---

<оС] <»С_а^v ’ > ' к

Активное сопротивление постоянному току в цепи коллектора R_K должно удовлетворять соотношению

^<7667^ ’

Примеры схем ограничителя напряжения приведены на черт. 8.

2. Пример электрической схемы XX для измерения постоянной времени Xr мощных ВЧ и СВЧ транзисторов.

Р—электронный индикатор напряжения; Я/—резистор для развязки; С] и 1_др—контур для задания, необходимого зна­чения проводимости холостого хода; Э^—экран в контакто- К держателе между выводами эмиттера и коллектора измеряе­мого транзистора VT; R2—резистор для подавления паразит­ного возбуждения транзистора; С2—конденсатор для подав­ления помех, поступающих из GB на вход Р; Z—ограничитель напряжения; GB—блок питания транзистора.

Черт. 2

Выбор элементов схемы XX определяется требованиями п. 2.3 стандарта к необходимому значению проводимости на зажимах эмиттер^база измеряемого транзистора.

2. Пример электрической схемы XX для измерения постоянной времени Т_к маломощных ВЧ и СВЧ транзисторов навесной конструкции с гибкими выво­дами, у которых высокочастотные параметры удовлетворяют соотношению

^£.<30,
^тк

где /гр —граничная частота коэффициента передачи тока, МГц;

—постоянная времени, пс.

Р—электронный индикатор напряжения; С'/—разделительный конденсатор; Э _к—экран в контактодержателе между выво­дами эмиттера и коллектора измеряемого транзистора VT; Z—ограничитель напряжения; СЗ—конденсатор, обеспечиваю­щий короткое замыкание на высокой частоте и условие хо­лостого хода на частоте измерения; 7?_э--реаистор в цепи эмиттера; С2—конденсатор для подавления помех, поступаю­щих из GB на вход Р; GB—блок питания транзистора.

Черт. 3

Выбор емкостей конденсаторов С1 и С2, входного сопротивления /?_вхР при­бора Р определяется необходимым значением проводимости холостого хода на зажимах эмиттер-база, которую определяют согласно п. 2.3 настоящего стан­дарта.

Емкость конденсатора С1 на частоте измерения должна удовлетворять со­отношению

¹ *вхР

<оС1 10 ’

если используют прибор Р с большим входным сопротивлением, или 1

если используют прибор Р с малым входным сопротивленьем (50 л-та 75 Ом).

Сопротивление резистора Р_э должно быть в 10 раз больше, чем входное сопротивление транзистора по постоянному току. Емкость конденсатора С2 выбирают из условия

1 R, о>С₂^< 10 • Суммарная емкость С_ЭБ , состоящая из емкостей конденсатора СЗ, вход­ной емкости прибора Р и емкости ограничителя напряжения Z, включенная па­раллельно выводам эмиттер-база измеряемого транзистора, должна удовлетво­рять требованию

2nfC 10)^цбтах>

где f—частота измерения;

Лцбіг.ах—максимальное значение входного сопротивления транзистора VT в режиме малого сигнала, указывают в стандартах.

Значение емкости С_ЭБ рекомендуется выбирать близко к максимально до­пустимому.

2. Пример электрической схемы XX для измерения постоянной времени т_к маломощных ВЧ и СВЧ транзисторов коаксиальной и полосковой конструкции, у которых высокочастотные параметры не удовлетворяют соотношению

^£.<30

V

Р—электронный индикатор напряжения; С1—разделительный конденсатор; R—нагрузочный резистор; IF—передающая линия с волновым сопротивлением Z_o; FT—измеряемый транзистор; Э— экран в контактодержателе между выводами эмиттера и коллек­тора; Яд—резистор .в цепи эмиттера; Z—ограничитель напряже­ния; СЗ-—конденсатор, обеспечивающий короткое замыкание на высокой частоте и условие холостого хода на частоте измерения; С2—конденсатор для подавления помех; GB—блок питания тран­зистора.

Черт. 4

Выбор основных элементов схемы XX определяется требованиями п. 2.3 настоящего стандарта к необходимому значению проводимости на зажимах эмиттер-база VT.

В данной схеме суммарная емкость С_ЭБ> удовлетворяющая соотношению, приведенному в п. 3 приложения, состоит из емкостей конденсатора С1 и СЗ, емкости ограничителя Z и распределительной емкости полосковой передающей линии.

Требования к емкости конденсаторов С1 и С2 изложены в п, 3 справочного приложения.

2. Пример электрической схемы ГН для измерения постоянной времени т_к мощных ВЧ и СВЧ транзисторов.

Выбор элементов схемы Г'Н определяется требованиями п. 2.7 настоящего стандарта к значению выходного сопротивления.

Значения сопротивлений резисторов R.2 и R3 должны удовлетворять усло­виям:

Rj+Rt—50 или 75 Ом.

