---

ГОСТ 18683.2-83

МЕЖГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ

МИКРОСХЕМЫ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ
ЦИФРОВЫЕ

МЕТОДЫ ИЗМЕРЕНИЯ ДИНАМИЧЕСКИХ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ
ПАРАМЕТРОВ

Издание официальное

БЗ 5-99

ИПК ИЗДАТЕЛЬСТВО СТАНДАРТОВ
МоскваИНФОРМАЦИОННЫЕ ДАННЫЕ

1. УТВЕРЖДЕН И ВВЕДЕН В ДЕЙСТВИЕ Постановлением Государственного комитета СССР по стандартам от 11.04.83 № 1688

Изменение № 2 принято Межгосударственным Советом по стандартизации, метрологии и сертификации (протокол № 12 от 21.11.97)

Зарегистрировано Техническим секретариатом МГС № 2731

За принятие изменения проголосовали:

2. ВЗАМЕН ГОСТ 18683-76 (в части п. 3.11)

3. ССЫЛОЧНЫЕ НОРМАТИВНО-ТЕХНИЧЕСКИЕ ДОКУМЕНТЫ

3. Ограничение срока действия снято по протоколу № 3—93 Межгосударственного Совета по стандар­тизации, метрологии и сертификации (ИУС 5-6—93)

4. ИЗДАНИЕ (февраль 2000 г.) с Изменениями № 1, 2, утвержденными в июле 1988 г., августе 1998 г. (ИУС 12-88, 11-98)

Редактор Л. В. Каретникова

Технический редактор Н.С. Гришанова

Корректор Р.А. Ментова

Компьютерная верстка Л.А. Круговой

Изд. лиц. № 021007 от 10.08.95. Сдано в набор 24.01.2000. Подписано в печать 14.03.2000. Усл. печ. л. 0,93.

Уч.-изд. л. 0,75. Тираж 106 экз. С 4667. Зак. 217.

ИПК Издательство стандартов, 107076, Москва, Колодезный пер., 14.

Набрано в Издательстве на ПЭВМ

Филиал ИПК Издательство стандартов — тип. “Московский печатник”, 103062, Москва, Лялин пер., 6.

Плр № 080102

МЕЖГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ

МИКРОСХЕМЫ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ ЦИФРОВЫЕ

М

ГОСТ
18683.2-83

етоды измерения динамических электрических параметров

Digital integrated circuits.

Methods of measuring dynamic electrical parameters

ОКП 62 3100

Дата введения 01.01.84

Настоящий стандарт распространяется на цифровые интегральные микросхемы (далее — микросхемы) и устанавливает методы измерения динамических электрических параметров мик­росхем.

Общие требования при измерении и требования безопасности — по ГОСТ 18683.0.

(Измененная редакция, Изм. № 1, 2).

1. ИЗМЕРЕНИЕ ВРЕМЕНИ ЗАДЕРЖКИ ВКЛЮЧЕНИЯ
   И ВРЕМЕНИ ЗАДЕРЖКИ ВЫКЛЮЧЕНИЯ

   1. Измерение следует проводить на измерительной установке, электрическая структурная схема которой приведена на черт. 1.

   2. Подготовка к измерениям

      1. Подготавливают измерительную установку к работе.

      2. Подключают микросхему к измерительной установке.

   3. Проведение измерений

      1. Подают на микросхему напряжение питания от источника G2, входные постоянные напряжения от источника G1 и входные импульсные напряжения от источника G3, значения которых установлены в стандартах или технических условиях (далее — ТУ) на микросхемы конкретных типов.

      2. И
         нтервал времени между входным и выходным импульсами измеряют в соответствии с черт. 2 при значениях уровней отсчета Ц, U₂, U₃, U₄, указанных в стандартах или ТУ на микросхемы конкретных типов.

Gl, G2 — источники постоянного напряжения; D — микросхема; G3 — генератор импульсного напряжения; Р — измеритель дина­мических параметров; Е — эквивалент нагрузки

Черт. 1

(Измененная редакция, Изм. № 1).

П

Издание официальное

ерепечатка воспрещена

±10 % — для интегральных микросхем со средним временем задержки распространения 5 нс и более;

±15 % — для интегральных микросхем со средним временем задержки распространения от 1,0 до 5,0 нс;

±20 % — для интегральных микросхем со средним временем задержки распространения от 1,0 нс и соответствовать установленной в стандартах или ТУ на микросхемы конкретных типов.

^ai> ^ао ~ относительные коэффициенты влияния уровня отсчета соответственно на входном и выходном импульсе на измеряемый параметр;

а, — относительный коэффициент влияния напряжения питания на 1-м выводе питания на измеряемый параметр;

dj — относительный коэффициент влияния постоянного напряжения на у-м входе на измеряе­мый параметр;

а_к— относительный коэффициент влияния параметра к-то элемента нагрузки на измеряемый параметр;

• относительный коэффициент влияния температуры окружающей среды или температуры в заданной точке на корпусе (теплоотводе) микросхемы на измеряемый параметр;

• относительный коэффициент влияния временной нестабильности сдвига входного им­пульса на w-м входе относительно входного импульса на v-м входе на измеряемый параметр;

8_1л 8_2л 8_3г> 3_4г — относительные погрешности установления и поддержания соответственно фронта, спада, высоты и длительности входного импульса на г-м входе;

8/, 6(9 — относительная погрешность установления и поддержания уровня отсчета соответ­ственно на входном и выходном импульсе;

