Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и устройства фотоприемные. Термины и определения

Angle d’ouverture

2p

20

Угол в нормальной к фоточувствительному элементу плоскости

между направлениями падения параллельного пучка излучения, при ко­торых напряжение или ток фотосигнала ФЭПП уменьшается до задан­ного уровня

90. Эффективное поле зрения ФЭПП

Effektiver Gesichtsfeldra- umwinkel

Effective weighted solid

Й эфф

&eff.

Телесный угол, опре­деляемый соотношени­ем

< 2 о=2тс

о « ■ ¹ f fUA&

angle

F. Angle solide efficace

“эфф — и J J ^Uc' •

^vce=o Є=0 «р=0

q>)sin 0 cos 0 d0Xd<p где Uc — напряжение фотосигнала ФЭПП;

допускается замена

параметра U_c на 1с, 1Ф;

Термин

Буквенное обозначение

Определение

русское

междуна­родное

0—угол между на­правлением падающего излучения и нормалью к фоточувствительному элементу;

(р—азимутальный угол

ПАРАМЕТРЫ ИНЕРЦИОННОСТИ

ФЭПП

Время нарастания ФЭПП

Время нарастания

Anstiegszeit der normier- ten Ubergangs-Kennlinie

Rise time of the normali­zed transfer characteris­tic

Temps de montee de carac- teristique de transmission normalisee

^T0,l- 0,9

Ч

Минимальный интер­вал времени между точ­ками переходной нор­мированной характери­стики ФЭПП со значе­ниями 0,1 и 0,9 соответ­ственно

92. Время спада ФЭПП

Время спада

Abfallzeit der normierter Umkehrflbergangskennli- nie

Decay time of the normali­zed inverse transfer cha­racteristic

Temps de descente de ca- racteristique de transmis­sion inverse normalisee

^т0,9-0,1

ч

Минимальный интер­вал времени между точ­ками обратной переход­ной нормированной характеристики ФЭПП со значениями 0,1 и 0,9 соответственно

93. Время установления пере­ходное нормированной характе­ристики ФЭПП по уровню k

Время установления

Einstellzeit der normier- ten Ubergangskennlinie

Set-up time of the norma­lized transfer characteris­tic

Temps d’etabiissement ca- racteristique de transmis­sion normalisee

Туст_й

Минимальнее время от начала воздействия импульса излучения,

по истечении которого максимальное отклоне­ние нормированной пе­реходной характери­

стики Ао(О от устано­вившегося значения не превышает k:

при t > ^•'Суст k

Термин

Буквенное обозначение

Определение

русское

междуна­родное

94. Предельная частота ФЭПП

Grenzfrequenz

Cut-off frequency

Frequence de coupure

fd

fg

Частота синусои-

дальномодулированно- го потока излучения, при которой чувствитель­

ность ФЭПП падает до значения 0,707 от чув- ' ствительности при не- модулированіюм излу­чении

95. Емкость ФЭПП

D. Kapazitat

E. Capacitance

F. Capacite

С

с

—

96. Последовательное сопротив­ление фотодиода

Reihenwiderstand einer Fotodiode

Series resistance

Resistance serie

Япосл

*8

Активная составляю­щая электрического со­противления фотодио­да по переменному то­ку, включенная по­следовательно емкости перехода фотодиода

П 97. Число элементов ФЭПП

D. Fiihlelementenanzahl

N

Е. Element number

F. Nombre des elements

98. Шаг элементов ФЭПП

Rastermass

Pitch

Ecartement

h

99. Межэлементный зазор мно­гоэлементного ФЭПП

Fiihlelementenabstand

Element spacing

Espacement des elements

M

100. Коэффициент фотоэлектриче­ской связи многоэлементного ФЭПП

Photoelektrischer Кор-

plungsfaktor

Photoelectric coupling co­efficient

Coefficient de couplage photoelectrique

Лфс

Р

м

Кс

Расстояние между центрами двух сосед­них фоточувствитель" них элементов ФЭПП

Расстояние между на­именее удаленными друг от друга краями фото- чувствительных элемен­тов в многоэлементном ФЭПП

Отношение напряже­ния сигнала с необлу- ченного элемента в мно­гоэлементном ФЭПП к напряжению фотосиг­нала с облученного эле­мента, определяемое на линейном участке энергетической харак­теристики

АРАМЕТРЫ МНОГОЭЛЕМЕНТНЫХ ФЭПП

Термин

Буквенное обозначение

Определение

русское

междуна­родное

101. Разброс значений парамет­ров многоэлементного ФЭПП

D. Parameterstreuung

Figure of merit straggling

Dispersion de figure de merite

Отношение полураз­ности наибольшего и наименьшего значений параметра фоточувст- вительных элементов в многоэлементном ФЭПП

к среднему значению этого параметра.

Примечание.

