|
Прямой переход Ндп. Вертикальный переход |
вектора |
ЭФФЕКТЫ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ
|
60. Фоторезистивный эффект |
Изменение электрического сопротивления полупроводника, обусловленное исключительно действием оптического излучения и не связанное с его нагреванием |
|
61. Кристалл-фотоэффект |
Возникновение электрического поля в однородном неравномерно освещенном полупроводнике |
|
62. Эффект поля в полупроводнике Эффект поля |
Изменение электропроводности приповерхностного слоя полупроводника под воздействием электрического поля |
|
63. Фотомагнитоэлектрический эффект |
Возникновение в полупроводнике электрического поля, напряженность которого перпендикулярна магнитной индукции и потоку диффундирующих частиц под действием электромагнитного излучения |
|
64. Термомагнитный эффект Ндп. Эффект Риги-Ледюка |
Возникновение поперечного градиента температур в полупроводнике при наличии продольного градиента температур и при воздействии поперечного магнитного поля |
|
65. Электротермический эффект Ндп. Эффект Томсона |
Выделение или поглощение тепловой энергии, обусловленное продольным градиентом температуры при протекании электрического тока через однородный полупроводник |
|
66. Термогальванический эффект Ндп. Эффект Нернста- Эттингсхаузена |
Возникновение поперечной напряженности электрического поля в полупроводнике вследствие наличия продольного градиента температур и поперечного магнитного поля |
|
67. Поперечный термогальваномагнитный эффект Ндп. Эффект Эттингсхаузена |
Возникновение поперечного градиента температур в полупроводнике вследствие разброса скоростей носителей при протекании электрического тока и при воздействии поперечного магнитного поля |
|
68. Продольный термогальваномагнитный эффект Эффект Нернста |
Возникновение продольного градиента температур в полупроводнике вследствие разброса скоростей носителей зарядов при протекании через него электрического тока и при воздействии поперечного магнитного поля |
|
69. Магниторезистивный эффект |
Изменение электрического сопротивления полупроводника под действием магнитного поля |
|
70. Эффект Холла |
Возникновение поперечного электрического поля при протекании электрического тока через полупроводник, помещенный в магнитное поле |
|
71. Эффект Ганна |
Г енерация высокочастотных колебаний электрического тока в полупроводнике под действием постоянного электрического поля |
ЗОННАЯ СТРУКТУРА ПОЛУПРОВОДНИКОВ
полупроводника Энергетическая зона
полупроводника Разрешенная зона |
Область значений полной энергии электронов в кристалле полупроводника Энергетическая зона или совокупность перекрывающихся в результате расщепления из какого-либо одного или нескольких энергетических уровней изолированных атомов в процессе образования структуры кристалла |
полупроводника Запрещенная зона
|
Область значений энергии, которыми не могут обладать электроны в полупроводнике Разрешенная зона полупроводника, в которой отсутствуют электроны проводимости при абсолютном нуле температуры |
|
76. Зона проводимости полупроводника Зона проводимости |
Свободная зона полупроводника, на уровнях которой при возбуждении могут находиться электроны проводимости |
|
|
77. Заполненная |
зона |
Разрешенная зона полупроводника, в которой при |
|
полупроводника |
|
абсолютном нуле температуры все энергетические |
|
Заполненная зона |
|
уровни заняты электронами |
|
78. Валентная зона полупроводника |
Верхняя из заполненных зон полупроводника |
|
|
Валентная зона |
|
|
|
79. Ширина запрещенной |
зоны |
Разность энергий между нижним уровнем зоны |
|
полупроводника |
|
проводимости и верхним уровнем валентной зоны |
|
Ширина запрещенной зоны |
|
полупроводника |
|
80. Локальный энергетический |
Энергетический уровень, расположенный в |
|
|
уровень полупроводника |
|
запрещенной зоне полупроводника, обусловленный |
|
Локальный уровень |
|
дефектом решетки, когда взаимодействием отдельных |
|
|
|
дефектов можно пренебречь |
|
81. Примесный |
уровень |
Локальный энергетический уровень |
|
полупроводника |
|
полупроводника обусловленный примесью |
|
Примесный уровень |
|
|
|
82. Демаркационный |
уровень |
Локальный энергетический уровень |
|
полупроводника |
|
полупроводника, для которого процессы |
|
Демаркационный уровень |
|
рекомбинации и возврата в разрешенную зону в |
|
|
|
результате тепловых колебаний решетки |
|
|
|
равновероятны |
|
83. Примесная зона полупроводника |
Энергетическая зона, образованная при |
|
|
Примесная зона |
|
взаимодействии примесей совокупностью примесных |
|
|
|
уровней, находящихся в запрещенной зоне |
|
|
|
полупроводника |
(Измененная редакция, Изм. № 1).
АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА РУССКОМ ЯЗЫКЕ
Время жизни неравновесных носителей заряда полупроводника объемное 34
Время жизни неравновесных носителей заряда полупроводника поверхностное 35
Время жизни неравновесных носителей заряда полупроводника эффективное 36
Время жизни объемное 34
Время жизни поверхностное 35
Время жизни эффективное 36
Генерация 47
Генерация носителей заряда полупроводника 47
Генерация носителей заряда полупроводника световая биполярная 50
Генерация носителей заряда полупроводника световая монополярная 49
Генерация пары 48
Генерация пары носителей заряда 48
Генерация световая биполярная 50
Генерация световая монополярная 49
Диффузия биполярная 58
Диффузия неравновесных носителей заряда полупроводника биполярная 58
Длина диффузионная 33
Длина дрейфа 37
Длина дрейфа неравновесных носителей заряда полупроводника 37
Длина неосновных носителей заряда полупроводника диффузионная 33
Дырка 14
Дырка проводимости 14
Захват носителя 22
Захват носителя заряда полупроводника 44
Зона валентная 78
Зона заполненная 77
Зона запрещенная 74
Зона полупроводника валентная 78
Зона полупроводника заполненная 77
Зона полупроводника запрещенная 74
Зона полупроводника примесная 83
Зона полупроводника разрешенная 73
Зона полупроводника свободная 75
Зона полупроводника энергетическая 72
Зона примесная 83
Зона проводимости 76
Зона проводимости полупроводника 76
Зона разрешенная 73
Зона свободная 75
Зона энергетическая 72
Инжекция 45
Инжекция носителей заряда 45
Концентрация вырождения 40
Концентрация вырождения полупроводника 40
Концентрация дырок критическая 30
Концентрация дырок проводимости полупроводника критическая 30
Концентрация избыточная 28
Концентрация неравновесная 27
Концентрация неравновесных носителей заряда полупроводника 27
Концентрация носителей заряда полупроводника избыточная 28
Концентрация носителей заряда полупроводника равновесная 26
Концентрация носителей заряда полупроводника собственная 25
Концентрация равновесная 26
Концентрация собственная 25
Концентрация электронов критическая 29
Концентрация электронов проводимости полупроводника критическая 29
Кристалл-фотоэффект 61
Масса носителя заряда полупроводника эффективная 31
Масса носителя заряда эффективная 31
Материал полупроводниковый 1
Носитель заряда 13
Носители заряда горячие 19
Носители заряда полупроводника неосновные 16
Носители заряда полупроводника неравновесные 18
Носители заряда полупроводника основные 15
Носители заряда полупроводника равновесные 17
Носители неосновные 16
Носители неравновесные 18
Носители основные 15
Носители равновесные 17
Носители тепловые 17
Освобождение носителя 43
Освобождение носителя заряда полупроводника 43
Переход вертикальный 59
Переход в полупроводнике прямой 59
Переход прямой 59
Полупроводник 2
Полупроводник вырожденный 9
Полупроводник дырочный 6
Полупроводник компенсированный частично 11
Полупроводник невырожденный 10
Полупроводник примесный 7
Полупроводник простой 3
Полупроводник скомпенсированный 12
Полупроводник сложный 4
Полупроводник собственный 8
Полупроводник электронный 5
Проводимость дырочная 21
Проводимость собственная 22
Проводимость электронная 20
Рекомбинация 51
Рекомбинация межзонная 52
Рекомбинация носителей заряда полупроводника 51
Рекомбинация носителей заряда полупроводника межзонная 52
Рекомбинация носителей заряда полупроводника поверхностная 55
Рекомбинация носителей заряда полупроводника фононная 54
Рекомбинация носителей заряда полупроводника фотонная 53
Рекомбинация поверхностная 55
Рекомбинация прямая 52
Рекомбинация фононная 54
Рекомбинация фотонная 53
Сечение захвата носителя заряда полупроводника эффективное 32
Сечение захвата эффективное 32
Степень компенсации 41
Степень компенсации полупроводника 41
Скорость поверхностной рекомбинации 38
Скорость поверхностной рекомбинации носителей заряда полупроводника 38
Слой инверсионный 42
Слой полупроводника инверсионный 42
Ток диффузионный 56
Ток дрейфовый 57
Уровень демаркационный 82
Уровень локальный 72
Уровень полупроводника демаркационный 82
Уровень полупроводника примесный 81
Уровень полупроводника энергетический локальный 80
Уровень примесный 81
Фотопроводимость 24
Ширина запрещенной зоны 79
Ширина запрещенной зоны полупроводника 74
Экстракция 46
Экстракция носителей заряда 46
Электропроводность дырочная 21
Электропроводность полупроводника примесная 23
Электропроводность полупроводника электронная 20
Электропроводность примесная 23
Электропроводность собственная 22
Электропроводность электронная 20
Энергия активации 39
Энергия активации примесей полупроводника 39
Эффект Ганна 71
Эффект магниторезистивный 69
Эффект Нернста 68
Эффект Нернста-Эттингсхаузена 66
Эффект поля 62
Эффект поля в полупроводнике 62
Эффект Риги-Ледюка 64
Эффект термогальваномагнитный 66
Эффект термогальваномагнитный поперечный 67
Эффект термогальваномагнитный продольный 68
Эффект термомагнитный 64
Эффект Томсона 65
Эффект фотомагнитоэлектрический 63
Эффект фоторезистивный 60
Эффект Холла 70
Эффект электротермический 65
Эффект Эттингсхаузена 67
АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА НЕМЕЦКОМ ЯЗЫКЕ
Исключен, Изм. № 1).
АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА АНГЛИЙСКОМ ЯЗЫКЕ
