Страница 2: ГОСТ 18604.3-80. Транзисторы. Методы измерения емкостей коллекторного и эмиттерного переходов (73261)

чертеж 1. Подрисуночная подпись. Заменить слова: «ZK — полное сопро­тивление для развязки» на «Z_K •— элемент для развязки».

Пункт 2.2. Второй абзац. Заменить слова: «(далее — прибора Г)» на «Р_вх.р, которое должно удовлетворять условию

^вх.Р»^ * *

Пункт 2.3. Первый абзац. Заменить слова: «Разделительную емкость кон­денсатора» на «Емкость разделительного конденсатора».

Пункт 2.5. Формула. Заменить обозначение: Z_K на |Z_K |; заменить слова: «где Z_K — полное сопротивление, предотвращающее замыкание генератора сиг­налов через источник питания» на «где |Z_K | — модуль полного сопротивления элемента для развязки».

Пункт 2.6. Заменить слова: «полного сопротивления в цепи коллектора» на «полного сопротивления элемента для развязки».

Пункт 2.7. Исключить слова: «применять многопредельный прибор Р. При этом отсчет измеряемой емкости производят с учетом коэффициента соответст­вующего пересчета со шкалы, на которой проводилась калибровка, к шкале, на которой проводилось измерение»;шестой абзац. Заменить слова: «токосъемную емкость» на «токосъемный конденсатор».

Пункт 2.8. Заменить слова: «не более 5 % шкалы» на «не более 5 % конеч­ного значения шкалы».

Пункт 2.11 изложить в новой редакции: «2.11. Емкости контактодержателя должны удовлетворять требованиям:

^СКЭ^<Ск >

с_КБ<с_к ,

тде С_КБ — емкость между контактами коллектор-база контактодержателя, пФ;

С_ЭБ — емкость между контактами эмиттер-база контактодержателя, пФ;

С_кэ — емкость между контактами коллектор-эмиттер контактодержателя, пФ.

Если емкость С^э соизмерима с емкостью , то вывод эмиттера в схеме, приведенной на черт. 1, следует заземлять через емкость не менее 200 пФ. При­мер электрической схемы измерения приведен на черт. 5 приложения».

Раздел 2 дополнить пунктом — 2.12: «2.12. Основная погрешность измери­тельной установки (боен) по схеме, приведенной на черт. 1, со стрелочными из­мерителями должна быть в пределах ±10% конечного значения предела изме­нения и ±15 % измеряемого значения в начале рабочего участка шкалы. При «измерении емкостей 3 пФ и менее допускается боен — ±(20%+0,0б пФ) изме­ряемого значения в начале рабочего участка шкалы, боен для измерителей с цифровым отсчетом должна быть в пределах ±(10 % +'0,05 пФ) измеряемого значения плюс 2 знака младшего разряда дискретного отсчета».

Пункт 4.1 изложить в новой редакции: «4.1. Показатели точности измерений и С_э должны соответствовать установленным в стандартах на транзисторы -конкретных типов». !

Раздел 4 дополнить пунктом — 4.2: «4.2. Границы интервала, в котором с вероятностью 0,997 находится погрешность измерения б, определяют по формуле

тде б уст — погрешность измерителя емкости;

oi — коэффициент влияния напряжения коллектора (эмиттера) на изме­ряемый параметр, определяемый по формуле

d^gK(3) ^К(Э)

^Л1dfJK.O) ^СК(Э)

-дц— — производная погрешности измеряемого параметра от напряжения;

ft 2 — коэффициент, зависящий от закона распределения погрешности изме­рения и установления вероятности;

для нормального закона распределения и вероятности 0,997 =1,96;

■ki, k₂ — предельные коэффициенты, зависящие от законов распределения сос­тавляющих погрешности; для равномерного закона распределения fe₁=ft₂=.l,73.

Для транзисторов, у которых зависимость С_к =f(^K ) имеет вид

С_к—Ш_к^п+<?_ко ,(Продолжение изменения к ГОСТ 18604.3—80) где k — коэффициент пропорциональности;

п — показатель степени, зависящий от материала транзистора;

С_ко — составляющая емкости, не зависящая от напряжения, коэффициент влияния определяют по формуле

а_1=п( 1—1 ».

^СК '

Стандарт дополнить разделом — 5:

«5. Метод измерения Сц и С_э с использованием моста

VT—измеряемый транзистор;

Е—мост; С—конденсатор;

PV—измеритель напряжения.

Черт. 3

(Продолжение см. с. 436)

VT—измеряемый транзистор; £—мост; Z_K—элемент для развязки; С—конденсатор; PV—измеритель напряжения

Черт. 4

(ИУС Ns 10 1987 г.)

1