---

От источников постоянного напряжения G1—G3 и от ге­нератора синусоидального напряжения G4 подают напряжения»., значения которых указаны в ТУ на микросхемы конкретных типов*.

Схема измерения емкости между аналоговым входом и выходом

DA

DA — измеряемая микросхема; S/, S2, ... , S — аналоговые входы;. DI, D2, ... , D_п— аналоговые выходы; U — вывод питания; INI, IN2, ... , — управляющие входы; OV — общий вывод; G1—G3 — источ­

ники постоянного напряжения; G4 — генератор синусоидального на­пряжения; SA1 — коммутационное устройство, обеспечивающее под­ключение источников постоянного напряжения Gl, G2 к управляющим входам INI, IN2, ... , SA2, S43 — переключатели; С1 — разде­лительный конденсатор; С2 — блокировочный конденсатор; R — токо­съемный резистор; PV ~ измеритель синусоидального напряжения

Черт. 14

по формуле

(8к>

где U_x— напряжение на резисторе R при измерении, мВ;

U_KJl—напряжение на резисторе R при калибровке, мВ,

10.5. Показатели точности измерения

Погрешность измерения емкости управляющего входа, аналого­вого входа и выхода, между аналоговым входом и выходом—*в пре делах ±10% с вероятностью 0,95. При значении измеряемого па­раметра ^3 пФ — в пределах ±15% с вероятностью 0,95.

Расчет показателей точности измерения приведен в приложе­нии 4 (разд. 2).ПРИЛОЖЕНИЕ 1

Рекомендуемое

1. ПОКАЗАТЕЛИ ТОЧНОСТИ ИЗМЕРЕНИЯ СОПРОТИВЛЕНИЯ
   в открытом состоянии И ОСТАТОЧНОГО НАПРЯЖЕНИЯ

   1. П

      (9)

      огрешность вызванную погрешностью измерителя напряжения PV, рассчитывают по формуле

«1—vpy,

где бру —относительная погрешность измерителя напряжения PV.

*

(Ю)

СОСТОЯНИИ,

^отк max . р

*Оз— р “Г«вх ру>

*отк max

где Rотитах —максимальное значение сопротивления в открытом указанное в ТУ на микросхемы конкретных типов;

7?_вхру —входное сопротивление измерителя напряжения PV.

установления и 1 _

под держа-

по формуле

(II)

где а_х— коэффициент влияния напряжения питания том состоянии;

6г/ — погрешность установления и поддержания Л

кросхемы.

на сопротивление в откры-

напряжения питания ми-

установления и поддержа­

ния постоянного

тока, рассчитывают по формуле

(12)

где а₂— коэффициент влияния генератора тока на состоянии;

сопротивление в открытом

6_t — погрешность установления и поддержания постоянного тока.

считывают по формуле

упр

(13)

где п₃— коэффициент влияния управляющего напряжения на сопротивление в

открытом состоянии;

— погрешность установления и поддержания управляющих

упр

обеспечивающих открытое состояние канала.

напряжений,

окружающей

формуле

II

(14)

на сопротив-

ЬТ

^отк min

где b—коэффициент влияния температуры окружающей среды .ление в открытом состоянии

;

AT —диапазон отклонений температуры от номинального значения, зак­ланный в ТУ на микросхемы конкретных типов;

^отктіп —минимальное значение сопротивления в открытом состоянии, ука­занное в ТУ на микросхемы конкретных типов.

1.7. Погрешность (67), обусловленную наличием сопротивления контактов

переключателей и контактного устройства, рассчитыв-ают по

p op муле

II

^KS-r^_KD

*7“ О . ♦

■f'OTK min

где — сопротивления контактов переключателей и контактного

ройства соответственно на аналоговом входе и выходе кросхемы.

(15)

уст-
ми-

1.8. Погрешность измерения (бу ) рассчитывают по формуле

(16>

где 61 —погрешность і-го источника погрешности.

2. ПОКАЗАТЕЛИ ТОЧНОСТИ ИЗМЕРЕНИЯ ТОКА УТЕЧКИ
   АНАЛОГОВОГО ВХОДА

, вызванную погрешностью измерителя тока РА1,

рас-

считывают по формуле

(17>

где брд! —погрешность измерителя тока РА1.

в

ут.вхтах ^V0x

Us

сопротивления из-

(18)

где

— максимальное значение тока утечки аналогового входа, ука* Г * о

A 11А ’ *

занное в ТУ на микросхемы конкретных типов;

— в.ходное сопротивление измерителя тока

РА1 U_s— напряжение на аналоговом входе микросхемы.

2 3. Погрешность (6₃), вызванную неточностью установления и поддержа-

ния

напряжения питания микросхемы, рассчитывают по формуле

(19)

где

fl] — коэффициент влияния

напряжения питания на ток утечки аналого­

ого входа;

—погрешность установления и поддержания напряжения питания микро- п

схемы.

канала, рассчитывают по формуле

(

упр

20>

где а? — коэффициент влияния управляющего напряжения на ток утечки анало­гового входа

;

Оц —погрешность установления и поддержания управляющих напряжений микросхемы.

