ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ
СОЮЗА ССР

ТРАНЗИСТОРЫ ПОЛЕВЫЕ

ТЕРМИНЫ, ОПРЕДЕЛЕНИЯ И БУКВЕННЫЕ ОБОЗНАЧЕНИЯ
ПАРАМЕТРОВ

ГОСТ 19095-73

(СТ СЭВ 2771-80)

Издание официальное

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР ПО СТАНДАРТАМ , Москва

■ • ■ . ■■ ■■ 1

.... J. Г ' ■ - ■!.

'' J

/■ ■ ■ V



УДК 621.382.3:001.4:006.354 + 621.382.3:003.62:006.354 Группа Э00

Г

ГОСТ
19095-73*
(СТ СЭВ 2771—80)

ОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮЗА ССР

ТРАНЗИСТОРЫ ПОЛЕВЫЕ

Термины, определения и буквенные обозначения
параметров

Field effect transistors.

Terms, difinition and parameter symbols

Постановлением Государственного комитета стандартов Совета Министров СССР от 10 августа 1973 г. Ns 1960 срок действия установлен

с 01.01. 1975 г.

Настоящий стандарт устанавливает применяемые в науке, тех­нике и производстве термины, определения и буквенные обозначе­ния электрических параметров полевых транзисторов.

Термины и отечественные буквенные обозначения, установлен­ные стандартом, обязательны для применения в документации всех видов, учебниках, научно-технической, учебной и справочной литературе. Международные буквенные обозначения обязательны для применения в технической документации на полевые транзи­сторы, предназначенные для экспортных поставок.

Стандарт полностью соответствует СТ СЭВ 2771—80.

Строчные индексы, обозначающие электроды, относятся к па­раметрам малого сигнала, прописные — к параметрам большого сигнала.

В случаях, когда не возникает сомнения в том, что используе­мое обозначение относится к максимально допустимому парамет­ру, опускается индекс «макс».

Для каждого понятия установлен один стандартизованный тер­мин. Применение терминов-синонимов стандартизованного терми­на запрещается. Для отдельных стандартизованных терминов в стандарте приведены в качестве справочных их краткие формы, которые разрешается применять, когда исключена возможность их различного толкования. Установленные определения можно при необходимости изменять по форме изложения, не допуская нару­шения границ понятий.

Издание официальное Перепечатка воспрещена

* Переиздание май 1982 г. с Изменением № 1, утвержденным

в августе 1982 г.; Пост. № 3400 от 27.08.1982 г. (ИУС 12—82)В случаях, когда необходимые и достаточные признаки поня­тия содержатся в буквальном значении термина, определение не приведено и, соответственно, в графе «Определение» поставлен прочерк.

В стандарте в качестве справочных приведены иностранные эквиваленты ряда стандартизованных терминов на немецком (D), английском (Е) и французском (F) языках.

В стандарте приведены алфавитные указатели терминов на русском языке и их иностранных эквивалентов.

Стандартизованные термины набраны полужйрным шрифтом, их краткая форма — светлым.

Термин

Буквенное обозначение

Определение

отечественное

междуна­родное

1.

Начальный ток стока

  1. Drain-Source-

Kurzschlubstrom

  1. Drain current for vos=o

  2. Courant de drain pour

Vqs =°

^С.нач

^DSS

Ток стока при напря­жении между затвором и истоком, равном нулю, и при напряжении на стоке, равном или пре­вышающем напряже­

ние насыщения

. Ток стока

D. Drainstrom

E. Drain current

F. Courant de drain

IС

Id

Ток, протекающий в цепи сток—исток при напряжении сток—ис­ток, равном или боль­шем, чем напряжение насыщения, и при за­данном напряжении за­твор—исток

2.

