УДК 621.382.2.08:006.354 Группа Э29


ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮЗА ССР

Д

ГОСТ
I8986.I2—74

ИОДЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ТУННЕЛЬНЫЕ

Метод измерения отрицательной проводимости
перехода

Semiconductor tunnel diodes. Method for measuring
negative conductance of the intrinsic diode

Утвержден постановлением Государственного комитета стандартов Совета Министров СССР от 27 декабря 1974 г. № 2824. Срок введения установлен с 01.07 1976 г.

Проверен в 1981 г. Пост. Госстандарта от 15.09.81 № 4230 срок действия продлен до 01.07 19#

Несоблюдение стандарта преследуется по закону 7^

Настоящий стандарт распространяется на туннельные полу­проводниковые диоды и устанавливает метод измерения отрица­тельной проводимости.

Общие условия при измерении отрицательной проводимости должны соответствовать требованиям ГОСТ 18986.0—74.

1. АППАРАТУРА

  1. Измерительные установки должны обеспечивать измерения отрицательной проводимости перехода с основной погрешностью в пределах

± [о,Ц--^^-]-1ОО %,

где [gncp ] — абсолютное значение отрицательной проводимости перехода указывают в стандартах или другой тех­нической документации, утвержденной в установлен­ном порядке, на туннельные диоды конкретных ти­пов.

  1. В

    Издание официальное

    ' аппаратуре, применяемой для измерения отрицательной проводимости перехода, должны быть приняты меры защиты,

Перепечатка воспрещена

Переиздание. Март 1983 г.

исключающие воздействие на диод коммутационных перенапряже­ний и неконтролируемых разрядных токов. Рекомендуется на вре­мя коммутаций измерительной схемы закорачивать контакты, к которым подключен измеряемый туннельный диод.

* 2. ПОДГОТОВКА К ИЗМЕРЕНИЮ

2.1. Функциональная схема измерения отрицательной прово­димости перехода должна соответствовать указанной на чертеже.

ИПН—источник переменного напряжения; ГТ—источник регулируемого постоянного тока; СЎ—селективный усилитель; ИП—индикатор прово­димости; ЯД—измеряемый диод; мВ—милливольтметр постоянного на­пряжения; мА —миллиамперметр постоянного тока; С1, СЗ—разделитель­ные конденсаторы; С2, С4—блокировочные конденсаторы; Д/—резистор подачи постоянного напряжения на диод; R2—резистор подачи перемен­ного напряжения на диод; R3токосъемный резистор в цепи измеряемо­го диода; R^ Сд — антипаразитная цепь, подавляющая возникновение паразитной генерации туннельного диода.



От источника ИПН через конденсатор С1 на резистор подает­ся сигнал звуковой частоты.

Сопротивления резистора R2 и R3 выбирают из условия R2--R3 < —г-!—г-, при этом амплитуда переменного напряжения /бпец/

на резисторе R3 пропорциональна проводимости диода в рабочей точке, определяемой значением напряжения смещения на диоде ИД, создаваемого током генератора ГТ через резистор R1. Пере­менное напряжение на резисторе R3 усиливается усилителем СУ, настроенным на частоту сигнала, и после детектирования подают на индикатор проводимости ИП.

Калибровку шкалы выходного индикатора в значениях прово­димости осуществляют включением вместо диода ИД резисторов с известным значением сопротивления. По индикатору проводи­мости отсчитывают значение проводимости диода, определяемое соотношением

, , £пер _

g, і ;—, См ,

1 /§пер/Г п

где г — значение сопротивления потерь диода.На основании формулы определяют отрицательную проводи­мость перехода gnep .

Измеритель тока (мА) служит для определения постоянного тока, протекающего через диод в точке измерения проводимости на ЗАХ.

