ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ
СОЮЗА ССР

МИКРОСХЕМЫ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ

ОБЩИЕ ТЕХНИЧЕСКИЕ УСЛОВИЯ

ГОСТ 18725—83
(СТ СЭВ 299—76)

Издание официальное

Е

о.

КОМИТЕТ СТАНДАРТИЗАЦИИ И МЕТРОЛОГИИ СССР
Москва



У

Группа Э20

ДК 621.382.82 : 006.354

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮЗА ССР

М

ГОСТ
18725—83
(СТ СЭВ 299—76)

ИКРОСХЕМЫ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ
Общие технические условия

Integrated circuits.

General specifications

ОКП 63 3000

Срок действия с 01.01.85 до 01.01.05

Настоящий стандарт распространяется на интегральные микро­схемы производственно-технического назначения и народного пот­ребления (далее, микросхемы), изготовляемые для народного хо­зяйства и экспорта, используемые в электронной аппаратуре в ка­честве элементов монтажа.

Микросхемы изготовляют в климатических исполнениях УХЛ категорий 1; 1.1; 2; 2.1; 3; 3.1; 4.2; 5.1 и В категорий 1; 1.1; 2; 2.1; 3.1; 4; 4.2; 5; 5.1 по ГОСТ 15150—69.

Стандарт не распространяется на бескорпусные микросхемы.

Микросхемы, изготовляемые для экспорта, должны соответст­вовать требованиям настоящего стандарта и ГОСТ 23135—78.

(Измененная редакция, Изм. № 1, 3).

  1. ТЕХНИЧЕСКИЕ ТРЕБОВАНИЯ

    1. Микросхемы должны изготовляться в соответствии с тре­бованиями настоящего стандарта и стандартов или технических условий на микросхемы конкретных типов по рабочим чертежам и технической документации, утвержденной в установленном по­рядке.

Издание официальное Е

© Издательство стандартов, 1983 © Издательство стандартов, 1991 Переиздание с изменениями

  1. Настоящий стандарт не может быть полностью или частично воспроизведен, тиражирован и распространен без разрешения Госстандарта СССРТребования к конструкции

    1. Габаритные и присоединительные размеры микросхем должны соответствовать ГОСТ 17467—88.

Общий вид и установочные размеры должны соответствовать чертежам, приведенным в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов.

Микросхемы, предназначенные для автоматизированной сборки (монтажа) аппаратуры, должны соответствовать нормативно-тех­нической документации, утвержденной в установленном порядке.

Для микросхем, предназначенных для автоматизированной сборки (монтажа) аппаратуры, в стандартах или технических ус­ловиях (далее ТУ) на микросхемы конкретных типов должен быть указан номер конструктивно-технологической группы и конструк­тивное исполнение по нормативно-технической документации, ут­вержденной в установленном порядке.

Покрытия выводов, предназначенных для пайки, не должны иметь просветов, через которые просматривается основной металл, коррозионных поражений, пузырей, отслаивания и шелушения. Допускается отсутствие покрытия на торцах выводов.

(Измененная редакция, Изм. № 1, 3).

  1. Внешний вид микросхем должен соответствовать образ­цам внешнего вида и их описаниям, утвержденным в установлен­ном порядке.

Описания должны прилагаться к стандартам или техническим условиям на микросхемы конкретных типов и высылаться потре­бителю.

  1. Масса микросхем не должна превышать значений, уста­новленных в стандартах или технических условиях на микросхе­мы конкретных типов.

  2. Микросхемы должны быть герметичными.

Показатель герметичности микросхем, имеющих внутренние объемы, по скорости утечки газа не должен быть более:

5-Ю-3 Па-см3/с (5-Ю’5 л-мкм рт. ст./с) —для микросхем внутренним объемом до 1 см3;

5-10~2 Па-см3/с (5-10“4 л-мкм рт. ст./с)—для микросхем внутренним объемом более 1 см3.

Конкретные значения показателя герметичности указывают в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов.

  1. Выводы микросхем должны выдерживать без механиче­ских повреждений воздействие следующих механических факто­ров:

растягивающей силы, направленной вдоль оси вывода. Значе­ние растягивающей силы — по ГОСТ 25467—82;

изгибающей силы — для гибких лепестковых, ленточных и про­волочных выводов. Минимальное расстояние места изгиба выво­да от корпуса указывают в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов.

