Термин |
Буквенное обозначение |
Определение |
||
русское |
международное |
|||
|
|
|
0—угол между направлением падающего излучения и нормалью к фоточувствительному элементу; (р—азимутальный угол |
|
ПАРАМЕТРЫ ИНЕРЦИОННОСТИ |
ФЭПП |
|||
Время нарастания
|
T0,l- 0,9 |
Ч |
Минимальный интервал времени между точками переходной нормированной характеристики ФЭПП со значениями 0,1 и 0,9 соответственно |
|
92. Время спада ФЭПП Время спада
|
т0,9-0,1 |
ч |
Минимальный интервал времени между точками обратной переходной нормированной характеристики ФЭПП со значениями 0,1 и 0,9 соответственно |
|
93. Время установления переходное нормированной характеристики ФЭПП по уровню k Время установления
|
Тустй |
|
Минимальнее время от начала воздействия импульса излучения, по истечении которого максимальное отклонение нормированной переходной характери стики Ао(О от установившегося значения не превышает k: при t > ^•'Суст k |
Термин |
Буквенное обозначение |
Определение |
|
русское |
международное |
||
94. Предельная частота ФЭПП
|
fd |
fg |
Частота синусои- дальномодулированно- го потока излучения, при которой чувствитель ность ФЭПП падает до значения 0,707 от чув- ' ствительности при не- модулированіюм излучении |
95. Емкость ФЭПП D. Kapazitat E. Capacitance F. Capacite |
С |
с |
— |
96. Последовательное сопротивление фотодиода
|
Япосл |
*8 |
Активная составляющая электрического сопротивления фотодиода по переменному току, включенная последовательно емкости перехода фотодиода |
П
97. Число элементов ФЭПП D. Fiihlelementenanzahl |
N |
Е. Element number |
|
F. Nombre des elements |
|
98. Шаг элементов ФЭПП
|
h |
99. Межэлементный зазор многоэлементного ФЭПП
|
M |
100. Коэффициент фотоэлектрической связи многоэлементного ФЭПП
plungsfaktor
|
Лфс |
Р
м
Кс
Расстояние между центрами двух соседних фоточувствитель" них элементов ФЭПП
Расстояние между наименее удаленными друг от друга краями фото- чувствительных элементов в многоэлементном ФЭПП
Отношение напряжения сигнала с необлу- ченного элемента в многоэлементном ФЭПП к напряжению фотосигнала с облученного элемента, определяемое на линейном участке энергетической характеристики
Термин |
Буквенное обозначение |
Определение |
||
русское |
международное |
|||
101. Разброс значений параметров многоэлементного ФЭПП D. Parameterstreuung
|
|
|
Отношение полуразности наибольшего и наименьшего значений параметра фоточувст- вительных элементов в многоэлементном ФЭПП |
|
|
|
|
к среднему значению этого параметра. Примечание. В буквенном обозначении вместо «X» следует указывать буквенное обозначение соответст- |
|
|
|
|
вующего параметра |
|
ПАРАМЕТРЫ |
ФОТОТРАНЗИСТОРОВ*** |
|||
102. Напряжение на коллекторе фототранзистора D. Kollektorspannung
|
я - ?! СЛ |
U св Усе |
Напряжение между коллектором и выводом, который является общим для схемы включения фототранзистора |
|
103. 'Напряжение на эмиттере фо- тотранзистора D. Emitterspannung Е. Emitter voltage F. Tension d’emetteur |
|
U ЕВ ^ес |
Напряжение между эмиттером и выводом, который является общим для схемы включения фототранзистора |
|
104. Напряжение на базе фототранзистора D. Basisspannung
|
иэ6 "б |
UBE U вс |
Напряжение между базой и выводом, который является общим для схемы включения фототранзистора |
|
105. Пробивное напряжение коллектор-эмиттер фототранзистора D. Kollektor-Emitter-Durch- bruchspannung eines Fb- totransistors
|
^прк |
UBR СЕО |
Пробивное напряжение между выводами коллектора и эмиттера фототранзистора при открытой базе и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности* |
|
106. Пробивное напряжение коллектор-база фототранзистора |
^прк |
UBR СВО |