VT—-измеряемый транзистор; 3^—экран в контактодержа- теле между выводами эмиттера и коллектора; С2—раз*

делительный конденсатор; R2, R3—резисторы для развяз­ки генератора сигналов; G—генератор сигналов; Ь_Др —дрос­сель для задания напряжения на коллектор транзистора; Я/—резистор для подавления паразитного возбуждения транзистора; С1—блокировочный конденсатор.

Черт. 5

Индуктивность дросселя L _др должна выбираться из соотношения , 5^2

^ьдр> 2vf •

Емкость конденсаторов С1 и С2 выбирают из следующих условий:

100С_к ;

С_а> 100С_к ,

где С _к —емкость коллекторного перехода VT, указывают в стандартах.

Рекомендуется выбирать выходное сопротивление генератора сигналов равным волновому (’30 или 75 Ом). В этом случае резисторы R2 и R3 отсутст­вуют.

2. Пример электрической схемы ГН для измерения постоянной времени т _к маломощных ВЧ и СВЧ транзисторов навесной конструкции с гибкими выво­дами, у которых высокочастотные параметры должны удовлетворять нера­венству.

^f_£₽<30
^хк

VT—измеряемый транзистор; экран в контактодер- жателе между выводами эмиттера и коллектора; С2—раз­делительный конденсатор; G—генератор сигналов; /^—пол­ное сопротивление для развязки цепи генератора сигналов и источника питания; С1—разделительный конденсатор;

PV— измеритель напряжения.

Черт. 6

Выбор элементов -схемы ГН їв цепи коллектора определяется требованиями п. 2.7.

2. Пример электрической схемы ГН для измерения постоянной времени Т_к маломощных ВЧ и СВЧ транзисторов коаксиальной и полосковой конструкции, у которых высокочастотные параметры не удовлетворяют неравенству

tl<30,

■Г

Основные элементы схемы должны соответствовать требованиям, указан­ным в п. 2.7 настоящего стандарта по выбору схемы ГН в цепи коллектора.

Для высоких частот аттенюатор Е должен быть подключен непосредственно к зажимам передающей линии через конденсатор С2.

Аттенюатор Е должен состоять из резисторов R3, R4, R5 и совмещать функции полного сопротивления для развязки, указанного на черт. 1 приложе­ния, и согласованной нагрузки для линии W.

Значения сопротивлений резисторов R3, R4 и R5 следует рассчитывать через волновое сопротивление линии Zo И значение ослабления аттенюатора а:

1

/?₃ = /?₅=Zo

1 Z 4а

V '+(^17

2а

В данном случае выходное сопротивление генератора сигналов G равно волновому сопротивлению линии Z_o (50 или 75 Ом)

.

Э„ —эвран в контактодержателе между выводами эмит- тера и коллектора; VT—измеряемый транзистор; IF—пере­дающая линия с волновым сопротивлением Z_o; RI, R2—добавочные резисторы к измерителю напряжения PV1; Cl, С2—конденсаторы для подавления помех; PVi, PV2—измерители напряжения; Е—аттенюатор; СЗ—разде­лительный конденсатор; G—генератор сигналов.

Черт. 7

Емкость конденсатора С1 выбирают аналогично емкости конденсатора Сі, указанного на черт. 1 приложения.

Сумму сопротивлений резисторов R1 и R2 определяют как добавочное соп­ротивление к измерителю напряжения PV1 на коллекторе, мо значение R1 долж­но быть не менее 1,6 кОм.

Допускается измерение напряжения питания коллектора включением изме­рительного прибора PV2 в цепь резистора R4. При этом RI, R2 и С1 из схемы исключают. Однако, при установке режима питания по коллектору учитывают падение напряжения Д(7_К на резисторах R3, R4 и R5 от протекания тока кол­лектора

ДС/_К=/_К (Я₃+Я₄)«/_э(Д_з+Я₄)

2. Примеры схем ограничителя напряжения.

Ограничители напряжения предназначены для защиты эмиттерного перехода от случайных увеличений напряжения обратной полярности и для ограничения напряжения холостого хода на зажимах контактного устройства при отключе­нии транзистора.

Необходимый уровень ограничения зависит от прямого падения напряже­ния на зажимах эмиттер^база транзистора VT. Уровень ограничения должен превышать прямое падение напряжения на зажимах транзистора VT в 1^5— —2 раза.Ограничитель напряжения на уровне ±(0,5—0,6) В

Ограничитель напряжения на уровне ±(1,5—1,8) В

(Г

Черт. 8

Издание официальное Перепечатка воспрещена

★

* Переиздание (декабрь 1985 г.) с Изменением № I,
утвержденным в апреле 1984 г. (ИУС 8—84).

1