  1. 1.2.5. (Измененная редакция, Изм. № 3).

  2. Выводы микросхем должны обеспечивать способность их пайки при температуре (235±5)°С, (270±10)°С или (350±10)°С.

Микросхемы должны выдерживать воздействие тепла, возни­кающего при температуре пайки (260±5)°С или (350±10)°С. Конкретное значение температуры пайки, расстояние до корпуса и продолжительность пайки указывают в стандартах или техни­ческих условиях на микросхемы конкретных типов.

Выводы микросхем, подлежащие электрическому соединению пайкой, должны сохранять способность к пайке не менее 12 мес без дополнительной обработки.

(Измененная редакция, Изм. № I, 3).

  1. Наружные металлические поверхности микросхем долж­ны быть коррозионностойкими в условиях хранения и эксплуата­ции, установленных настоящим стандартом и стандартами или техническими условиями на микросхемы конкретных типов.

  2. Стекло (керамика) и спаи стекла (керамики) с метал­лом должны быть механически прочными и термически стойкими.

  3. Наружные неметаллические покрытия и маркировка дол­жны быть устойчивы к воздействию спиртобензиновой смеси.

  4. Обозначение выводов должно соответствовать электри­ческой схеме, приведенной в стандартах или технических услови­ях на микросхемы конкретных типов.

  5. Микросхемы должны быть трудногорючими. Микросхе­мы не должны самовоспламеняться и воспламенять окружающие их элементы при воздействии аварийных электрических перегру­зок. Аварийный электрический режим указывают в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов.

(Измененная редакция, Изм. № 3).

  1. Т р е б о в а н и я к электрическим параметрам и режимам

    1. Электрические параметры микросхем устанавливают в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов.

Микросхемы третьей и более высоких степеней интеграции должны выполнять свои функции в соответствии с таблицами ис­тинности (таблицами состояний и (или) системой команд или микрокоманд, диаграммой состояний и т. п.), приведенными в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов.

(Измененная редакция, Изм. № 1).

  1. Электрические параметры микросхем в течение наработ­ки при условии их эксплуатации в режимах и условиях, указан­ных в настоящем стандарте и в стандартах или технических усло­виях нй микросхемы конкретных типов, должны соответствовать нормам, установленным в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов.

  2. Электрические параметры микросхем в течение срока со­храняемости при хранении их в условиях, указанных в настоящ- щем стандарте и в стандартах или технических условиях на мик­росхемы конкретных типов, должны соответствовать нормам, ус­тановленным в стандартах или технических условиях на микросхе­мы конкретных типов.

  3. Значения предельно допустимых электрических режимов1 эксплуатации микросхем в диапазоне температур должны соот­ветствовать нормам, установленным в стандартах или техничес­ких условиях на микросхемы конкретных типов. I

(Измененная редакция, Изм. № 1). '

    1. Номинальные значения питающих напряжений микро­схем и отклонения от номинальных значений должны выбираться из ряда по ГОСТ 17230—71. Конкретные значения должны быть указаны в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов.

  1. Микросхемы должны быть механически прочными и со­хранять свои параметры в процессе и после воздействия на них механических нагрузок в соответствии с табл. 1.

Таблица 1

Внешний воздействующий фактор

Значение внешнего воздейст­вующего фактора

Синусоидальная вибрация: диапазон частот, Гц амплитуда ускорения, м/с2(g) t Механический удар одиночного действия: пиковое ударное ускорение, м/с2(g) длительность действия ударного ускорения, мс Механический удар многократного действия: пиковое ударное ускорение, м/с2 (g) длительность действия ударного ускорения, мс Линейное ускорение, м/с2 (g)

1 — 2000

200 (20)

1500 (150)

0,1—2,0

1500 (150)

1—5

5000 (500); 10000 (1000); 20000 (2000)

(Измененная редакция, Изм. № 1).

