ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ
СОЮЗА ССР
ДИОДЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ
ОСНОВНЫЕ ПАРАМЕТРЫ
ГОСТ 17465—80
И
Цена 5 коп.
здание официальноеГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР ПО СТАНДАРТАМ
МоскваГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮЗА ССР
Г
ДИОДЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ
Основные параметры
Semiconductor diodes. Basic parameters
ОСТВзамен
ГОСТ 16963—71
и ГОСТ 17465—72
в части пп. 1—12, 16—22
Постановлением Государственного комитета СССР по стандартам от 28 августа 1980 г. № 4471 срок введения установлен
с 01.01,82
Несоблюдение стандарта преследуется но закону
Настоящий стандарт распространяется на вновь разрабатываемые и модернизируемые пЪлупроводниковые диоды: выпрямительные (кроме диодов Шоттки), импульсные, стабилитроны (стабисторы), варикапы, диоды СВЧ, выпрямительные столбы и импульсные диодные матрицы (сборки).
Стандарт устанавливает ряды и допускаемые сочетания значений основных параметров, которые в табл. 1—17, отмечены знаком « + ».
Допускаемые сочетания, отмеченные знаком «X» в табл. 1 — И, 15—17, предназначены для применения в устройствах специального назначения.
Приведенные в стандарте числовые значения параметров установлены для нормальных климатических условий по ГОСТ 16962—71.
Пояснения к терминам приведены в справочном приложении.
Основные параметры выпрямительных диодов.
Допускаемые сочетания значений основных параметров выпрямительных диодов должны соответствовать указанным в табй. 1.
П
Издание официальное
ерепечатка воспрещенаПереиздание. Сентябрь 3983 г.
© Издательство стандартов, 1984
Значение предельной рабочей частоты должно выбираться из ряда: 1; 5; 10; 20; 50; 100; 200; 500 кГц.
Значение мощности импульсных перегрузок по обратному току для выпрямительных диодов должно выбираться из ряда: 200; 1 000; 2 000; 5000; 20 000; 50 000 Вт.
Основные параметры выпрямительных столбов
Допускаемые сочетания значений основных параметров выпрямительных столбов должны соответствовать указанным в табл. 2.
Таблица 2
|
Постоянный прямой илр средний прямой ток, мА |
Импульсное обратное или постоянное - обра-тное напряжение; кВ |
||||||
|
2 |
4 |
6 |
'8 * і |
Ї0 |
15 |
20 |
|
|
10 |
+ |
+ |
X |
+ |
X |
+ |
X |
|
30 |
+ |
+ |
+ |
+ |
+ |
+ |
+ |
|
100 |
X |
+ |
|
+ |
X |
+ |
X |
|
300 |
+ |
+ |
+ |
+ |
+ |
+ |
+ |
|
500 |
X |
+ |
X |
+ |
X |
+ |
X |
|
1000 |
+ |
+ |
X |
+ |
X |
+ |
+ |
Максимальное значение частоты выпрямления выпрямительных столбов должно выбираться из ряда: 1; 5; 10; 20; 50; 100; 200; 500 кГц. >
Основные параметры импульсных диодов
Допускаемые сочетания значений основных параметров импульсных диодов должны соответствовать указанным в табл. 3.
П р и м е ч а н и е. Приборы с большим быстродействием характеризуются временем жизни неравновесных носителей заряда, которое выбирается из ряда: 0,01; 0,02; 0,05; 0,10 нс.
Значение постоянного обратного напряжения импульсных диодов должно выбираться из ряда: 3; 5; 10; 20; 30; 50; 100; 200 В.
Допускаемые сочетания значений основных параметров стабилитронов (стабисторов) общего назначения должны соответствовать указанным в табл. 4.
