---

Черт. 18

Перед проведением измерения испытуемую микросхему предварительно балансируют в соответ­ствии с условиями, указанными в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов. Измерения проводят в режиме малого сигнала.

Генератором 1 на измерителе 2 устанавливают значение 77_выхг, равное требуемому значению выходного напряжения U_swC Регулируя затухание аттенюатора, устанавливают на измерителе 6 то же значение выходного напряжения (7_вых. Коэффициент усиления напряжения испытуемой микросхемы K_yV равен коэффициенту d затухания аттенюатора

.Методы 6500—6504. (Измененная редакция, Изм. № 2).

Методы 6505, 6506. (Исключены, Изм. № 2).

Метод 65 20. Измерение коэффициента усиления тока (К_у1).

Для измерения АГ_у1 используют значения К _v и R_BX, измеренные выбранными для данной микро­схемы методами (методы 6500—6504 и 7500—7501).

Коэффициент усиления тока определяют по формуле

г' _ 7вых U _выхR_{BX v}R_BX

’“X-

где R_H — здесь и далее активная составляющая результирующей нагрузки микросхемы.

Метод 653 0. Измерение коэффициента усиления мощности (Х_уР).

Для измерения Аур используют значения К _ц и А_вх, измеренные выбранными для данной микро­схемы методами (методы 6500—6504 и 7500—7501).

Коэффициент усиления мощности определяют по формуле

г

р

V _ ¹ вых
^ауР~~Б~
¹ вх

/2 n п

^и вых ’ ^Лвх _ ^Лвх

О ~-^Луи “~

U^_XR_HR_a

Метод 654 0. Измерение коэффициента усиления синфазных входных напряжений (К_{у сф}).

По данному методу измеряется Х_усф микросхем с низким и средним полными входными сопро­тивлениями.

Большие значения К,_гсф измеряют согласно структурной схеме, приведенной на черт. 19, а малые значения АГ — по структурной схеме, приведенной на черт. 20.

Измерение проводят в режиме малого сигнала. Частота генератора^, переменное выходное напря­жение (7_ых, сопротивление нагрузки А_н должны соответствовать требованиям стандартов или техни­ческих условий на микросхемы конкретных типов. Сопротивление А, резистора определяют из соотно­шения А₍ < А_вх/100. Оно должно быть равно характеристическому сопротивлению аттенюатора. Испыту­емую микросхему (при необходимости) балансируют в соответствии с условиями, указанными в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов. Регулируя напряжение генера­тора 1 на измерителе 2 устанавливают напряжение С/, равное выходному напряжению микросхемы Чых’ Ук^{азанном}У ^в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов. Регулируя затухание аттенюатора 3, устанавливают на измерителе 6 требуемое значение выходного напряжения U .

вых

1 — генератор переменного напряжения; 2, 6 — из­меритель переменного напряжения; 3 — аттенюа­тор; 4 — источник питания; 5 — микросхема

1 — генератор переменного напряжения;

2, 3 — аттенюаторы; 4 — источник питания;

5 — микросхема; 6 — индикатор нуля;

7 — измеритель переменного напряжения

Черт. 19

Коэффициент усиления синфазного входного напряжения К_у равен значению затухания d аттенюатора.

При измерении малых значений К_у (черт. 20) испытуемую микросхему (при необходимости) балансируют в соответствии с условиями, указанными в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов. На аттенюаторы 2 и 3 устанавливают максимальное значение затухания d_v Регулируя напряжение генератора 1 на измерителе /устанавливают требуемое значение выходного переменного напряжения £/_вых. Затем устанавливают такое значение затухания d₂ аттенюатора 3, при котором индикатор нуля 6 показывает минимальное значение.

Коэффициент усиления синфазного входного напряжения А_усф определяют по формуле

d₇'

■^у.сф⁼~д~ или Ку_Хф—d2~dі_s

где А'у сф; d₂ и d_} — выражены в децибелах, если необходимо получить значение K_yc(t> в децибе­лах.

