---

М

Черт. 1

£_всп — вспомогательная индуктивность; С — емкость измеряемого конденсатора; L — собственная индуктив­ность конденсатора; R — эквивалентное активное со­противление конденсатора

етод измерения заключается в определении собственной индуктивности конденсатора по ре­зультатам измерения резонансной частоты колеба­тельного контура, образованного измеряемым кон­денсатором и вспомогательной индуктивностью.

Вспомогательную индуктивность подключают к измеряемому конденсатору последовательно или параллельно.

Эквивалентные схемы колебательного конту­ра приведены на черт. 1.

Вспомогательная индуктивность £_всп должна быть не более 10 Гн, где L — нормируемое значе­ние собственной индуктивности конденсатора.

Электрическая структурная схема измерения собственной индуктивно­сти конденсатора должна соответствовать указанной на черт. 2.

Колебательный контур подключают к генератору стандартных сигналов.

Регулировкой частоты достигают резонанса и фиксируют частоту. Пред­варительно измеряют емкость конденсатора в соответствии с требованиями,

у

Черт. 2

казанными в п. 2.1.

С обственную индуктивность конденсатора (£) в генри определяют по формуле

(14)

где f_r — резонансная частота контура, Гц;

С — емкость конденсатора, Ф;

£_всп — вспомогательная индуктивность, Гн.

Погрешность определения собственной индуктивности не должна выходить за пределы ±10%. В технически обоснованных случаях допускается в технических условиях на конден­

саторы конкретных типов устанавливать другое значение.

Метод заключается в определении собственной индуктивности конденсато­ра по результатам измерения емкости при двух различных частотах.

Электрическая структурная схема для определения собственной индуктив­ности конденсатора должна соответствовать указанной на черт. 3.

Емкость конденсатора измеряют сначала на низкой частоте (/J), на которой влияние собствен­ной индуктивности практически не сказывается, затем на более высокой частоте (^), на которой собственная индуктивность конденсатора влияет на измеренное значение емкости.

Собственную индуктивность конденсатора (£) в генри определяют по формуле

4я²С₁С₂ (/₂² - /₍²)

(15)

где С_рС₂ — емкости конденсатора, измеренные при частотах / и /₂ соответственно, Ф.

Погрешность измерения собственной индуктивности должна соответствовать установленной в п. 2.8.3.5.

1 — источник постоянного напряже­ния; 5 — переключатель; В — пере­мычка; 2 — измеряемый конденсатор;

3 — запоминающий осциллограф

Метод определения собственной индуктивности конденса­тора заключается в определении частоты свободных колебаний, возникающих при замыкании предварительно заряженного кон­денсатора.

Метод применим для конденсаторов со значением тангенса угла диэлектрических потерь не более 0,1.

Электрическая структурная схема для измерения собствен­ной индуктивности должна соответствовать указанной на черт. 4.

Измеряемый конденсатор при помощи переключателя под­ключают к источнику постоянного напряжения и заряжают. За­

тем конденсатор отключают от источника, закорачивают при по- ^Че^⁴ мощи перемычки В и измеряют частоту (/) свободных колебаний.

Индуктивность перемычки (£_б) должна быть не более 10 Z, где L — нормируемое значение индуктивности конденсатора.

Частоту определяют по длительности второго периода.

Емкость конденсатора измеряют в соответствии с требованиями, указанными в п. 2.1.

Собственную индуктивность конденсатора (L) в генри определяют по формуле

где f — частота свободных колебаний, Гц;

С — емкость конденсатора, Ф;

L_B — индуктивность перемычки Б, Гн.

1 — измерительная цепь с генератором стандартных сиг­налов; 2 — измеряемый кон­денсатор; 3 — индикатор ре­зонатора

Погрешность определения собственной индуктивности должна со­ответствовать установленной в п. 2.8.3.5.

Метод заключается в определении собственной индуктивности кон­денсатора по результатам измерения собственной резонансной частоты,

Электрическая структурная схема определения собственной индук­тивности конденсатора должна соответствовать указанной на черт. 5.

