ГОСТ 17465-80. Диоды полупроводниковые. Основные параметры (72720)

Q: Как скачать ГОСТ 17465-80. Диоды полупроводниковые. Основные параметры ?

Скачать ГОСТ 17465-80. Диоды полупроводниковые. Основные параметры можно нажав на кнопку Скачать бесплатно внизу страницы.

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ
СОЮЗА ССР

ДИОДЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ

ОСНОВНЫЕ ПАРАМЕТРЫ

ГОСТ 17465—80

Цена 5 коп.

здание официальное

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР ПО СТАНДАРТАМ
МоскваГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮЗА ССР

ДИОДЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ

Основные параметры

Semiconductor diodes. Basic parameters

ОСТ
17465—80

Взамен
ГОСТ 16963—71
и ГОСТ 17465—72
в части пп. 1—12, 16—22

Постановлением Государственного комитета СССР по стандартам от 28 августа 1980 г. № 4471 срок введения установлен

с 01.01,82

Несоблюдение стандарта преследуется но закону

Настоящий стандарт распространяется на вновь разрабатываемые и модернизируемые пЪлупроводниковые диоды: выпрямительные (кроме диодов Шоттки), импульсные, стабилитроны (стабисторы), варикапы, диоды СВЧ, выпрямительные столбы и импульсные диодные матрицы (сборки).

Стандарт устанавливает ряды и допускаемые сочетания значений основных параметров, которые в табл. 1—17, отмечены знаком « + ».

Допускаемые сочетания, отмеченные знаком «X» в табл. 1 — И, 15—17, предназначены для применения в устройствах специального назначения.

Приведенные в стандарте числовые значения параметров установлены для нормальных климатических условий по ГОСТ 16962—71.

Пояснения к терминам приведены в справочном приложении.

Основные параметры выпрямительных диодов.
1. Допускаемые сочетания значений основных параметров выпрямительных диодов должны соответствовать указанным в табй. 1.

Издание официальное

ерепечатка воспрещена

Переиздание. Сентябрь 3983 г.

© Издательство стандартов, 1984

1. Значение предельной рабочей частоты должно выбираться из ряда: 1; 5; 10; 20; 50; 100; 200; 500 кГц.
2. Значение мощности импульсных перегрузок по обратному току для выпрямительных диодов должно выбираться из ряда: 200; 1 000; 2 000; 5000; 20 000; 50 000 Вт.
Основные параметры выпрямительных столбов
1. Допускаемые сочетания значений основных параметров выпрямительных столбов должны соответствовать указанным в табл. 2.

Таблица 2

Постоянный прямой илр средний прямой ток, мА	Импульсное обратное или постоянное - обра-тное напряжение; кВ
Постоянный прямой илр средний прямой ток, мА	2	4	6	'8 * і	Ї0	15	20
10	+	+	X	+	X	+	X
30	+	+	+	+	+	+	+
100	X	+		+	X	+	X
300	+	+	+	+	+	+	+
500	X	+	X	+	X	+	X
1000	+	+	X	+	X	+	+

1. Максимальное значение частоты выпрямления выпрямительных столбов должно выбираться из ряда: 1; 5; 10; 20; 50; 100; 200; 500 кГц. >
Основные параметры импульсных диодов
1. Допускаемые сочетания значений основных параметров импульсных диодов должны соответствовать указанным в табл. 3.

П р и м е ч а н и е. Приборы с большим быстродействием характеризуются временем жизни неравновесных носителей заряда, которое выбирается из ряда: 0,01; 0,02; 0,05; 0,10 нс.

1. Значение постоянного обратного напряжения импульсных диодов должно выбираться из ряда: 3; 5; 10; 20; 30; 50; 100; 200 В.
Допускаемые сочетания значений основных параметров стабилитронов (стабисторов) общего назначения должны соответствовать указанным в табл. 4.