Метод 655 0. Измерение коэффициента ослабления синфазных входных напряжений (А^.^). Для измерения К_ж. используют значения A_yU и К_у , измеренные методами 6501—6504 и 6540. Коэффициент ослабления синфазных входных напряжений определяют по формуле

ИЛИ -АГос.сф ^— -^yU -^у.сф j

АуЦ
^лу.сф

К =

^лос.сф

К

^лос.сф

2/?4 ^сф.вх
u"i-u

1 — источник постоянного напряжения; 2 — генера­тор переменного напряжения; 3 — измеритель посто­янного напряжения; 4 — измеритель переменного на-

где Хосхфі А'уи, Ау _Сф — выражены в децибелах, если необходимо получить значение коэффициен­та ^ос.сф ^в децибелах.

Метод 6551. Измерение коэффициента ослабления синфазных входных напряжений (А^^) с автоматической балансировкой испытываемой микросхемы.

Измерение А^ _сф производят согласно структурной схеме, приведенной на черт. 23.

Основные элементы, входящие в структурную схему, должны удовлетворять требованиям, указанным в методе 1581.

На вход микросхемы подают сигнал положитель­ной полярности 17 указанный в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных ти­пов, и регистрируют показание измерителя постоян­ного напряжения t/j. Переключатель В1 переводят в положение 2, подают сигнал отрицательной полярнос­ти С4_фвх, равный по абсолютному значению сигналу положительной полярности. Регистрируют показание

измерителя постоянного напряжения U • Коэффициент ослабления синфазных входных

пряжения; 5 — источник питания; 6 — микросхема; напряжений на ПОСТОЯННОМ ТОКЄ определяют ПО фор- 7 — вспомогательный усилитель муле

Черт. 2

3

При измерении на переменном токе переключатель В1 переводят в положение 3, а переключатель В2 — в положение 2. На вход микросхемы подают синусоидальный сигнал и регистрируют

показание измерителя переменного напряжения и₂•

Коэффициент ослабления синфазного сигнала на переменном токе определяют по формуле

v _ ^4^сф.вх

^Лос.сф“ •

r₂u₂

Метод 6560. Измерение коэффициента нелинейности амплитудной характеристики (К _А).

Для измерения используют структурную схему, выбранную для измерения коэффициента

усиления напряжения (методы 6500—6504).

На вход микросхемы подают синусоидальный (импульсный) сигнал напряжением Z7_BXmin, а затем Z7_Bxmax> указанные в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов, и измеряют соответственно С^ихшт и Чыхтах- Затем _max уменьшают, а напряжение Ї7_вхтіп увеличива­ют на одно и то же значение, указанное в стандартах или технических условиях на микросхемы

конкретных типов, и определяют соответственно t/g_{MX max} и и_выхmin ■ Измерение проводят на заданной частоте. Коэффициент нелинейности амплитудной характеристики определяют по формуле

(^вых.тіп вых. min j (^вых.тах вых.max

^{КнлЛ =}7й П

I вых.тах ^v вых.тт _Атт І7 -U ^w вх.тах и вх.тт J

Метод 657 0. Измерение коэффициента прямоугольности (К_п).

Для измерения К_п определяют полосу пропускания А/(метод 4500) по уровню 0,01 — Д^_0|

или по уровню 0,001 U_aых — A/_o001 т. е. разность между значениями частот, на которых выходное напряжение уменьшается в 100 или 1000 раз относительно выходного напряжения на частоте, указан­ной в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов. Коэффициент прямоу­гольности определяют по формуле

0,01(0,001) = V°>⁰^°’⁰⁰¹⁾

Метод 6580. Измерение коэффициента деления (^_дедf) и умножения частоты (Л^не­структурная схема для измерения К,, и К „„ , приведена на черт. 24.

ДСЛ.І у

И

Черт. 24

1 — генератор сигналов; 2 — микросхема; 3 — ис­точник питания; 4 — измеритель частоты

змеряют значения частоты входного и выход­ного f сигналов. Коэффициент деления частоты опре­деляют по формуле

— /их
^пделГ ~ f
/вых

Коэффициент умножения частоты определяют по формуле

Р" _ /вых

-^ayMHf^—f

Jex

Метод 6 59 0. Измерение коэффициента влияния нестабильности источников питания на входной ток

Для измерения ^_шип дважды измеряют входной ток (методы 2500, 2501). Первое измерение

входного тока J проводят при повышенном напряжении одного из источников питания на значение Д£, указанное в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов. Второе изме­рение входного тока /"_х проводят при пониженном напряжении того же источника питания на значе­ние ДЕ. Коэффициент влияния нестабильности источников питания на входной ток определяют по формуле

Г' _ ^вх ~ Ех
^влип ~ 2ДЕ ’

Метод 6600. Измерение коэффициента влияния нестабильности источника питания на разность входных токов (К_{вл и п}) •

Для определения _{и п} дважды измеряют разность входных токов (методы 2500, 2501). Первое

измерение разности входных токов д/_вх проводят при повышенном напряжении одного из источни­ков питания на значение ДЕ, указанное в стандартах или технических условиях на микросхемы конк­ретных типов.

