ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ
СОЮЗА ССР
ТРАНЗИСТОРЫ ПОЛЕВЫЕ
ТЕРМИНЫ, ОПРЕДЕЛЕНИЯ И БУКВЕННЫЕ ОБОЗНАЧЕНИЯ
ПАРАМЕТРОВ
(СТ СЭВ 2771-80)
Издание официальное
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР ПО СТАНДАРТАМ , Москва
■ • ■ . ■■ ■■ 1
.... J. Г ' ■ - ■!.
■ '' J
/■ ■ ■ V
УДК 621.382.3:001.4:006.354 + 621.382.3:003.62:006.354 Группа Э00
Г
ГОСТ
19095-73*
(СТ СЭВ 2771—80)
ТРАНЗИСТОРЫ ПОЛЕВЫЕ
Термины, определения и буквенные обозначения
параметров
Field effect transistors.
Terms, difinition and parameter symbols
Постановлением Государственного комитета стандартов Совета Министров СССР от 10 августа 1973 г. Ns 1960 срок действия установлен
с 01.01. 1975 г.
Настоящий стандарт устанавливает применяемые в науке, технике и производстве термины, определения и буквенные обозначения электрических параметров полевых транзисторов.
Термины и отечественные буквенные обозначения, установленные стандартом, обязательны для применения в документации всех видов, учебниках, научно-технической, учебной и справочной литературе. Международные буквенные обозначения обязательны для применения в технической документации на полевые транзисторы, предназначенные для экспортных поставок.
Стандарт полностью соответствует СТ СЭВ 2771—80.
Строчные индексы, обозначающие электроды, относятся к параметрам малого сигнала, прописные — к параметрам большого сигнала.
В случаях, когда не возникает сомнения в том, что используемое обозначение относится к максимально допустимому параметру, опускается индекс «макс».
Для каждого понятия установлен один стандартизованный термин. Применение терминов-синонимов стандартизованного термина запрещается. Для отдельных стандартизованных терминов в стандарте приведены в качестве справочных их краткие формы, которые разрешается применять, когда исключена возможность их различного толкования. Установленные определения можно при необходимости изменять по форме изложения, не допуская нарушения границ понятий.
Издание официальное Перепечатка воспрещена
★
* Переиздание май 1982 г. с Изменением № 1, утвержденным
в августе 1982 г.; Пост. № 3400 от 27.08.1982 г. (ИУС 12—82)В случаях, когда необходимые и достаточные признаки понятия содержатся в буквальном значении термина, определение не приведено и, соответственно, в графе «Определение» поставлен прочерк.
В стандарте в качестве справочных приведены иностранные эквиваленты ряда стандартизованных терминов на немецком (D), английском (Е) и французском (F) языках.
В стандарте приведены алфавитные указатели терминов на русском языке и их иностранных эквивалентов.
Стандартизованные термины набраны полужйрным шрифтом, их краткая форма — светлым.
Термин |
Буквенное обозначение |
Определение |
||
отечественное |
международное |
|||
1. |
Начальный ток стока
Kurzschlubstrom
Vqs =° |
^С.нач |
^DSS |
Ток стока при напряжении между затвором и истоком, равном нулю, и при напряжении на стоке, равном или превышающем напряже ние насыщения |
1а |
. Ток стока D. Drainstrom E. Drain current F. Courant de drain |
IС |
Id |
Ток, протекающий в цепи сток—исток при напряжении сток—исток, равном или большем, чем напряжение насыщения, и при заданном напряжении затвор—исток |
2. |
Остаточный ток стока D. Drain-Reststrom
|
^С.ост |
Idsx |
Ток стока при напряжении между затвором и истоком,, превышающем напряжение отсечки |
2а |
. Ток стока при нагруженном затворе D. Drainstrom bei : Widerstandsab- • schluss zwischen Source und Gate |
^Снагр |
!DSR |
Ток стойа при заданном напряжении сток- исток и включенндейме- жду затврром й’йсто- ком резистором ' |
Термин |
Буквенное обозначение |
Определение |
|
отечественное |
международное |
||
Е. Drain current, at a specified gatesource resistance F. Courant de drain |
|
|
|
pour une resistance ■ grille— ■ source exterieure specifiee |
|
|
|
26. Ток истока D. Sourcesstrom E. Source current Fl Courant de source |
1 и |
IS |
— |
2в. Начальный ток истока D; Sourcestrom bei Kurzschluss zwi- schen Drain und Gate E. Source current with gate short— circuited to drain F' Courant de source, la grille etant court—circuitee au drain |
^Инач |
^SDS |
Ток истока при напряжении затвор— сток, равном нулю, и заданном напряжении сток—исток |
2r. Остаточный ток истока D. Sourcereststrom
drain condition
drain specifies |
^Иост |
^SDX |
Ток истока при заданных напряжениях затвор—исток и Сток—исток |
2д. Ток затвора D. Gatestrom
|
|
|
— |
2e. Прямой ток затвора D. Gatedurchlass- strom |
^Зпр |
^GF ( |
— |
Термин |
Буквенное обозначение |
Определение |
|
отечественное |
международное |
||
Е. Forward gate current F. Courant direct de grille |
|
|
|