Пробивное напряжение между выводами |
Термин |
Букве обози* русское |
иное ІЧЄНИЄ международное |
Определение |
D. Kollektor-Basis-Durch- bruchspannung eines Fototransistors
/
эмиттер-база фототранзистора D. Emitter-Basis-Durch- spannung eines Fototransistors
эмиттер-коллектор фототранзистора D. Emitter-Kollektor-Durch- bruchspannung eines Fototransistors
D. Kollektordunkelstrom
ПО. Темцовой ток эмиттера фототранзистора
|
и6 пр э ик V пр э /э лт к> /б * т к» Т К г /б 1 т э» /э 2Т э» р т э |
U BR ЕВО UВЦ ECO 1СЕ0> 1СВ0’ 1СС0 ІЕВ0’ !ЕЕ0’ JECQ |
коллектора и базы фототранзистора при открытом эмиттере н в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности* Пробивное напряжение между выводами эмиттера и базы фототранзистора при открытом коллекторе и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности* Пробивное напряжение между выводами эмиттера и коллектора при открытой базе и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности* |
Термин |
Буквенное обозначение |
Определение |
|
русское |
международное |
||
I'ld. Темновой ток базы фототранзистора |
/б ут 6’ |
1ВВО> |
— |
D. Basisdunkelstrom Е. Base dark current F. Courant d’obscurite de ba- |
А б» |
ІВЕО • !ВСО |
|
se |
|
|
|
112. Темновой ток коллектор- эмиттер фототранзистора D. Kollektor-Emitter-Dunkel- strom eines Fototransis- tors
|
I3 * т к |
1СЕО |
Ток в цепи коллектора при отсутствии тока в базе, протекающий при определённых условиях работы и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности* |
transistor |
|
|
|
113. Темновой ток коллектор- база фототранзистбра D. Kollektor-Basis-Dunkel- strom eines Fototransis- tors
|
/6 т к |
!СВО |
Ток в цепи коллектора, протекающий при отсутствии тока в эмиттере при определенных условиях работы и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности* |
1І14. Темновой ток эмиттер-база фототранзистора D. Emitter-Basis-Dunkel- strom eines Fototransis- tors
|
|
{ЕВО |
Темновой ток в цепи эмиттера, протекающий при отсутствии тока в коллекторе при определенных условиях работы и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности* |
tor |
|
|
|
115. Темновой ток эмиттер-коллектор фототранзистора D. Emitter-Kollektor-Dunkel- strom eines Fototransis- tors
|
|
I ECO |
Темновой . ток в цепи эмиттера, протекающий при отсутствии тока в базе при определенных условиях работы и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности* |
transistor |
|
|
|
Термин |
Буквенное обозначение |
Определение |
|
русское |
международное |
||
116. Фототок коллектора фото- тфанзистора D. Kollektorfotostrom eines Fototransistors 'Е. Collector photocurrent of a phototransistor F. Photocourant du collccteur de phototransistor |
к» /5 уф к* Л *ф К |
^СЕН' !СВН’ 1сс н |
— |
317. Фототок эмиттера фототранзистора D. Emitterfotostrom eines Fototransistors IE. Emitter photocurrent of a phototransistor F. Photocourant d’emetteur de phototransistor |
'1° 1 ф э • I3 *ф э» *ф э |
7ЕВ Н' 1 ЕЕ Н' !ЕС Н |
|
H1& Фототок базы фототранзисто- фа
|
/б 'Ф б» Ї3 2ф б» 7К уф б |
1ВВН' 1ВЕН’ 1BE Н |
|
119. Общий ток коллектора фототранзистора D. Kollektorgesamtstrom eines Fototransistors
|
/э общ к ’ /б общ к > /к общ к |
!се> ^СВ' ^СС |
|
120. Общий ток эмиттера фото- транзистора |
7б Общ 9 » т Э |
1 ЕВ* |
|
D. Emittergesamtstrom eines Fototransistors E. Emitter total current of a phototransistor F. Courant total d’emetteur de phototransistor |
1 общ э» /к общ э |
‘ЕЕ' I ЕС |
- |
121. Общий ток базы фототранзистора D. Basisgesamtstrom eines |
/б общ б » р' оощ б » |
^ВВ > IRF, tic. ’ |
— |
Fototransistors -E. Base total current of a phototransistor |
/К общ б |
IRC |
|