Продолжение табл. 4

Допускаемая рассеиваемая ‘ мощность, Вт	Номинальное напряжение стабилизации, В
Допускаемая рассеиваемая ‘ мощность, Вт	6,2	6,8	7.5	8,2	9.1	10,0	11.0	12,0	13,4	15,0	16,0	18,0	20,0	22.0
0,020		+	+		+	’+	+ 1	X	+		1 +	1 "б	1 д_ 1
0,050	+	+	+	+	+	+	1 +	+	+	+	+	+	+
0,125	+	+	+	+	ч~	+	+	+	+	X	+	+	+	+
0,300	+		+	+	+	+	+	+	+	+	+	+	+	X
1,000	+	+	+	+		+	+		+	-г	4-	+	+	+
2,000	+	+	+	+	+	+	Т- I				+	+	+	+
5,000	+	+	+	"1“	+	+	+	•Т	+	+	+	+	+
, 10,000	+	+	+	+	X	+	+ 1	X	+	+	~г	-•F	_1_	--

Примечания:

Значения Номинального напряжения стабилизации более 22 В выбирают умножением ряда напряжений от 2,4 до 22 В на 10 и 100.
Допускаемое отклонение номинального напряжения стабилизации должно соответствовать значениям: ±5; ±10%.

Допускаемые сочетания значений основных параметров прецизионных стабилитронов должны соответствовать указанным в табл. 5.

Таблица 5

Температурный коэффициент напряжения стабилизации	Значение временной нестабильности напряжения стабилизации, %
Температурный коэффициент напряжения стабилизации	0.0005	0,0010	0,9020	0.0950	9.0100	0,0200	0,0500
0,0002	X	+	+
0,0005	+	+	+	+	+	+	+
0,0010	X	+	+	+	+	+ ■	-г
0,0020	+	+	+	+	+	+	+
0,0050		X	+	X	+	+	+

Основные параметры варикапов
1. Допускаемые сочетания значений основных параметров варикапов при обратном напряжении 6 В должны соответствовать указанным в табл. б.

Допускаемое отклонение емкости должно быть в пределах ±20% номинального значения.

Допускаемые сочетания значений основных параметров подстроечных варикапов при обратном напряжении 4 В должны соответствовать указанным в табл. 7 и 8.

Номинальная емкость, пФ

Добротность ' на частоте

10 МГц

68 100 120 150 180 220

330 390 470 560 680 1010

Таблица 9

Примечание. Допускаемый разброс номинальной емкости диода выбирается из ряда: ±5; ±10; ±20%.

150

200

250

300

400

500

600

Допускаемые сочетания значений основных параметров настроечных СВЧ диодов должны соответствовать указанным в табл. 9

Основные параметры смесительных СВЧ диодов
1. Допускаемые сочетания значений основных параметров смесительных СВЧ диодов должны соответствовать указанным в табл. 10.

Таблица 10

10. Основные параметры детекторных СВЧ дйодов

10.1. Допускаемые сочетания значений основных параметров детекторных СВЧ диодов должны соответствовать указанным й^;табл. 11.

. Минимальная импульсная СВЧ рассеиваемая мощность должна выбираться из ряда: 0,025; 0,05; 0,10; 0,25; 0,5; 1,0; 2,5; 5 Вт. .

Основные параметры параметрических СВЧ диодов
1. Допускаемые сочетания значений основных параметров параметрических диодов должны соответствовать указанным в табл. 12.

Таблица 12

Постоянная времени при напряжении смещения минус 2 В, нс	Емкость перехода при напряжении смещения 0. пФ
0,10*	0,01—0,015*
0,12	0,01—0,04
0,16	0,01—0,06
0,20	0,01—0,30
0,25*	0,01—0,40*
0,30	0,01—0,50
0,40	0,01—0,60
. 0,50*	0,01—0,70*
0,60	0,01—0,80
0.80	0,04—0,80
1,00	0,10—1,00

* Предназначены для применения в устройствах специального назначения. Примечание. Допускаемый разброс емкости перехода диода одного типа выбирается из ряда: ±5; ±10; ±20; ±50; ±100%.

1. Значение постоянного обратного напряжения при нормированном токе параметрических СВЧ диодов должно выбираться из ряда: 4; 6; 8; 10; 12; 15; 20; 25; 30; 40; 50; 60 В.
Основные параметры СВЧ умножительных диодов
1. Допускаемые сочетания значений основных параметров умножительных СВЧ диодов должны соответствовать указанным, в табл. 13.

