---

УДК 621.382.3.083:006354 Группа Э29

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮЗА ССР

Т

ГОСТ
20398.5—74* *

(СТ СЭВ 3413—81)

РАНЗИСТОРЫ ПОЛЕВЫЕ

Метод измерения входной, проходной
и выходной емкостей

Field-effect transistors.

Input transfer and output capacitance
measurement technique

Постановлением Государственного комитета стандартов Совета Министров СССР от 31 декабря 1974 г. № 2852 срок введения установлен

с 01.07.76

Проверен в 1979 г. Срок действия продлен

до 01.07.86

Несоблюдение стандарта преследуется по закону

Настоящий стандарт распространяется на маломощные поле­вые транзисторы и устанавливает методы измерения входной С ил , проходной С ₁₂„ и выходной C_22ll емкостей на малом сиг­нале. (Сигнал считается малым, если при уменьшении его ампли­туды в два раза изменение параметра не выходит за пределы по­грешности измерения).

Общие условия при измерении входной, проходной и выходной емкостей должны соответствовать требованиям ГОСТ 20398.0—74.

Стандарт соответствует СТ СЭВ 3413—81 в части метода из­мерения входной, проходной и выходной емкостей (см. справоч­ное приложение 1).

(Измененная редакция, Изм. № 1).

1. АППАРАТУРА

   1. Измерительные установки, предназначенные для измере­ния ВХОДНОЙ С Пи, проходной С 12и И ВЫХОДНОЙ С 22и емкостей, должны обеспечивать основную погрешность измерения в преде­лах ±10% от конечного значения рабочей части шкалы. Для из­мерительных установок с цифровым отсчетом основная погреш­ность измерения должна быть в пределах ± ^8 1-0,7?^пР^ед. j %„ где С_х— значение измеряемой емкости, С _пред— конечное зна­чение установленного предела измерения.

2. ПОДГОТОВКА К ИЗМЕРЕНИЮ

   1. Принципиальная электрическая схема измерения входной емкости Спи должна соответствовать указанной на черт. 1, схе­ма измерения проходной емкости С 1_2и должна соответствовать указанной на черт. 2 и схема измерения выходной емкости С ₂2 и должна соответствовать указанной на черт. 3.

Примечание. В лабораторных условиях допускается измерять вход­ную, проходную и выходную емкости мостовым методом (см. справочное при­ложение 2).

Г—генератор; RI, R2—резисторы; Cl, С _к. С ₆С _р—конденсаторы; L1, L2—дроссели; VI, V2, ИП—измерители напряжения; А—измеритель тока;

В—переключатель.

Черт. 1

L1

Г—генератор; RI, R2—резисторы; Ct, С_к_ с _г—конденсаторы; L1—дрос­сель; VI, V2, ИП— измерители напряжения; Л—измеритель тока; В—пе­реключатель.

Черт. 2

Г—генератор; RI, R2—резисторы; С1, С_к , С _г—конденсаторы; /./—дрос­сель; VI, V2, Т//7—измерители напряжения; /1—измеритель тока; В—пе­реключатель.

Черт. 3

(Измененная редакция, Изм. № 1).

Г —генератор синусоидального напряжения с фиксированной частотой, не превышающей 15 МГц. Выходное сопротивление re- о.1

н

значение —-р.— и также не дол­аю _к

и 0,1 —* для схемы черт. 1,

которого должно удовлетворять

ератора не должно превышать

0,1

жно превышать значение - —

0.1 о

— для схемы черт. 2,

шС_1аи

0,1 О

для схемы черт. 3; ®С_ааи

/?/ — резистор, сопротивление соотношениям:

п 0,1 .

-тг² для схемы черт. 1.

СОСци

п 0,1 _о

7?! С для схемы черт. 2,

_п 0,1 „

-уг² для схемы черт. 3;

аю _а2 и

7?2 — резистор, значение которого должно удовлетворять со­отношению

Я_а>100Я_1;

С1 — конденсатор, емкостное сопротивление которого должно удовлетворять соотношению

_шС1 <0,17?!.