Второе измерение разности входных токов д 1_ВХ проводят при пониженном напряжении того же источника питания на значение ДЕ. Коэффициент влияния нестабильности источников питания на разность входных токов определяют по формуле

і и

v _ А7_ВХ — Д/_вх
вл.и.п ₂ДХ

Метод 6610. Измерение коэффициента влияния нестабильности источников питания (Х_мип) на э. д. с. смещения (£_м) и напряжения смещения нуля (Ц._м).

Измерение Х_{ал и п} микросхем с двумя входами проводят согласно структурной схеме, приведен­ной на черт. 4, а микросхем с одним входом — согласно структурной схеме, приведенной на черт. 4а. Основные элементы, входящие в структурные схемы, должны удовлетворять требованиям, указанным в методе 1580.

Испытуемую микросхему балансируют (метод 1580) и измеряют значение Д измерителем 2.

Увеличивают напряжение одного из источников питания, то есть EJ при Еў = const, по абсолютному значению на ДЕ, указанному в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов. После балансировки микросхемы измеряют значение Д измерителем 2. Затем уменьшают на­пряжение Ei по абсолютному значению на ДЕ и после балансировки микросхемы измеряют значение

Е_} измерителем 2.

Коэффициент влияния нестабильности источника питания _{и п} на Е_см и U_cm определяют по формуле

_г+_К' + К"

^ВЛ.И.П “ о ’

где Х' = Х

Ех-Е_х.

ДЕ ’

К=к~^ ; Х =

Тем же методом определяют коэффициент ^й.и.п ^ПР^И изменении Е₂ и при Е₂ = const.

Метод 6611. Измерение коэффициента влияния нестабильности источников питания (К_ъл _и ) на э. д. с. смещения и на напряжение смещения нуля (U_QV) с автоматической балансировкой испытуемой микросхемы с помощью вспомогательного усилителя.

Измерение К_{вли п} проводят согласно структурной схеме, приведенной на черт. 5. Основные эле­менты, входящие в структурную схему, должны удовлетворять требованиям, указанным в методе 1581.

Для измерения коэффициента влияния нестабильности А_влип на Е_си переключатели В1 и В2 замыкают, для измерения коэффициента нестабильности К_{дд и} на — размыкают.

Увеличивают напряжение одного из источников питания, то есть Е_х при Е₂— const, по абсо­лютному значению на А£, указанному в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов. Измеряют значение U_x измерителем 1. Уменьшают напряжение Е_х по абсолютному значению на ЛЕ и измеряют значение и_х измерителем 1.

Коэффициент влияния нестабильности источника питания _{и п} на Е и Ц. определяют по формуле

₊_ r₂и'_х-и_х^влип Я₂+Я₄1ЛЕ ■

Тем же методом определяют _{и п} на Е_см и U_cu при изменении Е₂ на ЛЕ и при Е_х = const.

Методы 6590—6611. (Измененная редакция, Изм. № 2).

Метод 6612. (Исключен, Изм. № 2).

Метод 662 0. Измерение относительного динамического диапазона по напряжению (А1/_{ин ога}).

Для вычисления Аі/_динотн используют значения максимального выходного напряжения ^_выхтах (метод 1620 или 1621) и минимального выходного напряжения £/_ыхтіп (^мет°Д 1630 или 1631).

Относительный динамический диапазон по напряжению определяют в децибелах по формуле

Д TJ =20 Іе^выхтах ^41U ДИН.ОТН гт

вых. min

Метод 6630. Измерение относительного динамического диапазона по мощности (ДР_динотн).

Для вычисления АР_{дин отн} используют значения максимальной выходной мощности Р_{вых тах} (ме­тод 3530) и минимальной выходной мощности Р_выхтіп. Относительный динамический диапазон по напряжению определяют в децибелах по формуле