Таблица 13

Допускаемая рассеиваемая мощность, Вт	‘Емкость перехода ! при напряжении ■ смещения I минус 6 В, 1 пФ 1	Допускаемая рассеиваемая мощность, Вт	Емкость перехода при напряжении смещения минус 6 В, пФ
0,010*	0,03—0,05*	0,250*	0,10—1,25*
0,016	0,04—0,06	0,400	0,12—2,00
0,025	0,05—0,08	. 0,500	0,12—2,20
0,040	0,06—0,12	0,600	0,15—2,50
0,060	0,08—0,20	0,800	0,15—3,20
0,100	0,10—0,30	1,000*	0,20—4,00*
0,160	0,10—0,60

Продолжение табл. 13

Допус<асмая рассеиваемая мощность, Вт	Емкость перехода при напряжении смещения минус 6 В, пФ	Допускаемая рассеиваемая мощность, Вт	Емкость перехода при напряжении см ещення минус 6 В, пФ
2,000	0,50—6,00	8,000	3,00— 8,00
3,000	1,00—8,00	10,000	4,00—10,00
4,000	1,25—8,00	16,000	5,00—10,00
5,000¹	1,60—8,00*	25,000	6,00—10,00
6,000	2,00—8,00	40,000*	8,00—10,00*

* Предназначены для применения в устройствах специального назначения.

Примечание. Допускаемый разброс емкости перехода диода одного типа выбирается из ряда: ±5; ±10; ±20; ±50; ±100%.

1. Значение предельной частоты умножительных СВЧ диодов выбирается из ряда: 40; 60; 100; 150; 200; 250; 320; 400; 500; 600; 700; 800; 1000; 1200; 1500; 2000; 2500; 3000 ГГц.
Основные параметры ограничительных СВЧ диодов
1. Допускаемые сочетания значений основных параметров ограничительных ,СВЧ диодов должны соответствовать указанным в табл. 14.

Таблица 14

Накопленный заряд, нКл	Емкость структуры, пФ	Накопленный заряд, , нКл	Емкость структуры, пФ
' 0,1*	0,01—0,1*	10,0	0,20— 6,00
0,3	0,01—0,2	15,0	0,40—10,00
0,5	0,05—0,3 і	20,0	1,00—10,00
1,0	0,10—0,60 і	25,0-	1,60—10,00
3,0	0,10—1,60	30,0*	2,50—10,00*
5,0*	0,10—4,00*

Скачать бесплатно

Предыдущий документ

Следующий документ

Следующая страница

Нормативні акти про охорону праці Основні законодавчі акти Будівельні норми і правила (ДБН, СНиП) Стандарти (ГОСТ, ДСТУ) Санітарні норми і правила Пожежна безпека (НАПБ) Інструкції з охорони праці Реестр НПАОП 2020-2021 - Нормативно-правові акти з охорони праці

ЕНиР Сборник Е31 Монтаж котельных установок и вспомогательного оборудования ДБН Б.2.2-1-01 Містобудування. планування і забудова населених пунктів Кодекс законов о труде украины Господарський кодекс України Инструкция по охране труда для стропальщиков ГОСТ 8509-93 (В Украине-ДСТУ 2251-93) ОСТ 8509-93 (В Украине-ДСТУ 2251-93). Уголки стальные горячекатаные равнополочные. Сортамент Інструкція з охорони праці для електромонтера з ремонту та обслуговування електроустаткування ДБН В.2.2-20:2008 Готелі Закон України "Про оплату праці" ДБН А.2.2-3-2011 Склад та зміст проектної документації на будівництво об’єктів

НПАОП 60.3-1.35-03 Правила безпеки під час будівництва та реконструкції магістральних трубопроводів СТОРІНКА: 23 Мукомольно-крупяная и комбикормовая промышленность СТОРІНКА: 3 ОСТ 1 03682-74 Пружины сжатия жаропрочные. Конструкция и размеры СТОРІНКА: 2 СНиП 3.05.03-85 . Тепловые сети СТОРІНКА: 3 ГЭСНр-2001-69 Сборник 69 прочие ремонтно-строительные работы СТОРІНКА: 3 ДСТУ-Н Б В.2.2-37:2013 Настанова з проектування, монтажу і експлуатації повітроопорних пневматичних споруд СТОРІНКА: 2 ПБ 10-157-97 Правила устройства и безопасной эксплуатации кранов - трубоукладчиков СТОРІНКА: 9 ГОСТ 10691.0-84 Материалы фотографические черно-белые галогенидосеребряные на прозрачной подложке. Метод общесенситометрического испытания СТОРІНКА: 2 ГОСТ 2.702-75* ОСТ 2.702-75*. ЕСКД. Правила выполнения схем СТОРІНКА: 5 ГОСТ 64-77 Эмали ГФ-230 ВЭ. Технические условия СТОРІНКА: 3