---

И

Черт. 29

спытуемую микросхему (при необходимости) перед измерением балансируют в соответствии с усло­виями, указанными в стандартах или технических ус­ловиях на микросхемы конкретных типов. Регулируют напряжение генератора 1 или затухание аттенюатора 2 при замкнутом переключателе В1 до момента подучения выходного напряжения U , указанного в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов. При разомкнутом переключа­теле В1 увеличивают коэффициент затухания аттенюатора на 6 дБ и устанавливают такое значение сопротивления резистора, при котором получают выходное напряжение, равное Ї7 . Входное со­противление 7?_вх испытуемой микросхемы будет равно сопротивлению т?2 резистора.

Метод 7501. Измерение входного сопротивления (Л_1х) для микросхем с двумя входами.

Измерение проводят согласно структурной схеме, приведенной на черт. 30, если испытуемая микросхема удовлетворяет условию

г

В1-1

де Х_ю— реактивная составляющая входного сопротивления микросхемы. Элементы схемы должны удовлетворять требованиям, указанным в методе 7500.

1 — генератор переменного напряжения; 2 — атте­нюатор; 3 — источник питания; 4 — микросхема;

5 — измеритель переменного напряжения; R2 — эта-
лонный регулируемый резистор

Черт. 30

Измерение проводят по методу 7500 в режиме малого сигнала при частоте, соответствующей указанной в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов.

Методы 7500, 7501. (Измененная редакция, Изм. № 2).

Методы 7502, 7503. (Исключены, Изм. № 2).

Метод 7510. Измерение выходного сопротивления 7?_вых для микросхем с одним входом.

Измерение 1?_вых проводят согласно структурной схеме, приведенной на черт. 31, если микросхема удовлетворяет условию

у 2 « р2
^ЛВЫХ ^ЛВЫХ ’

где Х_ — реактивная составляющая выходного сопротивления микросхемы.

И

Черт. 31

1 — генератор переменного напря­жения; 2 — источник питания;

3 — микросхема; 4 — измеритель переменного напряжения; Я_н — эталонный регулируемый резистор

змерение проводят в режиме малого сигнала при частоте, соответ­ствующей указанной в стандартах или технических условиях на мик­росхемы конкретных типов. Цепь обратной связи испытуемой микро­схемы должна быть разомкнутой. Сопротивление R_H резистора должно удовлетворять условию

R <R<R вых.min н вых.шах

Для проведения измерения регулируют напряжение генератора 1 и устанавливают на выходе микросхемы напряжение Ц , указанное в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов. Регулируя сопротивление R_H, устанавливают такое его значение 7?_н , при котором и'_вык = 0,5 U_Bax. При этом необходимо соблюдать, чтобы испытуемая микросхема не была перегружена.

/?_вых определяют по формуле

Р — О^Н ' Rh ^2ХВЫХ ~ _Л .

— Rh

(Измененная редакция, Изм. № 2).

Методы 751 1,751 2. (Исключены, Изм. № 2).

Метод 7520. Измерение входного сопротивления при синфазных входных напряжениях (7?_вхсф) для микросхем с одним выходом.

Измерение R_Bxail проводят согласно структурной схеме, приведенной на черт. 32.

Основные элементы, входящие в структурную схему, должны удовлетворять следующим требо­ваниям

Х_г <0,012?,; R. = R-,R^ (2-5)7? .

Н

1 — генератор сигналов; 2 — источник питания;

3 — микросхема; 4 — измеритель переменного на-
пряжения

1 — генератор сигналов; 2 — измеритель перемен-
ного напряжения; 3 — микросхема; 4 — источник пита-
ния; 5 — вспомогательный усилитель

а вход микросхемы подают синусоидальный сигнал и измерителем переменного напряжения измеряют напряжение на выходе микросхемы (7_ВЫХ. Затем переключатель В1 размыкают и снова изме­ряют напряжение на выходе и"_вых■

Ч

Черт. 33

ерт. 32

Входное сопротивление при синфазных входных напряжениях определяют по формуле

-^х.сф ⁼ Т?^-^ •

І'вых I

^вых

Метод 7521. Измерение входного сопротивления при синфазных входных напряжениях сф) Д™ микросхем с двумя выходами с автоматической балансировкой микросхемы.

Измерение Л_вхсф проводят согласно структурной схеме, приведенной на черт. 33.

Основные элементы, входящие в структурную схему, должны удовлетворять следующим требо­ваниям

Х_С1 <0,01^; Л, = ^(2-5)^; Ъ =

Параметры вспомогательного усилителя определяют в зависимости от параметров испытуемой микросхемы.