5/ — относительная погрешность установления и поддержания напряжения питания на z-м выводе питания;

Sy — относительная погрешность установления и поддержания постоянного напряжения на у-м входе;

8^ — относительная погрешность установления и поддержания параметра £-го элемента на­грузки;

Зр — относительная погрешность измерителя динамических параметров;

3₅ — относительная погрешность временной нестабильности фронта (спада) входного импульса;

бу- — относительная погрешность установления и поддержания температуры окружающей среды или температуры в заданной точке на корпусе (теплоотводе) микросхемы;

8_VIV — относительная погрешность временной нестабильности сдвига входного импульса на w-м входе относительно входного импульса на v-м входе;

8_Г — относительная погрешность, обусловленная неучтенным х-м источником погрешности;

К, К_Хг, К_2г, К_3г, К_Аг, К], К; Kj, K_k, К_о, К_р, K_s, Ку,

K_vw, К_х — коэффициенты, зависящие от закона распределения соответствующей погрешности 3, 3i_r 3_2л 8_3r 3_4r, Sy, 8_Z, 8у, 8_к, 8(9, ё>_р, 8₅, 87, 8_W, 8_хи доверительной вероятности;

/ — число выводов питания;

т — число входов, на которые подают постоянное напряжение;

п — число элементов нагрузки;

Z — число входов, на которые подают импульсное напряжение.

2. ИЗМЕРЕНИЕ ВРЕМЕНИ ЗАДЕРЖКИ РАСПРОСТРАНЕНИЯ СИГНАЛА
   ПРИ ВКЛЮЧЕНИИ И ВРЕМЕНИ ЗАДЕРЖКИ РАСПРОСТРАНЕНИЯ СИГНАЛА
   ПРИ ВЫКЛЮЧЕНИИ

   1. Аппаратура — по п. 1.1.

   2. Подготовка к измерениям — по п. 1.2.

   3. Проведение изме­рений

      1. Подают на микросхему на­пряжения питания от источника G2 входные постоянные напряжения от источника G1, входные импульсные напряжения от источника G3, значе­ния которых установлены в стандартах или ТУ на микросхемы конкретных типов.

      2. Интервал времени между входным и выходным импульсами из­меряют в соответствии с черт. 3 при значениях уровней отсчета Ц, U₂, ука­занных в стандартах или ТУ на мик­росхемы конкретных типов.

(Измененная редакция, Изм. № 1).

2. 1. 3. (Исключен, Изм. № 1).

   3. П

      Черт. 3

      1 — входное напряжение; 2 — выходное напряжение (инвертирующая микросхема); 3 — выходное напряжение (неинвертирующая микросхема); Ур U-, — уровни отсчета; t ^°_р — время задержки распространения сигнала при включении; t — время задержки распространения сигнала при

      выключении

      оказатели точности изме­рения — по п. 1.4.

3. ИЗМЕРЕНИЕ ВРЕМЕНИ ПЕРЕХОДА ПРИ ВКЛЮЧЕНИИ
   И ВРЕМЕНИ ПЕРЕХОДА ПРИ ВЫКЛЮЧЕНИИ

   1. Аппаратура — по п. 1.1.

   2. Подготовка к измерениям — по п. 1.2.

   3. Проведение измерений

      1. На микросхему подают напряжения питания от источника G2, входные постоянные напряжения от источника G1 и входные импульсные напряжения от источника G3, значения которых установлены в стандартах или ТУ на микросхемы конкретных типов.

      2. Интервал времени измеряют в соответствии с черт. 4 между моментами достижения выходным напряжением уровней отсчета U₂, значения которых указаны в стандартах или ТУ на микросхемы конкретных типов.

1 — входное напряжение; 2 — выходное напряжение (инвертирующая микросхе­ма); 3 — выходное напряжение (неинвертирующая микросхема); U₂ — уровни отсчета; t^l>° — время перехода при включении; Г’¹— время перехода при выклю­чении

Черт. 4

(Измененная редакция, Изм. № 1).

г

г _sх (2)

₊ £(Х>)² + П>)²- г-1 ^4гх ^х

де oj, д₂ “ относительные коэффициенты влияния фронта (спада) выходного импульса соответственно в 1 и 2-й точках отсчета на измеряемый параметр;

Ку, К± — коэффициенты, зависящие от закона распределения соответствующих погрешностей 8], 3₂ и доверительной вероятности;

остальные обозначения — см. формулу (1).

2. ИЗМЕРЕНИЕ МАКСИМАЛЬНОЙ ТАКТОВОЙ ЧАСТОТЫ

   1. 
      

   2. И

      G1 — генератор импульсного напряже­ния; G2, G3 — источники постоянного напряжения; D — микросхема; Е — экви­валент нагрузки; Р— измеритель частоты

      змерения следует проводить на измерительной установке, электрическая структурная схема которой приведена на черт. 5.

   3. Подготовка к измерениям — по п. 1.2.

   4. Проведение измерений

      1. Подают на микросхему напряжения питания от источника G2, входные постоянные напряжения от источника G1 и входные импульсные напряжения от источника G3, значения которых установлены в стандартах или ТУ на микросхемы конкретных типов.

      2. Измеряют частоту следования импульсов на выходе микросхемы, при которой обеспечивается функционирование микросхемы в соответствии с требованиями, установленными в стандартах или ТУ на микросхемы конкретных типов.

   5. Максимальную тактовую частоту f_CK определяют по ^лшах формуле

•^^СКтах ^{= =}