Продолжение табл. 4
|
Допускаемая рассеиваемая ‘ мощность, Вт |
Номинальное напряжение стабилизации, В |
|||||||||||||
|
6,2 |
6,8 |
7.5 |
8,2 |
9.1 |
10,0 |
11.0 |
12,0 |
13,4 |
15,0 |
16,0 |
18,0 |
20,0 |
22.0 |
|
|
0,020 |
|
+ |
+ |
|
+ |
’+ |
+ 1 |
X |
+ |
|
1 + |
1 "б |
1 д_ 1 |
|
|
0,050 |
+ |
+ |
+ |
+ |
+ |
+ |
1 + |
+ |
+ |
+ |
+ |
+ |
+ |
|
|
0,125 |
+ |
+ |
+ |
+ |
ч~ |
+ |
+ |
+ |
+ |
X |
+ |
+ |
+ |
+ |
|
0,300 |
+ |
|
+ |
+ |
+ |
+ |
+ |
+ |
+ |
+ |
+ |
+ |
+ |
X |
|
1,000 |
+ |
+ |
+ |
+ |
|
+ |
+ |
|
+ |
-г |
4- |
+ |
+ |
+ |
|
2,000 |
+ |
+ |
+ |
+ |
+ |
+ |
Т- I |
|
|
|
+ |
+ |
+ |
+ |
|
5,000 |
+ |
+ |
+ |
"1“ |
+ |
+ |
+ |
•Т |
+ |
+ |
+ |
+ |
+ |
|
|
, 10,000 |
+ |
+ |
+ |
+ |
X |
+ |
+ 1 |
X |
+ |
+ |
~г |
-•F |
_1_ |
-- |
Примечания:
Значения Номинального напряжения стабилизации более 22 В выбирают умножением ряда напряжений от 2,4 до 22 В на 10 и 100.
Допускаемое отклонение номинального напряжения стабилизации должно соответствовать значениям: ±5; ±10%.
/
Допускаемые сочетания значений основных параметров прецизионных стабилитронов должны соответствовать указанным в табл. 5.
Таблица 5
|
Температурный коэффициент напряжения стабилизации |
Значение временной нестабильности напряжения стабилизации, % |
||||||
|
0.0005 |
0,0010 |
0,9020 |
0.0950 |
9.0100 |
0,0200 |
0,0500 |
|
|
0,0002 |
X |
+ |
+ |
|
|
|
|
|
0,0005 |
+ |
+ |
+ |
+ |
+ |
+ |
+ |
|
0,0010 |
X |
+ |
+ |
+ |
+ |
+ ■ |
-г |
|
0,0020 |
+ |
+ |
+ |
+ |
+ |
+ |
+ |
|
0,0050 |
|
X |
+ |
X |
+ |
+ |
+ |
Основные параметры варикапов
Допускаемые сочетания значений основных параметров варикапов при обратном напряжении 6 В должны соответствовать указанным в табл. б.
Допускаемое отклонение емкости должно быть в пределах ±20% номинального значения.
Допускаемые сочетания значений основных параметров подстроечных варикапов при обратном напряжении 4 В должны соответствовать указанным в табл. 7 и 8.
Номинальная емкость, пФ
Добротность ' на частоте
10 МГц
68 100 120 150 180 220
330 390 470 560 680 1010
Таблица 9
Примечание. Допускаемый разброс номинальной емкости диода выбирается из ряда: ±5; ±10; ±20%.
150
200
250
300
400
500
600
Допускаемые сочетания значений основных параметров настроечных СВЧ диодов должны соответствовать указанным в табл. 9
.
Основные параметры смесительных СВЧ диодов
Допускаемые сочетания значений основных параметров смесительных СВЧ диодов должны соответствовать указанным в табл. 10.
Таблица 10
10. Основные параметры детекторных СВЧ дйодов
10.1. Допускаемые сочетания значений основных параметров детекторных СВЧ диодов должны соответствовать указанным й;табл. 11.
. Минимальная импульсная СВЧ рассеиваемая мощность должна выбираться из ряда: 0,025; 0,05; 0,10; 0,25; 0,5; 1,0; 2,5; 5 Вт. .
Основные параметры параметрических СВЧ диодов
Допускаемые сочетания значений основных параметров параметрических диодов должны соответствовать указанным в табл. 12.