⁴ ут.вх mln

где bi — коэффициент влияния температуры окружающей среды на ток утечки аналогового входа;

АТ — диапазон отклонений температуры, указанный в ТУ на микросхе­мы конкретных типов;

/_yTtвхmin — мйнимальное значение тока утечки аналогового входа, указанное в ТУ на микросхемы конкретных типов.

(22)

ут.вхтіп

где bi—коэффициент влияния влажности воздуха на токи утечки между точ­ками SI, 52,..., S_mи общей шиной;

Дф — диапазон отклонений влажности воздуха от номинального значения, указанный в ТУ на микросхемы конкретных типов.

л,= -] — ,
ут.вх min

где I_s—паразитный ток утечки между точками 5/, 52, ...,5_т и общей

при отсутствии микросхемы.

где 61 — погрешность ї-го источника погрешности.

3. ПОКАЗАТЕЛИ ТОЧНОСТИ ИЗМЕРЕНИЯ ТОКА УТЕЧКИ
   АНАЛОГОВОГО ВЫХОДА

   1. Погрешность (61), вызванную погрешностью измерителя тока РА 2, рас

считывают по формуле

(

бр_Л2»

25)

где 6р42— погрешность измерителя тока РА2.

¹ ут.вых max 'вх РД2

(26)

где

/_ут. вых max максимальное значение тока утечки аналогового выхода, ука-
занное в ТУ на микросхемы конкретных типов;

/?_вхрд2 — входное сопротивление измерителя тока РА2

U_s — напряжение на аналоговом выходе микросхемы.

3.3.

Погрешность (бз)і вызванную неточностью установления и поддержа-

НИЯ

напряжения питания микросхемы, рассчитывают по формуле

А^ут.вЫХ

3— /

* ут. вых min

(27)

где

Д/у,.вых — изменение тока утечки аналогового выхода, обусловленное не­точностью установления напряжения питания микросхемы;

ут. вых min—минимальное значение тока утечки налогового выхода.

«ия управляющих напряжении,

рассчитывают по формуле

64=62^//

У^ПР

(28)

где а₂ — коэффициент влияния управляющего напряжения на ток утечки ана­логового выхода;

—погрешность установления и поддержания управляющего напряжения У Р

микросхемы.

ды на ток утечки аналогового выхода, рассчитывают по формуле

Л ^Ь^^Т

О₅— г ут.вых min

(29)

где bi — коэффициент влияния температуры окружающей среды на ток утечки аналогового выхода;

ЛТ— диапазон отклонений температуры, указанный в ТУ на микросхемы конкретных типов;

/ут.вых min— минимальное значение тока утечки аналогового выхода, указан­ное в ТУ на микросхемы конкретных типов.

-формуле

у

Ь_хД(р

9 ут.вх mln

(30)

где — коэффициент влияния влажности воздуха на токи утечки между точ­ками SI, S2, ..., S_m и общей шиной;

Д<₽ — диапазон отклонений влажности воздуха от номинального значения,

указанный в ТУ

на микросхемы конкретных типов.

обусловленную паразитными токами утечки

общей шиной, рассчитывают по формуле

между

т.вых min

г

(31)

де /р — паразитный ток утечки между точками DI, D2,..., D_n и общей ши-
ной при отсутствии микросхемы.

3.8. Погрешность измерения (6_S) рассчитывают по формуле

±1,13

6; ⁶

/ + S д?+д

4 ¹J—*> I ¹

(32 >

где 6| —погрешность 1-го источника погрешности.

4. ПОКАЗАТЕЛИ ТОЧНОСТИ ИЗМЕРЕНИЯ ВХОДНОГО ТОКА ВЫСОКОГО
И НИЗКОГО УРОВНЕЙ УПРАВЛЯЮЩЕГО НАПРЯЖЕНИЯ

4.1. Погрешность (61), вызванную погрешностью измерителя тока РА, рас- « *

считывают по формуле

(33>

где брд—погрешность измерителя тока РА.

4.2, Погрешность (6₂), вызванную конечным значением

мерителя тока

РА, рассчитывают по формулам:

сопротивления из-

где 7_{ВХ# в тах},

у

Тир. в »

вх.-в max ¹⁴ вх

^упр.в

р
вх.н max ^вх

^упр.н

(34>

(35>

’вх.

н т?х—максимальное значение входного тока высокого и низ­кого уровней управляющего напряжения, указанное в ТУ на микросхемы конкретных типов;

/?_вх — входное сопротивление измерителя тока РА;

^упр. н — значения управляющего напряжения высокого и низко­го уровней, указанные в ТУ на микросхемы конфет­ных типов.

4.3. Погрешность (6₃), вызванную неточностью установления и поддержания

напряжения питания микросхемы, рассчитывают по формуле

дз-Оід

(36>

п

где — коэффициент влияния напряжения питания на входной ток высокого (низкого) уровня управляющего напряжения;

6 и — погрешность установления и поддержания напряжения питания микро-