Остаточный ток сто­ка

D. Drain-Reststrom

  1. Drain eut-off cur­rent

  2. Courant de drain au blocage

^С.ост

Idsx

Ток стока при напря­жении между затвором и истоком,, превышаю­щем напряжение отсеч­ки

. Ток стока при на­груженном затворе

D. Drainstrom bei

: Widerstandsab-

• schluss zwischen Source und Gate

^Снагр

!DSR

Ток стойа при задан­ном напряжении сток- исток и включенндейме- жду затврром й’йсто- ком резистором '



Термин

Буквенное обозначение

Определение

отечественное

междуна­родное

Е. Drain current, at a specified gate­source resistance

F. Courant de drain




pour une resis­tance ■ grille—

■ source exterieure

specifiee




26. Ток истока

D. Sourcesstrom

E. Source current

Fl Courant de source

1 и

IS

2в. Начальный ток исто­ка

D; Sourcestrom bei Kurzschluss zwi- schen Drain und Gate

E. Source current with gate short— circuited to drain

F' Courant de source, la grille etant court—circuitee au drain

^Инач

^SDS

Ток истока при на­пряжении затвор—

сток, равном нулю, и заданном напряжении сток—исток

2r. Остаточный ток ис­тока

D. Sourcereststrom

  1. Source current at a specified gate—

drain condition

  1. Courant de sou­rce dans des con­ditions grille—

drain specifies

^Иост

^SDX

Ток истока при задан­ных напряжениях за­твор—исток и Сток—ис­ток

2д. Ток затвора

D. Gatestrom

  1. Gate current

  2. Courant de grille



2e. Прямой ток затвора

D. Gatedurchlass- strom

^Зпр

^GF

(



Термин

Буквенное обозначение

Определение

отечественное

междуна­родное

Е. Forward gate cur­rent

F. Courant direct de grille




2ж. Ток отсечки затвора

D. Gatesperrstrom bei vorgegebe- ner Drain—Sou­rce—Spanning

E. Gate cut—off cur­rent (of a field— effect transistor), with specified

drain—source circuit conditions

F. Courant de fuite de grille dans des conditions de cir­cuit drain-source specifies

^Зотс

lGSX

Ток в цепи затвора при заданных условиях цепи сток—исток

3. Ток утечки затвора

D. Gatereststrom

E. Gate leakage cun rent

F. Courant de fluite de drain

Лз.ут

?GSS

Ток затвора при за­данном напряжении

между затвором и ос­тальными выводами,

замкнутыми между со­бой

4. Обратный ток пере­хода затвор—сток D. Gatereststrom (Source offen)

E. Gate cut-off cur­rent with source open—circuited

F. Courant residue! de grille

^ЗСО

jgdo

Ток, протекающий в цепи затвор—сток, при заданном обратном на­пряжении между затво­ром и стоком и разомк­нутыми остальными вы­водами

5. Обратный ток перехо­да затвор—исток

D. Gatereststrom (Drain offen)

E. Gate cut-off cur­rent with drain open—circuited

^зйо

^GSO

Ток, протекающий в цепи затвор-исток, при заданном обратном на­пряжении между затво­ром и истоком и разомк­нутыми остальными вы­водами

Термин

Буквенное обозначение

Определение

отечественное

междуна­родное

F. Courant residue! de grille le drain etant en circuit ouvert




5a. Ток подложки

D. Substratstrom

  1. Substrate current

  2. Courant de subst- rat

ln


6. Напряжение отсечки полевого транзистора Напряжение отсечки D. Gate-Source-Span-

nung (Abschniir- spannung)

E. Gate-source cut­off voltage

F. Tension grilleso­urce de blocage

^ЗИ.отс

UGS(off)

Напряжение между затвором и истоком транзистора с р-п пере­ходом или с изолиро­ванным затвором, рабо­тающего в режиме обед­нения, при котором ток стока достигает задан­ного низкого значения

7. Пороговое напряже­ние полевого транзи- стора

Пороговое напряже­ние

D. Schwellespannung

  1. Gate-source thre­shold voltage

  2. Tension de seuil grille-source

^ЗИ.пор

^asr

Напряжение между затвором и истоком транзистора с изолиро­ванным затвором, рабо­тающего в режиме обо­гащения, при котором ток стока достигает за­данного низкого значе­ния

