---

Окончание таблицы 6

О

CUHa AVPf).00S'" формат A4

6. Оксидировать поверхность заготовок в модуле подтравливания линии

Т раствора « 40-45 °С, t ■ 4,8-5»0 мин

Раствор для оксидирования в соответствии с приложением В по В.4

6. Промыть заготовки проточной водой в модуле промывки линии Т « 18-25 °С

Вода питьевая

6. Сушить заготовки в модуле сушки линии Т - 18-35 °С

7. Демонтировать заготовки с приспособления

Подставка-штатив заводского изготовления

6. Провести сплошной визуальный контроль качества подготовки поверхности по смачиваемости водой. Поверхность должка быть бархатистой от темно-коричневого до черного цвета. Допускаются точечные непокрытая не более 2-5 на плату

ОСТ 92-5075-99

АЗ *0

Взам. им». , Ина. Ng дубя.

Падл. и дата

Таблица 7 - Карта типовой технологической операции химико-механической подготовки поверхности перед нанесением СІК

Подготовка

Линия химико-механической подготовки поверхности типа ГГМ 1.240.006 I Установить расстояние между абразивными валками в зависимости от толщины обрабатываемых заготовок

2 Уложить заготовки с толщиной диэлектрика 0,8-3,0 мм на конвейер линии

3. Зачистить заготовки в зоне зачистки линии / конвейера = 0,3-0,5 м/мин

4. Промыть заготовки проточной водой в модуле промывки линии Т . 18-25 °С

В

ОСТ 92-5075-99

ода питьевая

Декапировать заготовки в модуле декапирования линии Т - 18-25 °С

аствор для декапирования я соответствии с приложением В no В.З.І.

Окончание таблицы 7

светло-розового цвета равномерно окрашенной Т * Подставка заводского изготовления

ОСТ 92-5075-99

Има; Hg пода, /^6«

.НВ.НЖдуЬ^І Подл, мдвтв

І

Таблица 8 - Карта типовой технологической операции нанесения С®

Б Установка нанесения С® типа АРСМ 3.289.006 или

КПМ 3.289.003 . '

0 I Установить рулон фоторезиста на подающие валки

0 2 Нанести фоторезист на заготовку ПП. пропустив заготовку

между валками установки

Р Т нагревательных элементов ■ 100-125 °С [(105*5) °С для СПЬ-АС-1; (110*5) °С для СПФ-ВЩ-2; (117,5*7.5) °С для C®-2j J V нанесения * 0,5-1,0 м/ммн

М Фоторезист СПФ-АС-І или СЛФ-ВЩ-2 или СПФ-2

0

ОСТ 92-5075-99

3 Обрезать фоторезист по контуру заготовки ,

Т Скальпель, ножницы

0 4 Выдержать заготовки на воздухе при неактиничном освещении

Р Т * 18-25 °С, t выдержки не менее 30 ми

н

в к»

Ин#. Nt поди. ^Подп. и дата Звам, мн». Nt '

' н> дубд^ Подп. и ДОТ»

Окончание таблицы 8

Подставка-штатив заводского изготовления

5

ї г э

і

Провести сплошной визуальный контроль. Слой фоторезиста на заготовке должен быть без склддок, царапин, посторонних включений и отслоений

ОСТ 92-5075-99

Таблица 9 - Карта типовой технологической операции экспонирования

Кппчг.ММ. OOc Фаоміт А4

Экспонирование

Установка экспонирования типа "Темп-1" или типа АРСМ 3.268.006 или "Printer* ^и•

I Включить установку экспонирования в соответствии с инструкцией по эксплуатации і •.

2. Освободить фиксирующие отверстия от СПФ Скальпель

3. Смонтировать фотошаблон с заготовкой по фиксирующим отверстиям» наложив фотошаблон эмульсионной стороной на заготовку

Приспособление для фиксирования заводского изготовления 4 Поместить смонтированную заготовку с фотошаблоном в раму экспонирования

Т в раме экспонирования не более 30 °С, разрежение в раме экспонирования не менее 0_t7*I0$ Па

Время экспонирования подбирает^ экспериментально в соответствии с приложением А

ОСТ 92-5075-99

Им. ..4

ОСТ 92-5075-99

> І Ййв. Ng подя. І ^Подп. М датв <>***■ «на -Ng

?■ Шим*/кгі Ш/ес

Окончание таблицы 9

О 5 Экспонировать изображение рисунка ІШ

О б Извлечь изображение из рамы экспонирования

О 7 Демонтировать заготовку и фотошаблоны

Т Скальпель, подставка заводского изготовления

О 8 Выдержать заготовку на стеллажах с черными шторами

Р Т- 18-25 °С, t « 25-30 мин

Таблица 10 - Карта типовой технологической операции проявления СІЙ водно-щелочного проявления

Подп. и дата

К Nt

<w. Ne подл.

А Проявление

Б Установка проявления типа ГГМ I.250.001

О I Включить установку согласно инструкции по эксплуатации

О 2 Снять защитную лавсановую пленку с СІЙ на заготовке

О 3 Поместить заготовки на транспортер установки

О 4 Проявить рисунок ПП в модуле проявления установки

Р Т * 18-25 °С, t = 1,5-3,0 мин (время проявления

в соответствии с приложением Б по Б.4)

И Раствор для проявления в соответствии с приложением В по В.5

О

ОСТ 92-5075-99

5 Промыть заготовки в модуле промывки установки

Р Т = 18-25 °С

И Вода питьевая

О 6 Сушить заготовки в модуле сушки установки

Р Т « 18-25 °С

Окончание таблицы Ю

О

8 Провести сплошной визуальный контроль качества проявления

Рисунок должен быть четким, без царапин, сколов и посторонних включений Кромка защитного рельефа должна быть ровной и иметь тот же цвет, что в изображение рисунка

М

с?

Под». и ддт*

Г *

икроскоп МБС-9

ОСТ 92-5075-99

1

Обозначение документа

Код, наименование операции

Опер.

Проявление

Установка проявления С® типа *xProcesser С Т с дистиллятором С 100 или типа АУБ 227,00.00.000

s

;3

'Л

I Включить систему охлаждения растворах! до Т • 10-16 °С

2 Снять защитную лавсановую пленку с СІК

3 Включить установку согласно инструкции

Усладить метилхлороформ