(16)

Собственную индуктивность конденсатора измеряют путем определения резонансной частоты (f_r) конденсатора при изменении частоты подаваемого на него сигнала.

Емкость конденсатора измеряют в соответствии с требованиями, указанными в п. 2.1.

Собственную индуктивность конденсатора (£) в генри определяют по формуле

Черт. 5

(17)

где f_r— резонансная частота, Гц; С — емкость конденсатора, Ф.

Погрешность определения собственной индуктивности ленной в п. 2.8.3.5.

2.8.7. Метод 508—5

Метод заключается в определении собственной индук­тивности конденсатора путем настройки в резонанс последо­вательного контура, образованного измеряемым конденсато­ром и конденсатором переменной емкости.

Электрическая структурная схема для измерения собствен­ной индуктивности конденсатора должна соответствовать ука­занной на черт. 6.

Генератор стандартных сигналов, индуктивно связанный с колебательным контуром посредством катушки связи (LT). должен обеспечивать подачу сигнала в диапазоне частот, пре­вышающем не менее чем в 2 раза частоту собственного резо­нанса конденсатора.

должна соответствовать установ­

Черт. 6

Генератор стандартных сигналов настраивают на требуемую частоту, замыкают накоротко вы­воды 7, 2 перемычкой с известным значением L и регулировкой емкости конденсатора С1 настра­ивают контур в резонанс. Значение емкости конденсатора С1 фиксируют. Затем к выводам 7, 2 подключают измеряемый конденсатор и при помощи конденсатора С1 настраивают контур в резо­нанс. Значение емкости С1 фиксируют.

Собственную индуктивность конденсатора (Z) в генри определяют по формуле

ах

— измеряемый конденсатор;

С1 —

конденсатор переменной емкости; L1 — индуктивная катушка связи; 7 — инди­катор резонанса; 1,2— выводы схемы

(18)

где f — частота, Гц;

C_t и С, — значения емкостей переменного конденсатора, Ф;

L_B— индуктивность перемычки, Гн;

С_х— емкость измеряемого конденсатора, Ф.

Погрешность определения собственной индуктивности конденсатора должна соответствовать установленной в п. 2.8.3.5.

Полное электрическое сопротивление измеряют методом вольтметра — амперметра по схеме, изображенной на черт. 7, или другим эквивалентным методом, обеспечивающим воздействие на конденсатор переменного синусоидального измерительного напря­жения.

П олное электрическое сопротивление конденсатора (ZJ в омах определяют по формуле

(19)

Черт. 7 где U — измеренное значение напряжения на конденсаторе, В;

I — измеренное значение тока через конденсатор, А.

Конкретную частоту измерительного напряжения устанавливают в стандартах или технических условиях на конденсаторы конкретных типов.

Допускаемое отклонение частоты от заданного значения не должно выходить за пределы ±5 %.

Конкретное значение максимально допустимого измерительного напряжения устанавливают в стандартах или технических условиях на конденсаторы конкретных типов.

Погрешность измерения полного электрического сопротивления должна находиться в преде­лах: ±10 % — для значений не более 0,1 Ом; ±5 % — для значений более 0,1 Ом. В технически обоснованных случаях допускается в технических условиях на конденсаторы конкретных типов уста­навливать другое значение.

Таблица 5

Н

Испытательное
напряжение

1,15 [/*

1,10 U*

оминальное напряжение
конденсатора Ц_юм

До 315 включ.

Св. 315Допускаемое отклонение испытательного напряжения от заданного значения должно нахо­диться в пределах ±2,5 %.

Заряд — подключение конденсатора к источнику напряжения на (30±2) с;

Разряд — отключение конденсатора от источника напряжения на 5 мин (30± 10) с.

• при испытании объемно-пористых и оксидно-полупроводниковых конденсаторов — сопро­тивление цепей заряда и разряда (10001100) Ом;

• при испытании оксидно-электролитических алюминиевых конденсаторов — постоянную вре­мени цепи заряда (0,1 ±0,05) с, определяемую произведением номинальной емкости испытываемо­го конденсатора на сопротивление цепи; разряд проводят без нагрузки.