Для схемы черт. 3 значение Ci должно также удовлетворять соотношениям:

С* lOOCj _зи, С₁>100С_1їи;

С_к—конденсатор, точность определения емкости С_к должна обеспечивать установленную погрешность измерения;

С_г— конденсатор, значение емкости которого должно удов­летворять условиям:

С_г>100С_11и, Сг>- 100С_13и, С_г>100С_ззн, С_г>100С_к;

L1 — дроссель, индуктивное сопротивление которого должно не менее чем в 100 раз превышать выходное сопротив­ление генератора;

С_б—конденсатор, емкость которого должна удовлетворять условию

С₆>100С_ззи;

L2 — дроссель, индуктивность которого должна удовлетворять условию

Допускается использование настроенного контура вместо дрос­селей L1 и L2; при этом должна обеспечиваться заданная по­грешность измерения;

ИП— измеритель напряжения с регулируемой чувствитель­ностью. Допускается применение ИП с нерегулируемой чувствительностью, в этом случае должна регулиро­ваться амплитуда выходного напряжения генератора. Шкала ИП моікет быть отградуирована непосредствен­но в единицах емкости.

В схеме черт. 2 корпус измеряемого транзистора должен быть заземлен по постоянному или переменному току.

Резистор R1 может отсутствовать, если входное сопротивле­ние прибора ИП удовлетворяет требованиям к R1.

Падение напряжения от протекания постоянной состав­ляющей тока на дросселях LI, L2 и измерителе тока в схеме черт. 1, на дросселе L1 и измерителе тока в схеме черт. 2, а так­же на дросселе L1, резисторе R1 и измерителе тока в схеме черт. 3 не должно превышать 1,5% от напряжения на стоке из­меряемого транзистора

3. ПРОВЕДЕНИЕ ИЗМЕРЕНИЯ И ОБРАБОТКА РЕЗУЛЬТАТОВ

Транзистор включают в схему и устанавливают режим по по­стоянному току.

Переключатель В устанавливают в положение 1 и, изменяя либо чувствительность измерителя напряжения, либо значение напряжения генератора, устанавливают определенное значение напряжения Ui по измерителю напряжения ИП, оговоренное в техническом описании на конкретный измеритель; затем переклю­чатель В устанавливают в положение 2 и отсчитывают значение напряжения U₂ по измерителю ИП.

С —Г £1.

^и11и '•'К ц •

С — С '-'12И Ц *

^и22И U«ПРИЛОЖЕНИЕ 1 Справочное

Информационные данные о соответствии ГОСТ 20398.5—74 СТ СЭВ 3413—81

ГОСТ 20398.5—74 полностью соответствует разд. 5 СТ СЭВ 3413—81.

ПРИЛОЖЕНИЕ 2

Справочное

И

черт. 1, проходной ем-

змерение мостовым методом
1. Аппаратура

Схема измерения входной емкости приведена на кости — на черт. 2, выходной емкости — на черт. 3.

Е—измерительный мост; VT—измеряемый тран
зистор; РА—измеритель тока; Cl, С2—конден-
саторы; PVI, PV2—измерители напряжения

Черт. 1

VT—измеряемый транзистор; Е~измерительный

мост; R1, Я2—резисторы; рА—измеритель тока;
Cl, С2—конденсаторы; PV1, PV2—измерители

напряжения

Черт. 2

VT—измеряемый транзистор; Cl, С2—кон­денсаторы; Е—измерительный мост; PV1, PV2—измерители напряжения

Черт. 3

2. Подготовка к измерению

Значения емкостей конденсаторов СІ и С2 должны удовлетворять нера­венствам:

с¹»!¹¹"}^{для черт}'^{1 и 2
для черт}- ³

Для схемы, приведенной на черт. 2, резистор R2 допускается шунтиро­вать индуктивностью L.

При отсутствии постоянного тока через измерительный мост в схеме измерения предусматривается включение разделительного конденсатора.

2. Проведение измерения

Мост балансируют. Считывают значение емкости. Включают в схему из­меряемый транзистор, устанавливают заданный в стандартах или техниче­ских условиях на транзисторы конкретных типов режим но постоянному току. Затем мост снова балансируют. Считывают значение емкости.

2. Обработка результатов

Разность между считанным значением емкости в схеме с измеряемым транзистором и без транзистора составляет требуемое значение емкости С _11и ИЛИ Cj2u ИЛИ С 22U

Приложения 1 и 2. (Введены дополнительно, Изм. № 1).Издание официальное Перепечатка воспрещена

★

* Переиздание март 1984 г. с Изменением № 1, утвержденным
в июле 1983 г. (ИУС 11—83).

1