ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ
СОЮЗА ССР
ДИОДЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ
ТЕРМИНЫ, ОПРЕДЕЛЕНИЯ И БУКВЕННЫЕ ОБОЗНАЧЕНИЯ
ПАРАМЕТРОВ
ГОСТ 25529—82
(СТ СЭВ 2768—85J
И
Цена 15 коп.
здание официальноеГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР ПО СТАНДАРТАМ
Москва
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ
СОЮЗА ССР
ДИОДЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ
ТЕРМИНЫ, ОПРЕДЕЛЕНИЯ И БУКВЕННЫЕ ОБОЗНАЧЕНИЯ
ПАРАМЕТРОВ
ГОСТ 25529—82
(СТ СЭВ 2768—85)
Издание официальное
МОСКВА —198
7© Издательство стандартов, 1987
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮЗА ССР
ГОСТ
ДИОДЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ |
25529—82* |
Термины, определения и буквенные обозначения параметров |
(СТ СЭВ 2768—85J Взамен ГОСТ 18216—72, |
Semiconductor diodes. Terms, definitions-and letter symbols |
ГОСТ 18994—73, ГОСТ 20004—74, ГОСТ 20005—74, ГОСТ 20331—74, |
ОКСТУ 6201 |
ГОСТ 21154—75 |
Постановлением Государственного комитета СССР по стандартам от 29 ноября 1982 г. № 4482 срок введения установлен
с 01.01.84
Настоящий стандарт устанавливает применяемые в науке, технике п производстве термины, определения и буквенные обозначения параметров полупроводниковых диодов.
Термины и русские буквенные обозначения, установленные настоящим стандартом, обязательны для применения в документации всех видов, научно-технической, учебной и справочной литературе.
Международные буквенные обозначения обязательны для применения в технической документации на полупроводниковые диоды, предназначенные для экспортных поставок.
Стандарт полностью соответствует СТ СЭВ 2768—85.
Для каждого понятия установлен один стандартизованный термин. Применение терминов—синонимов стандартизованного термина запрещается. Недопустимые к применению термины-синонимы приведены в стандарте в качестве справочных и обозначены «Ндп».
Установленные определения можно, при необходимости, изменять по форме изложения, не допуская нарушения границ поня- ций.
В случаях, когда необходимые и достаточные признаки понятия содержатся в буквальном значении термина, определение не приведено, и соответственно в графе «Определение» поставлен прочерк.
В стандарте в качестве справочных приведены иностранные эквиваленты для ряда стандартизованих терминов па немецком (D), английском (Е) и французском (F) языках.
Издание официальное Перепечатка воспрещена
★
* Переиздание (март 1987 г.) с Изменением Лг 1.
утвержденным в октябре 1986 г. (ИУС 1—87)
.В стандарте приведены алфавитные указатели содержащихся в нем терминов на русском языке и их иностранных эквивалентов.
В стандарте имеется 3 справочных приложения. Приложение 1 содержит термины и определения общих понятий полупроводниковых приборов. Приложение 2 содержит вольт-амперные характеристики, диаграммы и кривые токов и напряжений.
Стандартизованные термины набраны полужирным шрифтом, л недопустимые синонимы — курсивом.
(Измененная редакция, Изм. № 1).
Термин |
Буквенное обозначение |
Определение |
||
русское |
международное |
|
ОБЩИЕ ПОНЯТИЯ |
|||
1 |
Постоянное прямое1 напряжение диода
|
|
i/p |
Постоянное значение прямого напряжения при заданном прямом токе полупроводникового диода |
2. |
Импульсное прямое напряжение диода
|
Utip. и |
Dfm |
Наибольшее мгновенное значение прямого напряжения, обусловленное импульсным прямым током диода заданного значения |
3. |
Постоянное обратное напряжение диода
|
^ОбР |
UR |
|
Термин |
Буквенное обозначение |
Определение |
||||
русское |
международное |
|||||
4. |
Импульсное обратное напряжение диода D. Spitzensperr- spannung der Diode E. Peak reverse voltage F. Tension inverse de crete |
Uобр, и |
Urk |
Наибольшее мгновенное значение обратного напряжения диода |
||
5. |
Среднее прямое напряжение диода D. Mittlere Durch- lassspannung der Diode E. Average forward voltage F. Tension directe moyenne |
^пр. ср |
Uf(HV) |
Среднее за период- значение прямого напряжения диода при заданном среднем прямом? токе |
||
6. |
Пробивное напряжение диода D. Durchbruchspan- nung der Diode
|
С/цроб |
|
Значение обратного- напряжения, вызывающее пробой перехода диода, при котором обратный ток достигает заданного значения |
||
7. |
Постоянный пря мой ток диода D. Durchlassgleich- strom der Diode E. Forward continuous current F. Courant direct continu |
/пр |
If |
|
||
8. |
Импульсный прямой ток диода D. Spitzendurchlass- strom der Diode E. Peak forward current F. Courant direct de crete |
/пр. и |
Ifm |
Наибольшее мгновенное значение прямого тока диода, исключая повторяющиеся и неповторяющиеся переход ные токи |
Термин |
Буквенное обозначение |
Определение |
