л. Тир. 8850

Издательство стандартов. Москва, Д-22, Новопресненский пер., 3

Тип. <Московский печатник>. Москва, Лялин пер., 6. Зак. 676


XXX


wto-


нчм


С0 CD CD ОО “Ч -4 W N3 — СО СО Ю


Обозначение материала фоточувствительного элемента, предназначен­ного для приемников широкого применения


Обозначение материала фоточувствительного элемента, предназначен­ного для приемников специального примене­ния


о СА о ш X В9

го X X м


ГОСТ 17704—72 Стр.