На вход микросхемы подают синусоидальный сигнал и измерителем переменного напряжения измеряют напряжение {/_вых на выходе вспомогательного усилителя. Затем переключатель В1 размыка­ют и измеряют напряжение [/"_ых. Входное сопротивление при синфазных входных напряжениях опре­деляют по формуле

р —

^Лвх.сф '

^ВЫХ I

^вых

Метод 7530. (Исключен, Изм. № 5).

8. МЕТОДЫ ИЗМЕРЕНИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ,
   ИМЕЮЩИХ ПРОЧИЕ РАЗМЕРНОСТИ (класс 8000)

Метод 850 0. Измерение скорости нарастания выходного напряжения (К_ивых) для микросхем с одним входом.

Измерение К_ивых проводят согласно структурной схеме, приведенной на черт. 9.

Основные элементы, входящие в структурную схему, должны удовлетворять требованиям, ука­занным в методе 1690.

На вход микросхемы подают импульс прямоугольной формы с параметрами, указанными в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов. Измерителем временных ин­тервалов измеряют интервал времени т, за который выходное напряжение изменяется от момента первого достижения уровня 0,1 до момента первого достижения уровня 0,9 установившегося значения. Измеряют амплитуду выходного импульса А_п. Скорость нарастания выходного напряжения определяют по формуле

ГЛ _
^г Пвых ~

Метод 8501. Измерение максимальной скорости изменения выходного напряжения (У_ивых) для микросхем с двумя входами.

Время нарастания (Г ) выходного напряжения микросхемы измеряют по методу 5511. Устано­вившееся значение выходного напряжения (£А_ых) измеряют после воздействия на микросхему входно­го импульса.

Максимальную скорость изменения выходного напряжения К_ивых определяют по формуле

И_ивЫх=0,8^-.

*нар

Метод 8510. Измерение крутизны преобразования (5_прб), Измерение 5_прб проводят согласно структурной схеме, приведенной на черт. 34.

Н

Черт. 34

1 — генератор сигнала; 2 — измеритель переменного напряжения; 3 — источник питания; 4 — микросхема; 5 — генератор сигнала гетеродина; 6 — измеритель пе­ременного напряжения

а входы микросхемы подают сигналы с параметрами, в том числе напряжение U_Bхс и (7_вхг, указанными в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов. Изме­няя частоту входного сигнала U или /7_вхг, устанавливают мак­симальное напряжение промежуточной частоты на выходе мик­росхемы U_{Bых п ч}. Крутизну преобразования определяют по фор­муле

с _ ^вых.п.ч °Прб - ТТ D ^и вх.с^Лое

где R — эквивалентное сопротивление нагрузки.

Методы 8500, 8501, 8510. (Измененная редакция, Изм. № 2).

Метод 852 0. Измерение фазового сдвига (ф).

Измерение ф проводят согласно структурной схеме, приве­денной на черт. 28.

Фазовый сдвиг измеряют измерителем фазы, включенным между входом и выходом микросхе­мы.

Метод 853 0. Измерение температурных коэффициентов э. д. с. смещения (а_вЕ ), напряжения смещения нуля (а„_г. ), входных токов (а„, ,а_, ), среднего входного тока (о- ), разности

^У(Усм ^wbx1 ^wbx2 ^у/вх.ср

входных токов (а_0Д/ ), фазового сдвига (а_0ф).

Для измерения а„_ , а .. ,а_, ,а„. ,а_я. ,а_ЙЛ, , а„ при двух значениях температуры, ука- '^см ^висм ^и/вх1 ^t,yBX2 ^t,;BX.Cp ^т/ВХ

занных в стандартах и технических условиях на микросхемы конкретных типов, измеряют э. д. с. смещения Е_сы, е' напряжение смещения нуля £/’, и" (методы 1580, 1581), входной ток 4x1. ЛхЬ 4x2« 4x2. Средний ВХОДНОЙ ТОК 4х.ср. 4х.ср , Р^азн°СТЬ ВХОДНЫХ ТОКОВ Д^, Д/"_х(МСТОДЫ 2500, 2501), фазовые сдвиги ф', ф"(метод 8520), предварительно выдерживая микросхему при задан­ных температурах в течение времени, указанного в стандартах или технических условиях на микросхе­мы конкретных типов.

Температурный коэффициент э. д. с. смещения, напряжения смещения нуля, входных токов, среднего входного тока, разности входных токов и фазового сдвига определяют по формулам