Таблица 12
|
Постоянная времени при напряжении смещения минус 2 В, нс |
Емкость перехода при напряжении смещения 0. пФ |
|
0,10* |
0,01—0,015* |
|
0,12 |
0,01—0,04 |
|
0,16 |
0,01—0,06 |
|
0,20 |
0,01—0,30 |
|
0,25* |
0,01—0,40* |
|
0,30 |
0,01—0,50 |
|
0,40 |
0,01—0,60 |
|
. 0,50* |
0,01—0,70* |
|
0,60 |
0,01—0,80 |
|
0.80 |
0,04—0,80 |
|
1,00 |
0,10—1,00 |
* Предназначены для применения в устройствах специального назначения. Примечание. Допускаемый разброс емкости перехода диода одного типа выбирается из ряда: ±5; ±10; ±20; ±50; ±100%.
Значение постоянного обратного напряжения при нормированном токе параметрических СВЧ диодов должно выбираться из ряда: 4; 6; 8; 10; 12; 15; 20; 25; 30; 40; 50; 60 В.
Основные параметры СВЧ умножительных диодов
Допускаемые сочетания значений основных параметров умножительных СВЧ диодов должны соответствовать указанным, в табл. 13.
Таблица 13
|
Допускаемая рассеиваемая мощность, Вт |
‘Емкость перехода ! при напряжении ■ смещения I минус 6 В, 1 пФ 1 |
Допускаемая рассеиваемая мощность, Вт |
Емкость перехода при напряжении смещения минус 6 В, пФ |
|
0,010* |
0,03—0,05* |
0,250* |
0,10—1,25* |
|
0,016 |
0,04—0,06 |
0,400 |
0,12—2,00 |
|
0,025 |
0,05—0,08 |
. 0,500 |
0,12—2,20 |
|
0,040 |
0,06—0,12 |
0,600 |
0,15—2,50 |
|
0,060 |
0,08—0,20 |
0,800 |
0,15—3,20 |
|
0,100 |
0,10—0,30 |
1,000* |
0,20—4,00* |
|
0,160 |
0,10—0,60 |
|
|
Продолжение табл. 13
|
Допус<асмая рассеиваемая мощность, Вт |
Емкость перехода при напряжении смещения минус 6 В, пФ |
Допускаемая рассеиваемая мощность, Вт |
Емкость перехода при напряжении см ещення минус 6 В, пФ |
|
2,000 |
0,50—6,00 |
8,000 |
3,00— 8,00 |
|
3,000 |
1,00—8,00 |
10,000 |
4,00—10,00 |
|
4,000 |
1,25—8,00 |
16,000 |
5,00—10,00 |
|
5,0001 |
1,60—8,00* |
25,000 |
6,00—10,00 |
|
6,000 |
2,00—8,00 |
40,000* |
8,00—10,00* |
* Предназначены для применения в устройствах специального назначения.
Примечание. Допускаемый разброс емкости перехода диода одного типа выбирается из ряда: ±5; ±10; ±20; ±50; ±100%.
Значение предельной частоты умножительных СВЧ диодов выбирается из ряда: 40; 60; 100; 150; 200; 250; 320; 400; 500; 600; 700; 800; 1000; 1200; 1500; 2000; 2500; 3000 ГГц.
Основные параметры ограничительных СВЧ диодов
Допускаемые сочетания значений основных параметров ограничительных ,СВЧ диодов должны соответствовать указанным в табл. 14.
Таблица 14
|
Накопленный заряд, нКл |
Емкость структуры, пФ |
Накопленный заряд, , нКл |
Емкость структуры, пФ |
|
' 0,1* |
0,01—0,1* |
10,0 |
0,20— 6,00 |
|
0,3 |
0,01—0,2 |
15,0 |
0,40—10,00 |
|
0,5 |
0,05—0,3 і |
20,0 |
1,00—10,00 |
|
1,0 |
0,10—0,60 і |
25,0- |
1,60—10,00 |
|
3,0 |
0,10—1,60 |
30,0* |
2,50—10,00* |
|
5,0* |
0,10—4,00* |
|
|
