Сборник ГОСТ ЕСКД

(Продолжение см. с. 74)

7

3 Зак. 714

Обозначение

Наименование

17. Соленомер

18. Самопишущий комбинированный ваттметр и варметр

19. Счетчик времени

Счетчнк ватт-часов, измеряющий энергию, передаваемую в одном направлении

(Продолжение см. с. 75)'

74

17. С четчик ватт-часов с регистрацией макси­мальной активной мощности

18. О тличительный символ функции счета чис­ла событий

19. С четчик электрических импульсов с ручной установкой на п (установка на нуль при

п = 0)

. 26. Счетчик электрических импульсов с уста­новкой на нуль электрическим путем

(Продолжение см. с. 76)

(Продолжение изменения № 3 к ГОСТ 2.729—68)

Продолжение

27. Счетчик электрических импуль­сов с несколькими контакта­ми; контакты замыкаются со­ответственно на каждой еди- нице (10°)„ десятке (10¹), сот­не (10²), тысяче (10^s) собы­тий, зарегистрированных счет­ным устройством

28. Счетное устройство, управляе­мое кулачком н управляющее замыканием контакта через каждые п событий

заменить слова: «Примечания к пп. 1—16» на «Примечания к пп. 1—28»; примечания к пп, 1—28 дополнить примечанием 4 с соответствующим обозна­чением:

«4. Выводные контакты обмоток допускается не зачернять, например, вольтметр однообмоточный»

(ИУС № 5 1994 г.)ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮЗА ССР

Единая система конструкторской документации

Unified system for design documentation. Graphical symbols in diagrams.

Semiconductor devices

Дата введения 01.07.74

1. Настоящий стандарт устанавливает правила построения условных графических обозначений полупроводниковых приборов на схемах, выпол­няемых вручную или автоматическим способом во всех отраслях промыш­ленности.

Стандарт соответствует СТ СЭВ 661—77.

2. О

   Перепечатка воспрещена

   бозначения элементов полупроводниковых приборов приведены в табл. 1.

Издание официальное ★

Таблица 1

Наименование

1. (Исключен, Изм. №2).

2. Электроды:

база с одним выводом

база с двумя выводами

Р-эмиттер с /У-областью

ТУ-эмиттер с Р-областью

несколько эмиттеров, например, че­тыре Р-эмиттера с ТУ-областью

коллектор с базой

несколько коллекторов, например, четыре коллектора на базе'

Обозначение

или

Продолжение табл. 1

3. Области:

область между проводниковыми слоями с различной электропровод­ностью.

Переход отР-области кА'-области и наоборот

область собственной электропровод­ности (/-область) :

1. между областями с электропро­водностью разного типа PIN или NIP

2. между областями с электропро­водностью одного типа PIP или NIN

3. между коллектором и областью с противоположной электропровод­ностью PIN или NIP

4. между коллектором и областью с электропроводностью того же типа PIP или NIN

4. Канал проводимости для поле­вых транзисторов:

обогащенного типа

о бедненного тип

а

Продолжение табл. 1

3am бор G

5. Переход PN

6. Переход NP '

7. P-канал на подложке Аттила, обогащенный тип

8. jV-канал на подложке Р-типа, обедненный тип

9. Затвор изолированный

10. Исток и сток

Примечание. Линия истока должна быть изображена на продол­жении линии затвора, например;

Исток S

Сток

D

Обозначение

Наименование

11. Выводы полупроводниковых приборов:

электрически не соединенные с кор­пусом

электрически соединенные, с корпу­сом

12. Вывод корпуса внешний. Допу­скается в месте присоединения к кор­пусу помещать точку

(Измененная редакция, Изм. № 2).

3, 4. (Исключены, Изм. № 1).

5. Знаки, характеризующие физические свойства полупроводниковых приборов, приведены в табл. 4.

Таблица 4

Продолжение табл. 4

3-8. (Исключены, Изм. № 2).

5. Примеры построения обозначений полупроводниковых диодов при­ведены в табл. 5.

Таблица 5

И-

J.O

7. Диод двунаправленный

4. Стабилитрон (диод лавинный вы­прямительный)

а) односторонний

б) двухсторонний

4. Диод теплоэлектрический

Варикап

8. Модуль с несколькими (напри­мер, тремя) одинаковыми диодами с общим анодным и самостоятельны­ми катодными выводам

4. Обозначения тиристоров приведены в табл. 6.

Таблица 6

3. Тиристор диодный симметрич­ный

8. Примеры построения обозначений транзисторов с ЛЛ'-переходами приведены в табл. 7.