В буквенном обозначе­нии вместо «X» следует указывать буквенное

обозначение соответст-

вующего параметра

ПАРАМЕТРЫ

ФОТОТРАНЗИСТОРОВ***

102. Напряжение на коллекторе фототранзистора

D. Kollektorspannung

Collector voltage

Tension du collecteur

я

- ?! СЛ

U св Усе

Напряжение между коллектором и выводом, который является об­щим для схемы включе­ния фототранзистора

103. 'Напряжение на эмиттере фо- тотранзистора

D. Emitterspannung

Е. Emitter voltage

F. Tension d’emetteur

U ЕВ ^ес

Напряжение между эмиттером и выводом, который является об­щим для схемы вклю­чения фототранзистора

104. Напряжение на базе фото­транзистора

D. Basisspannung

Base voltage

Tension de base

и^э₆

"б

UBE

U вс

Напряжение между базой и выводом, кото­рый является общим для схемы включения фототранзистора

105. Пробивное напряжение кол­лектор-эмиттер фототранзистора

D. Kollektor-Emitter-Durch- bruchspannung eines Fb- totransistors

Collector-emitter break­down voltage of a pho­totransistor

Tension de claquage col- lecteur-emetteur de photo­transistor

^прк

^UBR СЕО

Пробивное напряже­ние между выводами коллектора и эмиттера фототранзистора при

открытой базе и в от­сутствие потока излу­чения в диапазоне спек­тральной чувствитель­ности*

106. Пробивное напряжение кол­лектор-база фототранзистора

^прк

^UBR СВО

Пробивное напряже­ние между выводами

Термин

Букве обози*

русское

иное

ІЧЄНИЄ

междуна­родное

Определение

D. Kollektor-Basis-Durch- bruchspannung eines Fototransistors

Collector-base breakdown voltage of a phototran­sistor

Tension de claquage col- lecteur-base de phototran­sistor

/

Пробивное напряжение

эмиттер-база фототранзистора

D. Emitter-Basis-Durch- spannung eines Fototran­sistors

Emitter-base breakdown voltage of a phototransis­tor

Tension de claquage emet- teur-base de phototransis­tor

Пробивное напряжение

эмиттер-коллектор фототранзис­тора

D. Emitter-Kollektor-Durch- bruchspannung eines Fo­totransistors

Emitter-collector break­down voltage of a photo­transistor

Tension de claquage emet- teur-collecteur de photo­transistor

Темновой ток коллектора фототранзистора

D. Kollektordunkelstrom

Collector dark current

Courant d’obscurite du col- lecteur

ПО. Темцовой ток эмиттера фо­тотранзистора

Emitterdunkelstrom

Emitter dark current

Courant d’obscurite d’eme- tteur

и⁶ пр э

и^к

V пр э

/^э

^лт к>

/^б * т к»

^{Т К} г

/^б

¹ т э»

/^э

²Т э»

р

т э

U BR ЕВО

UВЦ ECO

¹СЕ0> ¹СВ0’

¹СС0

ІЕВ0’ ^!ЕЕ0’ ^JECQ

коллектора и базы фо­тотранзистора при от­крытом эмиттере н в отсутствие потока излу­чения в диапазоне спек­тральной чувствитель­ности*

Пробивное напряже­ние между выводами эмиттера и базы фото­транзистора при откры­том коллекторе и в от­сутствие потока излуче­ния в диапазоне спек­тральной чувствитель­ности*

Пробивное напряже­ние между выводами эмиттера и коллектора при открытой базе и в отсутствие потока из­лучения в диапазоне спектральной чувстви­тельности*

Термин

Буквенное обозначение

Определение

русское

междуна­родное

I'ld. Темновой ток базы фото­транзистора

/б

^ут 6’

¹ВВО>

—

D. Basisdunkelstrom

Е. Base dark current

F. Courant d’obscurite de ba-

А б»

ІВЕО • ^!ВСО

se

112. Темновой ток коллектор- эмиттер фототранзистора

D. Kollektor-Emitter-Dunkel- strom eines Fototransis- tors

Collector-emitter dark cur­rent of a phototransistor

Courant d’obscurite collec- teur-emetteur de photo-

I³

* т к

¹СЕО

Ток в цепи коллекто­ра при отсутствии тока в базе, протекающий при определённых ус­ловиях работы и в от­сутствие потока излуче­ния в диапазоне спек­тральной чувствитель­ности*

transistor

113. Темновой ток коллектор- база фототранзистбра

D. Kollektor-Basis-Dunkel- strom eines Fototransis- tors

Collector-base dark current of a phototransistor

Courant d’obscurite collec- teur-base de phototransis­tor

/⁶ т к

^!СВО

Ток в цепи коллекто­ра, протекающий при отсутствии тока в эмит­тере при определенных условиях работы и в от­сутствие потока излуче­ния в диапазоне спек­тральной чувствитель­ности*

1І14. Темновой ток эмиттер-ба­за фототранзистора

D. Emitter-Basis-Dunkel- strom eines Fototransis- tors

Emitter-base dark current of a phototransistor

Courant d’obscurite emet- teur-base de phototransis-

^{ЕВО

Темновой ток в цепи эмиттера, протекающий при отсутствии тока в коллекторе при опреде­ленных условиях рабо­ты и в отсутствие пото­ка излучения в диапазо­не спектральной чувст­вительности*

tor

115. Темновой ток эмиттер-кол­лектор фототранзистора

D. Emitter-Kollektor-Dunkel- strom eines Fototransis- tors

Emitter-collector dark cur­rent of a phototransistor

Courant d’obscurite emet- teur-collecteur de photo-