||
русское |
международное |
|||
9. Средний прямой ток диода
|
/пр, ср |
/p(AV) |
Среднее за период значение прямого тока диода |
|
10. Постоянный обратный ток диода D. Sperrgleichstrom der Diode
|
/обр |
Ir |
|
|
11. Импульсный обратный ток диода D. Spitzensperr- strom der Diode E. Peak reverse current F. Courant inverse de crete |
Iобр. и |
I RM |
Наибольшее мгновенное значение обратного тока диода, обусловленного импульсным обратным напряжением |
|
12. Прямая рассеиваемая мощность диода
|
Рия |
PF |
Значение мощности, рассеиваемой диодом при протекании прямого тока |
|
13. Обратная рассеиваемая мощность диода
|
Р обр |
Pr |
Значение мощности, рассеиваемой диодом при протекании обратного тока |
Термин |
Буквенное обозначение |
Определение |
|||
русское 1 |
международное |
|
|||
14. |
Средняя рассеиваемая мощность диода
|
P ср |
р |
Среднее за период значение мощности, рассеиваемой диодом при протекании прямого и обратного токов |
|
15. |
Импульсная рассеиваемая мощность диода D. Spitzenverlust- leistung der Diode E. Peak power dissipation |
p,. |
Рм |
Наибольшее мгновенное значение мощности, рассеиваемой диодом |
|
16. |
Общая емкость диода D. Gesamtkapazitat der Diode
|
Сд |
Clot |
Значение емкости между выводами диода при заданном режя- ме |
|
17 18. |
Емкость перехода диода D. Sperrschichtkapa- zitat der Diode
Емкость корпуса диода D. Gehausekapa- zitat der Diode E. Case capacitance |
Спер Скор |
Сі Cease |
Общая емкость диода без емкости корпуса. Примечание. В случае, когда диод имеет р-і-іг структуру, допускается использовать термин «емкость структуры» и буквенное обозначение «Сстр» Значение емкости между выводами корпуса диода при отсутствии кристалла |
|
19. Дифференциальное сопротивление диода D. Differentieiler Widerstand der Diode
|
f диф |
Г |
Отношение малого приращения напряжения диода к малому приращению тока в нем при заданном режиме |
Термин |
Буквенное обозначение |
Определение |
|||
русское |
международное |
||||
20. Последовательное сопротивление потерь диода D. Serienwiderstand der Diode Е. Total series equivalent resistance F. Resistance serie totale equivale.l- te |
г П |
Г, |
Суммарное эквивалентное активное сопротивление кристалла, контактных соединений и выводов диода |
||
21. Тепловое сопротивление диода D. Warmewider- stand E. Thermal resistance F. Resistance ther- mique |
|
Rth |
Отношение разности эффективной температуры перехода и температуры в контрольной точке к рассеиваемой мощности диода в установившемся режиме |
||
22. Импульсное тепловое сопротивление диода |
|
/?(th)P |
Отношение разности эффективной температуры перехода и температуры в контрольной точке к импульсной мощности диода |
||
23. Тепловое сопротивление переход-ок- ружающая среда диода |
p A ©пер-окр |
|
Тепловое сопротивление диода в случае, когда температурой в контрольной точке является температура окружающей или охлаждающей среды |
||
24. Тепловое сопро тивление переход — корпус диода Е. Thermal resistance junction to case |
/? v впер-кор |
^?thjc |
Тепловое сопротивление диода в случае, когда температурой в контрольной точке является температура корпуса диода. Примечание. Если полупроводниковый кристалл имеет многослойную структуру, может быть использован термин «тепловое сопротивление структура — окружающая среда» или термин «тепловое сопротивление структура-корпус» |
Термин |
Буквенное обозначение |
Определение |
||
русское |
международное |
|||
25. Тепловая емкость диода Е. Thermal capacitance |
ce |
Cth |
Отношение тепловой энергии, накопленной в диоде, к разности эффективной температуры перехода и температуры в контрольной точке |
|
26. Переходное тепловое сопротивление диода Е. Transient thermal impedance |
|
2(th)t |
Отношение разности изменения температуры перехода и температуры в контрольной точке в конце заданного интервала времени, вызывающего изменение температуры, к скачкообразному изменению рассеиваемой мощности диода в начале этого интервала. Примечание. Непосредственно перед началом этого интервала времени распределение температуры внутри диода должно быть постоянным во времени |
|
27. Переходное тепловое сопротивление переход—окружающая среда диода Е. Transient thermal impedance junction to ambient |
7 впер-окр |
Z(th)Ja |
Переходное тепловое сопротивление диода в случае, когда температурой в контрольной точке является температура окружающей или охлаждающей среды |
|
28. Переходное тепловое сопротивление переход — корпус диода Е. Transient thermal impedance junction to case |
7 0пер-кор |
h)Jc |
Переходное тепловое сопротивление диода в случае, когда температурой в контрольной точке является температура корпуса диода |