  1. Требования к устойчивости при к л им эти­чески хвоздействИ Я X

  1. Микросхемы должны быть устойчивы к климатическим воздействиям и сохранять свои параметры в процессе и после воздействия на них следующих климатических факторов:пониженной рабочей температуры среды, выбираемой из ряда: минус 10, минус 25, минус 45, минус 60°С и пониженной предельной температуры среды минус 60°С;

  2. повышенной рабочей температуры среды,

°С, выбираемой из ряда: 70, 85, 100, 125;

повышенной предельной температуры среды, °С, выбираемой из ряда: 85, 100, 125, 125;

  1. изменения температуры среды в пределах от повышенной предельной температуры среды до пониженной предельной тем­пературы среды;

  2. относительной влажности не более 98% при температуре 35°С без конденсации влаги;

  3. атмосферного пониженного давления 26664 Па (200 мм рт. ст.);

  4. атмосферного повышенного давления до 294199 Па (3 кгс/см2).

Примечания:

  1. Для тепловыделяющих микросхем в стандартах или технических услови­ях на микросхемы конкретных типов указывают предельно допустимую темпе­ратуру верхней со стороны монтажа поверхности корпуса (теплоотвода).

  2. В стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов по согласованию с основным потребителем допускается устанавливать иные значения пониженной и повышенной (но не менее плюс 55°С) рабочей темпе­ратуры среды, обусловленные условиями применения микросхем.

    1. Микросхемы исполнения В должны быть устойчивы к воз­действию повышенной влажности воздуха (длительное воздейст­вие), соляного тумана и среды, зараженной плесневыми грибами.

    2. 1.5.2. (Измененная редакция, Изм. № 1, 3).

  1. Требования к надежности

    1. Требования к надежности — по ГОСТ 25359—82 и на­стоящему стандарту

      1. Наработку микросхем в режимах и условиях, установ­ленных настоящим стандартом и техническими условиями, долж­на быть не менее 25000 ч для гибридных микросхем и не менее 50000 ч — для остальных микросхем, а в облегченных режимах, которые приводят в ТУ, — не менее 40000 и 60000 ч соответствен­но. Конкретное значение устанавливают в стандартах или техни­ческих условиях на микросхемы конкретных типов.

(Измененная редакция, Изм. № 1).

    1. Интенсивность отказов в течение наработки не должна быть более значений, выбираемых из ряда: 1-Ю6; 5-Ю-'; 3-Ю-7 1/ч и далее по ГОСТ 25359—82. Конкретное значение ин­тенсивности отказов устанавливают в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов.

  1. Гамма-процентный срок сохраняемости микросхем при хранении их в условиях, установленных ГОСТ 21493—76, должен выбираться из ряда: 6; 8; 10 лет при заданной вероятности у = 95%. Конкретное значение устанавливают в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов.

  2. Интенсивность отказов микросхем, поставляемых для комплектации телевизионных приемников, подтверждаемая по ре­зультатам периодических испытаний, должна быть не более:

ли = 3-Ю-6 1/ч.

(Введен дополнительно, Изм. № 3).

  1. Обозначение микросхем при заказе и в конструкторской документации должно состоять из слова «Микросхема», условно­го обозначения типа (типономинала), буквы В для микросхем всеклиматического исполнения и обозначения стандарта или тех­нических условий на микросхемы конкретных типов.

Пример условного обозначения:

Микросхема К174АФ1А В ТУ . . .

(Измененная редакция, Изм. № 1).

  1. КОНТРОЛЬ КАЧЕСТВА И ПРАВИЛА ПРИЕМКИ

    1. Требования к обеспечению и контролю качества в процессе производства

      1. Общие требования

        1. На предприятии-изготовителе должны действовать до­кументы, устанавливающие:

  1. порядок обучения и аттестации производственного персона­ла, участвующего в изготовлении и контроле качества микросхем по всему технологическому процессу;

  2. порядок проверки производственного оборудования, перио­дичность проверки и, в необходимых случаях, методы его про­верки;

  3. порядок проверки выполнения требований, предъявляемых к производственным помещениям и рабочим местам (запылен­ность, влажность, температура, агрессивные среды);

  4. порядок проверки технологического процесса;

  5. порядок учета, хранения, обращения конструкторской и тех­нологической документации;

  6. порядок и методы входного контроля поступающих мате­риалов, полуфабрикатов, комплектующих изделий;

  7. порядок проведения анализа дефектных микросхем и осу­ществления мероприятий по устранению причин их появления;

  8. порядок организации анализа и учета технологических по­терь в производстве;

  9. порядок анализа рекламаций и согласования мероприятий, внедряемых в производство по результатам анализа.