У диодов с высокой граничной частотой, с малой емкостью перехода и недостаточно малой индуктивностью, у которых в из­мерительной схеме не удается обеспечить отсутствие автоколеба­ний при смещении диода в область отрицательной проводимости ВАХ, значение отрицательной проводимости перехода может быть определено из соотношения

S*nep Л-/п j pM,

где А средний коэффициент, определяемый на партии диодов такого же технологического типа, как и измеряемый, но имеющих

(J

большее значение—7^— , для которых может быть обеспечено усло-

'п

вие устойчивости на отрицательном участке вольтамперной харак­теристики.

  1. Основные элементы схемы должны удовлетворять требо­ваниям пп. 2.2—2.15.

  2. Сопротивления резисторов R2 и R3 должны удовлетворять условию

р і р / 0 >03

  1. Емкость конденсатора Сд и круговая частота со перемен­ного напряжения должны удовлетворять условию

0,03 I £Пер I

Сд •

  1. Проводимость резистора Ra следует выбирать близкой к максимальной отрицательной проводимости перехода, но не мень­шей ее.

  2. Необходимо принять меры, направленные на уменьшение распределенной индуктивности цепи, образованной диодом ИД, конденсатором С а и резистором Ra с тем, чтобы исключить воз­никновение генерации в схеме при смещении диода на участок отрицательной проводимости его вольтамперной характеристики.

  3. Необходимо принять меры, направленные на уменьшение распределенной индуктивности цепи, образованной элементами" C2—R2—ИД—ДЗ—С4 с тем, чтобы исключить возникновение ра­диочастотной генерации в схеме при смещении диода на участке отрицательной проводимости его вольтамперной характеристики.

  4. Емкость конденсатора С2, С4 должна удовлетворять ус­ловию

с ЮО

"(Яа+Яз) ’

100

1<> «(Яа+Яз) •

  1. Нелинейность амплитудной характеристики усилителя СУ должна быть в пределах, обеспечивающих выполнение требований, п. 11.

  1. Индикатор проводимости ИП должен быть не хуже клас­са 1,5; приборы для измерения постоянного напряжения на диоде’ и постоянного тока, протекающего через него, должны быть не хуже класса 1,5.

  2. Сопротивление резистора /?/ должно удовлетворять ус­ловию

/«0,5 •

L1 «пер I J

  1. Значение переменного напряжения на диоде не должно превышать 3 мВэфф.

  2. Регулировка тока генератора ГТ должна обеспечиваться в пределах, позволяющих изменять смещение на диоде от значе­ний меньших U п до значений больших U в. Допускается исполь­зование вместо генератора тока ГТ и резистора R1, источника по­стоянного напряжения и с выходным сопротивлением не более R1.

  3. Значение пульсации напряжения смещения на резисторе R1 ДОЛЖНО бЫТЬ НЄ 6ОЛЄЄ 1 МФЭфф.

  4. Сопротивление резисторов, применяемых для калибровки .схемы, должны быть известны с погрешностью, находящейся в пределах'±1 %.

  1. ПРОВЕДЕНИЕ ИЗМЕРЕНИЙ И ОБРАБОТКА РЕЗУЛЬТАТОВ

    1. Измерение отрицательной проводимости производится сле­дующим образом.

В схему измерений вместо диода устанавливают калибровоч­ный резистор, проводимость которого близка к ожидаемому зна­чению измеряемой проводимости. Регулировкой коэффициента усиления селективного усилителя по индикатору проводимости, .шкала которого отградуирована в значениях проводимости, уста­навливают значение, соответствующее проводимости резистора. Вместо резистора устанавливают измеряемый диод и подают на него требуемое значение постоянного напряжения. По индика­тору проводимости отсчитывают проводимость диода в рабочей точке gj .

По отсчитанному значению ga с учетом сопротивления потерь для данного диода, измеряемого по ГОСТ 18986.11—74, рассчиты­вают значение отрицательной проводимости перехода.

Расчет ведется по следующей формуле

1 ёпер 1 = 1+ і'Л^ґп ’

где гп —значение сопротивления потерь измеряемого диода.

1