2ж. Ток отсечки затвора D. Gatesperrstrom bei vorgegebe- ner Drain—Source—Spanning E. Gate cut—off current (of a field— effect transistor), with specified drain—source circuit conditions F. Courant de fuite de grille dans des conditions de circuit drain-source specifies |
^Зотс |
lGSX |
Ток в цепи затвора при заданных условиях цепи сток—исток |
3. Ток утечки затвора D. Gatereststrom E. Gate leakage cun rent F. Courant de fluite de drain |
Лз.ут |
?GSS |
Ток затвора при заданном напряжении между затвором и остальными выводами, замкнутыми между собой |
4. Обратный ток перехода затвор—сток D. Gatereststrom (Source offen) E. Gate cut-off current with source open—circuited F. Courant residue! de grille |
^ЗСО |
jgdo |
Ток, протекающий в цепи затвор—сток, при заданном обратном напряжении между затвором и стоком и разомкнутыми остальными выводами |
5. Обратный ток перехода затвор—исток D. Gatereststrom (Drain offen) E. Gate cut-off current with drain open—circuited |
^зйо |
^GSO |
Ток, протекающий в цепи затвор-исток, при заданном обратном напряжении между затвором и истоком и разомкнутыми остальными выводами |
Термин |
Буквенное обозначение |
Определение |
|
отечественное |
международное |
||
F. Courant residue! de grille le drain etant en circuit ouvert |
|
|
|
5a. Ток подложки D. Substratstrom
|
ln |
|
— |
6. Напряжение отсечки полевого транзистора Напряжение отсечки D. Gate-Source-Span- nung (Abschniir- spannung) E. Gate-source cutoff voltage F. Tension grillesource de blocage |
^ЗИ.отс |
UGS(off) |
Напряжение между затвором и истоком транзистора с р-п переходом или с изолированным затвором, работающего в режиме обеднения, при котором ток стока достигает заданного низкого значения |
7. Пороговое напряжение полевого транзи- стора Пороговое напряжение D. Schwellespannung
|
^ЗИ.пор |
^asr |
Напряжение между затвором и истоком транзистора с изолированным затвором, работающего в режиме обогащения, при котором ток стока достигает заданного низкого значения |
7a. Напряжение сток- исток
|
^сй |
UDS |
|
76. Напряжение зат вор-исток
—Spannung
|
^зй |
UGS |
|
2 Зак. 3178
Термин |
Буквенное обозначение |
Определение |
||
отечественное |
международное |
|||
7в. Прямое напряже ние затвор — исток D. Gate—Source— Durchlassspan- nung
|
^ЗЙпр |
ugsf |
|
|
7г. Обратное напряже ниє затвор—исток D. Gate—Source— Sperrspannfung E. Reverse gate—source (d. c.) voltage |
^ЗИобр |
• UqSR |
|
|
F. Tension inverse (continue) grille—source |
|
? |
|
|
7д. Напряжение за твор—сток
c.) voltage
|
^ЗС |
^OD |
|
|
7e. Напряжение исток- подложка D. Source—Substrat— Spannung E. Source—substrate (d. c.) voltage F. Tension (continue) source—substrat |
уйп |
U SB |
|
|
7ж. Напряжение сток- подложка D. Drain—Substrat— Spannung • E. Drain—substrate (d. c.) voltage F. Tension (conti- |
^СП |
Udb |
|
|
nue) drain—sub strat |
|
|
|
Термин |
Буквенное обозначение |
Определение |
|
отечественное |
междуна* родное |
||
7з. Напряжение затвор —подложка
strat |
^зп |
Uqb |
|
7и. Пробивное напряжение затвора
source |
^Зпроб |
U(BR)GSS |
Напряжение пробоя затвор—исток при замкнутых стоке и истоке |
8. Крутизна характеристики полевого транзистора z Крутизна характеристики D. Vorwartssteilheit Е. Forward transconductance F. Transconductance directe |
S |
Sms |
Отношение изменения тока стока к изменению напряжения на затворе при коротком замыкании по переменному току на выходе транзистора в схеме с общим истоком |
9. Крутизна характерне* тики по подложке |
■$п |
|
Отношение изменения тока стока к изменению напряжения на подложке при коротком замыкании по переменному . току на выходе транзистора в схеме с общим истоком |
10. Сопротивление сток —исток в открытом состоянии D. Drain—Source— Widerstand bei geoffnetem Transistor |
^СЙ.отк |
rDS(on) |
Сопротивление между стоком и истоком в открытом состоянии транзистора при заданном напряжении сток— исток, меньшем напряжении насыщения |
Термин |
Буквенное обозначение |
Определение |
||
отечественное |
международное |
|||
Е. Drain-source on- state resistance F. Resistance drainsource a I’etat passent |
|
|
|
|
10a. Сопротивление сток —исток в закрытом состоянии
tence
|
^СИзак |
rDSoff |
Сопротивление между стоком и истоком в закрытом состоянии транзистора при заданном напряжении сток— исток |
|
11. Емкость СТОК-ИСТОК D. Drain-Source-Ka- pazitat
|
С СИО |
Cdso |
Емкость между стоком и истоком при разомкнутых по переменному току остальных выводах |
|
12. Емкость затвор- сток ' D. Gate-Drain-Kapa- zitat E. Gate-drain capacitance F, Capacite grille- drain |
Сзсо |
Cgdo |
Емкость между затвором и стоком при разомкнутых по переменному току остальных выводах |
|
13. Емкость затвор—исток
|
Сзио |
Cgso |
Емкость между затвором и истоком при разомкнутых по переменному току остальных выводах |