7a. Напряжение сток- исток

  1. Drain—Source— Spannung

  2. Drain—source (d. c.) voltage

  3. Tension (conti­nue) drain—sou­rce

^сй

UDS


76. Напряжение зат­

вор-исток

  1. Gate—Source—

—Spannung

  1. Gate—source (d. c.) voltage

  2. Tension (continue) grille—source

^зй

UGS


2 Зак. 3178



Термин

Буквенное обозначение

Определение

отечественное

междуна­родное

7в. Прямое напряже­

ние затвор — исток D. Gate—Source—

Durchlassspan- nung

  1. Forward gate—so­urce (d. c.) vol­tage

  2. Tension directe (continue) gril­le—source

^ЗЙпр

ugsf


7г. Обратное напряже ниє затвор—исток D. Gate—Source—

Sperrspannfung

E. Reverse gate—so­urce (d. c.) vol­tage

^ЗИобр

UqSR


F. Tension inverse (continue) gril­le—source


?


7д. Напряжение за­

твор—сток

  1. Gate—Drain— Spannung

  2. Gate—drain (d.

c.) voltage

  1. Tension (continue) grille—drain

^ЗС

^OD


7e. Напряжение исток- подложка

D. Source—Substrat— Spannung

E. Source—substrate (d. c.) voltage

F. Tension (conti­nue) source—sub­strat

уйп

U SB


7ж. Напряжение сток- подложка

D. Drain—Substrat— Spannung •

E. Drain—substrate (d. c.) voltage

F. Tension (conti-

^СП

Udb


nue) drain—sub­

strat




Термин

Буквенное обозначение

Определение

отечественное

междуна* родное

7з. Напряжение затвор —подложка

  1. Gate—Substrat— Spannung

  2. Gate—substrate (d. c.) voltage

  3. Tension (conti­nue) grille—sub­

strat

^зп

Uqb


7и. Пробивное напря­жение затвора

  1. Gate—Source— Durchbruchspan- nung

  2. Gate—source bre­akdown voltage (with drain short —circuited to so­urce)

  3. Tension de cla- quage grille-

source

^Зпроб

U(BR)GSS

Напряжение пробоя затвор—исток при зам­кнутых стоке и истоке

8. Крутизна характери­стики полевого тран­зистора z Крутизна характери­стики D. Vorwartssteilheit Е. Forward transcon­ductance F. Transconductance directe

S

Sms

Отношение изменения тока стока к изменению напряжения на затворе при коротком замыка­нии по переменному то­ку на выходе транзисто­ра в схеме с общим ис­током

9. Крутизна характерне* тики по подложке

■$п


Отношение измене­ния тока стока к изме­нению напряжения на подложке при коротком замыкании по перемен­ному . току на выходе транзистора в схеме с общим истоком

10. Сопротивление сток —исток в открытом состоянии

D. Drain—Source— Widerstand bei geoffnetem Tran­sistor

^СЙ.отк

rDS(on)

Сопротивление меж­ду стоком и истоком в открытом состоянии

транзистора при задан­ном напряжении сток— исток, меньшем напря­жении насыщения

Термин

Буквенное обозначение

Определение

отечественное

междуна­родное

Е. Drain-source on- state resistance

F. Resistance drain­source a I’etat passent




10a. Сопротивление сток

—исток в закрытом состоянии

  1. Drain—Source— Widerstand bei gesperrtem Tran­sistor

  2. Drain—source off—state resis-

tence

  1. Resistance drain —source a I’etat bloque

^СИзак

rDSoff

Сопротивление меж­ду стоком и истоком в закрытом состоянии

транзистора при задан­ном напряжении сток— исток

11. Емкость СТОК-ИСТОК D. Drain-Source-Ka- pazitat

  1. Drain-source ca­pacitance

  2. Capacite drain-so­urce

С СИО

Cdso

Емкость между сто­ком и истоком при ра­зомкнутых по перемен­ному току остальных выводах

12. Емкость затвор- сток '

D. Gate-Drain-Kapa- zitat

E. Gate-drain capaci­tance

F, Capacite grille- drain

Сзсо

Cgdo

Емкость между затво­ром и стоком при разом­кнутых по переменному току остальных выво­дах

13. Емкость затвор—ис­ток

  1. Gate-Source Kapazitat

  2. Gate-source capacitance

  3. Capacite grille-source

Сзио

Cgso

Емкость между затво­ром и истоком при ра­зомкнутых по перемен­ному току остальных выводах