Страница 9: ГОСТ 21934-83. Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и устройства фотоприемные. Термины и определения (74562)

Термин

1. Электромагнитное излучение

2. Оптическое излучение

3. Ультрафиолетовое излучение

4. Видимое излучение

5. Инфракрасное излучение

6. Равновесное излучение

7. Немодулированное излучение

8. Модулированное излучение

9. Фотоэлектрический эффект Фотоэффект

10. Внутренний фотоэлектриче­ский эффект

Внутренний эффект

11. Эффект проводимости

Определение

ПРИЛОЖЕНИЕ

Справочное

ОБЩИЕ ПОНЯТИЯ, ИСПОЛЬЗУЕМЫЕ В ОБЛАСТИ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИЕМНИКОВ ИЗЛУЧЕНИЯ И ФОТОПРИЕМНЫХ
УСТРОЙСТВ

Процесс испускания электромагнитных волн.

Примечание. Под термином «электромагнитное излучение» следует понимать также и уже излученные элект­ромагнитные волны Электромагнитное излучение, характери­зующееся длинами волн, расположенными в диапазоне 5-Ю-⁹—10-³ м.

Примечание. В указанном диапа­зоне электромагнитные волны наиболее эффективно изучаются оптическими ме­тодами, для которых характерно форми­рование направленных потоков электро­магнитных волн с помощью оптических систем

Оптическое излучение, характеризующее­ся длинами волн, расположенными в диа­пазоне 5-Ю-®—4-Ю-⁷ м

Оптическое излучение, характеризующее­ся длинами волн, расположенными в диа­пазоне 4-Ю-⁷—7,6-Ю-⁷ м

Оптическое излучение, характеризующее­ся длинами волн, расположенными в диа­пазоне 7,6-1Ю~⁷—10-³ м

Электромагнитное излучение, испускае­мое физической системой, находящейся в термодинамическом равновесии

Излучение, не изменяющееся во времени за период его измерения

Излучение, изменяющееся во времени с помощью модуляторов

Процесс полного или частичного осво­бождения заряженных частиц в веществе в результате поглощения фотонов

Перераспределение электронов по энерге­тическим состояниям в твердых телах в результате поглощения фотонов

Изменение электрического сопротивления полупроводника, обусловленное внутренним фотоэлектрическим эффектом

Термин

Определение

12. Фотогальванический эффект

13. Фотопроводимость

14. Собственная фотопроводи­мость

15. Примесная фотопроводимость

16. Фотоэлектродвижущая сила Фото-э. д. с.

17. Фотосигнал

Возникновение э. д. с. в электронно-ды­рочном переходе либо тока при включении перехода в электрическую цепь, происхо­дящее в результате разделения фотоноси­телей электрическим полем, обусловленным неоднородностью проводника.

Примечание. Под термином «фо­тоносители» следует понимать носители электрического заряда, генерированные в полупроводнике под действием оптиче­ского излучения Свойство вещества изменять свою элек­тропроводность под действием оптического излучения

Фотопроводимость полупроводника, обус­ловленная генерацией пар электрон прово­димости — дырка проводимости, возника­ющей под действием оптического излуче­ния

Фотопроводимость полупроводника, обу­словленная ионизацией атомов донорной и (или) акцепторной примесей, возникающей под действием оптического излучения

Электродвижущая сила, возникающая в полупроводнике на р—п переходе под действием оптического излучения

Реакция приемника на оптическое излу­чение

ПРИЛОЖЕНИЕ 2

Справочное

ИНФОРМАЦИОННЫЕ ДАННЫЕ
О СООТВЕТСТВИИ (ГОСТ 21934—83 и СТ СЭВ 2767—80

Пп. 10, М, 17 ГОСТ 21934—83 соответствуют пп. 1.5.8, 1.5.10, 1.5.11 СТ СЭВ 2767—80.

Редактор Р. Г. Говердовская
Технический редактор В. И. Тушева
Корректор М. Н, Гринвальд

Сдано в ааб. 26.10.84 Подп. в печ. 19.03.85 3,75 усл. п. л. 3,88 уал. кр.-отт. 5,02 уч.-нзд. л. Тир. 8000 Цена 25 коп.

Ордена «Знак Почета* Издательство стандартов, 123840, Москва, ГСП.
Новопресненский нер., 3.

Калужская типография стандартов, ул. Московская, 256. Зак. 3250* На ФЭПП может действовать равновесное тепловое излучение * ^{** ***}прн за­данной температуре в эффективном поле зрения ФЭПП.

** Термины 64—74 могут употребляться в различных комбинациях. Напри­мер, Вольтовая интегральная чувствительность S_UHт (комбинация терминов 69 и 70), вольтовая монохроматическая чувствительность S_u*_f_ (комбинация терминов 69 и 71), токовая чувствительность к освещенности S_1Е и токовав чувствительность к световому потоку (комбинация терминов 68 с 65 и 67).

буквенные обозначения при этом формируются из буквенных обозначении терминов, участвующих в комбинации.

В случаях, когда в тексте указана размерность чувствительности, допуска­ется опускать определяющие и дополняющие слова в (комбинируемых терминах.

*** Верхний индекс «э», «б», «к» в пп. 102—125 указывает на схему вклю­чения фототранзистора соответственно с общим эмиттером, с общей базой, с об­щим коллектором.

АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА РУССКОМ ЯЗЫКЕ

Время автономной работы охлаждаемого ФЭПП ]до

Время выхода на режим охлаждаемого ФЭПП 149

Время нарастания 91

Время нарастания ФЭПП 91

Время спада 93

Время спада ФЭПП 92

Время установления 93

Время установления переходной нормированной характери­стики ФЭПП по уровню k 93.

Вывод фотоприемного устройства 48

Вывод фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения 41

Вывод ФЭПП 41

Диапазон ФЭПП динамический 14]

Диафрагма фотоэлектрического полупроводникового приемни­ка излучения апертурная 47

Диафрапма ФЭПП апертурная 47

Длина волны максимума спектральной чувствительности

ФЭПП 84

Граница спектральной чувствительности ФЭПП длинноволно­вая 86