---

АРСТВЕННЫЙ

СТАНДАРТ

Ценя 3 коп

СОЮЗА ССР

МИКРОСХЕМЫ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ
ЗАПОМИНАЮЩИХ УСТРОЙСТВ
И ЭЛЕМЕНТОВ
ЗАПОМИНАЮЩИХ УСТРОЙСТВ

ОСНОВНЫЕ ПАРАМЕТРЫ

ГОСТ 24459-80

Издание официально

е

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР ПО СТАНДАРТАМ

Москва

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ

СТАН

СОЮЗА ССР

ГОСТ
24459-80

Взамен

ГОСТ 19420—74
(в части запоминающих
устройств и элементов
запоминающих уст-
ройств) и ГОСТ 17447—72
[в части пп. 3 и 4)

МИКРОСХЕМЫ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ ЗАПОМИНАЮЩИХ
УСТРОЙСТВ И ЭЛЕМЕНТОВ ЗАПОМИНАЮЩИХ
УСТРОЙСТВ

Основные параметры

Integrated microcircuits for
storages and its elements.
Basic parameters

Постановлением Государственного комитета СССР по стандартам от 11 декабря 1980 г, № 5776 срок введения установлен

с 01.01 1982 г.

Несоблюдение стандарта преследуется по закону

1. Настоящий стандарт распространяется на интегральные микросхемы запоминающих устройств и элементов запоминающих устройств: оперативные запоминающие устройства; ассоциативные запоминающие устройства; запоминающие устройства на прибо­рах с зарядовой связью и цилиндрических магнитных доменах; постоянные запоминающие устройства, программируемые маской; постоянные запоминающие устройства с однократным электриче­ским программированием; постоянные запоминающие устройства с многократным электрическим программированием; усилители воспроизведения; формирователи разрядного и адресного токов.

Стандарт устанавливает допускаемые сочетания значений ос­новных параметров:

для запоминающих устройств — число информационных слов, число разрядов в информационном слове, время выборки, удель­ную потребляемую мощность;

для запоминающих устройств на приборах с зарядовой связью и цилиндрических магнитных доменах — частоту сдвигающих импульсов (тактовую частоту);

для усилителей воспроизведения — максимальное среднее время задержки распространения и минимальное входное напря­жение срабатывания усилителя;

для формирователей разрядного и адресного токов — макси­мальное среднее время задержки распространения и максималь­ный выходной импульсный ток.

Издание официальное Перепечатка воспрещен

2. аДопускаемые сочетания значений¹ числа информационных слов и числа разрядов в информационном слове оперативных за­поминающих устройств, ассоциативных запоминающих устройств, а также внешних запоминающих устройств, выполненных на ос­нове приборов с зарядовой связью и цилиндрических магнитных доменов, должны соответствовать указанным в табл. 1.

Число информационных слов

Таблица 1

3. Допускаемые сочетания значений числа информационных слов и числа разрядов в информационном слове постоянных за­поминающих устройств, постоянных запоминающих устройств с однократным электрическим программированием и постоянных запоминающих устройств с многократным электрическим програм­мированием должны соответствовать¹ указанным в табл. 2.

Таблица 2

Число информационных слов

Число разрядов

в информацией

ном слове

32 256 512

2К 4К

128К

256/С 512К

1

2

4

8

16

32

Допускаемые сочетания значений времени выборки опера­тивных запоминающих устройств и времени поиска информации ассоциативных запоминающих устройств в зависимости от схемно­технологического исполнения должны соответствовать указанным в табл. 3

.

Таблица 3




Схемно-технологическое
исполнение интегральных
микросхем




Время выборки, НС

Время поиска информации, нс




2,5





Н

16 25 40 63 100 160 250 400 630 1000


а основе эмиттерно­связанной логики

На основе транзис­торно-транзисторной ло­гики. На основе инте­гральной инжекционной логики

На основе «-каналь­

ных структур «металл— диэлектрик — полупро­водник»

На основе комплемен­тарных структур «ме­талл — диэлектрик — по­лупроводник»

5. Д опускаемые сочетания значений времени выборки постоян­ных запоминающих устройств и постоянных запоминающих уст­ройств с однократным электрическим программированием в зави­симости от схемно-технологического исполнения должны соответст­вовать указанным в табл. 4.

Таблица 4

В

Схемно-технологическое
исполнение интегральных
микросхем




2,5




4,0




6,3




25 40 63 100 160 250 400 630 1000


ремя выборки, нс




6. Допускаемые сочетания значений времени выборки постоян­ных запоминающих устройств с многократным электрическим программированием в зависимости от схемно-технологического ис­полнения должны соответствовать указанным в табл. 5.




63

100 160

Время выборки, НС

Таблица 5

Схемно-технологическое исполнение интегральных микросхем




На




аморфных




струк­




турах

На основе структур ^металл — диэлектрик — полупроводник» с лавин­ной инжекцией заряда

На основе структур «металл — нитрид — окисел — полупровод­ник»





1000 1600 2500 4000




















7. Удельная потребляемая мощность запоминающих устройств и элементов запоминающих устройств должна выбираться из ряда: 0,0001; 0,00016; 0,00025; 0,00040; 0,00063; 0,0010; 0,0016; 0,0025; 0,0040; 0,0063; 0,010; 0,016; 0,025; 0,040; 0,063; 0,10; 0,16; 0,25; 0,40; 0,63; 1,0; 1,6; 2,5; 4,0; 6,3; 10 мВт/бит.

8. Частота сдвигающих импульсов (тактовая частота) для за­поминающих устройств, выполненных на основе приборов с заря­довой связью и цилиндрических магнитных доменов, должна вы­бираться из ряда: 0,10; 0,25; 0,50; 1,00; 2,50; 5,00; 10,00; 25,00 МГц.

9. Допускаемые сочетания значений основных параметров уси­лителей воспроизведения должны соответствовать указанным в табл. 6.






Т

Минимальное входное напряжение срабатывания усилителя, мВ

аблица 6

Максимальное среднее
время задержки распростра-
нения, н

с





М

Таблица 7


аксимальное среднее время задержки распространения* нс

•' ^м - —

16

25

40

63

100

И

83

200

315

500

1250




Максимальный выходной импульсный ток* мА



. Допускаемое отклонение электрических параметров от зна- чений, указанных в табл. 3—7 и п. 7, должно находиться в пре­делах ±20%.

Редактор Н. Б. Жуковская
Технический редактор В. Н. Малькова
Корректор А. Г. Старостин

Сдано в наб. 24.12.80 Поди., к печ. 26.01.81 0,5 п. я. 0,34 уч.-йзД. Л. Тйр. 120о0 Цена' З кдїї.

Ордена «Знак Почета» Издательство стандартов, 123557. Москва. Новопресненский пер.. 3.

Тип. «Московский печатник», Москва, Лялия пер., 6. Зак. 1716* В табл. 1—7 отмечены знаком « + », для вновь разрабатываемых микро­схем знаком «X».

На основе эмиттерно­связанной логики

На основе транзистор­но-транзисторной логи­ки. На основе инте­гральной инжекционной логики

На основе «-каналь­ных структур «металл — диэлектрик — полупро­водник»

На основе комплемент тарных структур «ме­талл — диэлектрик — полупроводник»

1L—, ’ 1. 11-

25 40 63

10. Допускаемые сочетания значений основных параметров -формирователей разрядного и адресного токов должны соответст­вовать указанным в табл, 7,

Скачать бесплатно