Обозначение

С. 11 ГОСТ 2.730-73

Наименование

3. Транзистор однопереходный с Л'-базой

4. Транзистор однопереходный сР-базой

5. Транзистор типа PNP с двумя базовы­ми выводами

6. Транзистор типа PNIP

Транзистор imaPNIN с выводом от і-области

3. Транзистор многоэмиттерный типа

NPN

Примечание. Для упрощения на схемах допускается:

выполнять обозначения транзисторов в зеркальном изображении, например:

1. не изображать корпус, если смысл обозначения не меняется и корпус не исполь­зуется для электрического подключения;

2. проводить линию электрической связи от эмиттера или коллектора в одном из двух направлений: перпендикулярно или параллельно линии вывода базы.

9. Примеры построения обозначений полевых транзисторов приведены в табл. 8.

2. Транзистор полевой с каналом Р-типа

3. Транзистор полевой с изолированным затвором:

1. обогащенного типа с Р-каналом

2. обогащенного тина с TV-каналом

3. обедненного типа с Р-каналом

обедненного типа с TV-канало

м

Наименование

4. Транзистор полевой с изолированным затвором обогащенного типа с Р-каналом с выводом от подложки

5. Транзистор полевой с изолированным затвором обогащенного типа с TV-каналом и с внутренним соединением подложки и истока

6. Транзистор полевой с двумя изоли­рованными затворами обедненного типа с TV-каналом и с выводом от подложки

П римечание. Изображение окружности является обязательным.

10. Примеры построений обозначений фоточувствительных и излучаю­щих полупроводниковых приборов приведены в табл. 9.

Наименование




Обозначение




2. Фотодиод




3. Фототиристор диодный




4. Фототранзистор типа/’Л'Т’:




а) общее обозначение




б) база не выведена




5. Фотоэлемент солнечный




Примечание. Допускается знаки по­лярности не указывать




6. Фотобатарея солнечная (« солнечных элементов)





Обозначение





2. Оптрон резисторный




2. Оптрон тиристорный





И. Примеры построения обозначений оптоэлектронных приборов при­ведены в табл. 10.

Таблица 10

Наименование

1. Оптрон диодны

й

Примечания:

1. Допускается изображать оптоэлектронные приборы разнесенным способом. При этом знак оптического взаимодействия должен быть заменен знаками оптичес­кого излучения и поглощения в соответствии с требованиями табл. 4, например:

2. Взаимная ориентация обозначений источника и приемника не устанавливается, а определяется удобством вычерчивания схемы, например:

12. Примеры построения обозначений прочих полупроводниковых при­боров приведены в табл. 11.

Примеры изображения типовых схем на полупроводниковых дио­дах приведены в табл. 12.Таблица 12





1. Однофазная мостовая выпря­мительная схема:

1. развернутое изображение

2. упрощенное изображение (ус­ловное графическое обозначение)

Примечание. К выводам 1-2 подключается напряжение переменного тока; выводы 3—4 - выпрямленное напряжение; вы­вод 3 имеет положительную по­лярность.

Цифры 1, 2, 3 и 4 указаны для пояснения

.

Обозначение





Наименование

Пример применения условного графического обозначения на схеме

2. Трехфазная мостовая выпря­мительная схема

Диодная матрица (фрагмент

)

Наименование

Примечание. Если все дио­ды в узлах матрицы включены идентично, то допускается приме­нять упрощенный способ изобра­жения. При этом на схеме долж­ны быть приведены пояснения о способе включения диодов

14. У

    Обозначение

    
    словные графические обозначения полупроводниковых приборов для схем, выполнение которых при помощи печатающих устройств ЭВМ предусмотрено стандартами Единой системы конструкторской документа­ции, приведены в табл. 13.

4. Многоэмиттерный транзистор типа NPN




4. Транзистор типа PNIP с выводом от /-области




Отпечатанное
обозначение




Обозначение




Наименование





Примечание к пп. 2-5. Звездочкой отмечают вывод базы, знаком „больше” или „меньше” - вывод эмиттера.

14. Размеры условных графических обозначений полупроводниковых приборов указаны в обязательном приложении.

ПРИЛОЖЕНИЕ

Обязательное

РАЗМЕРЫ УСЛОВНЫХ ГРАФИЧЕСКИХ ОБОЗНАЧЕНИЙ
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ

1. Все геометрические элементы условных графических обозначений выполняют линиями той же толщины, что и линии электрической связи.

2. Размеры условных графических обозначений полупроводниковых приборов приведены в таблице.

9. Транзистор: а) типа PNP б) типа NPN 10. Транзистор с двумя базами 11. Транзистор типа PNIP D	12	14
Л*	9	И
а	2,5	3,5
ь	3	4

12. Многоэмиттерный транзистор типа NPN

13. Обозначение затвора (для полевых транзисто­ров)

14. Полевой транзистор D	10	12	14
а	5	6	7
ь	7	8	9