ГОСТ 18986.10-74

МЕЖГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ

ДИОДЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ

МЕТОДЫ ИЗМЕРЕНИЯ ИНДУКТИВНОСТИ

Издание официальное

БЗ 5-99



ИПК ИЗДАТЕЛЬСТВО СТАНДАРТОВ
Москва


У

Группа Э29

ДК 621.382.2.08:006.354

МЕЖГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ

Д

ГОСТ
18986.10-74* *

ИОДЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ

Методы измерения индуктивности

Semiconductor diodes.

Methods for measuring inductance

Постановлением Государственного комитета стандартов Совета Министров СССР от 27 декабря 1974 г. № 2824 дата введения установлена

01.07.76

Ограничение срока действия снято по протоколу № 5—94 Межгосударственного Совета по стандартизации, метрологии и сертификации (ИУС 11-12—94)

Настоящий стандарт распространяется на все типы полупроводниковых диодов в корпусе, у которых индуктивность более 0,1 нГн. Стандарт устанавливает два метода измерения индуктивности диодов:

метод I — для диодов, индуктивность которых 2 нГн и более;

метод II — для диодов, индуктивность которых менее 2 нГн.

Общие условия при измерении должны соответствовать требованиям ГОСТ 18986.0—74, ГОСТ 19656.0—74 и настоящего стандарта.

(Измененная редакция, Изм. № 2).

  1. МЕТОД ИЗМЕРЕНИЯ ИНДУКТИВНОСТИ ДИОДОВ,
    ЗНАЧЕНИЕ КОТОРОЙ 2 нГн И БОЛЕЕ

    1. Принцип, условия и режим измерений

      1. Принцип измерения индуктивности диодов основан на измерении резонансной частоты колебательного контура куметра при подключении к нему измеряемого диода.

      2. Постоянный прямой ток диода, при котором проводят измерение, должен быть таким, чтобы добротность контура с диодом была не менее 40.

      3. Частота измерения, ГГц, должна удовлетворять условию

где £д — значение индуктивности, указанное в стандартах или технических условиях на диоды кон­кретных типов, Гн.

  1. Аппаратура

Измерения проводят на установке, электрическая структурная схема которой указана на черт. 1.



G— блок смещения; РА — миллиамперметр; R1 резистор подачи смещения; — катушка индуктивности, подключаемая

к куметру; Р — куметр; Ско — переменный конденсатор куметра; R2 резистор внутри куметра,на котором создается ЭДС высокой частоты; VD измеряемый диод; КЗ — замыкатель

Черт. 1

  1. Индуктивность контура LK должны выбирать из условия

LK<, 20Z„.

л. Д

  1. Индуктивность замыкателя должны выбирать из условия

Ъкз

Замыкатель рекомендуется изготовлять в виде отрезка плоской широкой шины из металла, хорошо проводящего ток на высокой частоте.

В необходимых случаях требования к конструкции замыкателя должны быть указаны в стан­дартах или технических условиях на диоды конкретных типов.

  1. Сопротивление резистора R1 должно удовлетворять условию

R1 >102л/Гд.

  1. Подготовка и проведение измерений

    1. При измерении индуктивности диодов должна быть определена общая емкость колеба­тельного контура Ск с учетом распределенной емкости катушки индуктивности £к. Общая емкость контура Ск определяется в положении переменного конденсатора С^, соответствующем настройке контура в резонанс на рабочей частоте при замыкании контактов А и Б измерительной схемы замыкателем.

Измерение общей емкости контура Ск должно проводиться в соответствии с документацией на куметр, который применяют для измерения индуктивности диода.

    1. Измеряемый диод включают в контур последовательно с катушкой индуктивности.

    2. Устанавливают через диод постоянный прямой ток.

    3. Настраивают контур в резонанс и отсчитывают значение емкости С'^ .

    4. Вместо измеряемого диода устанавливают замыкатель.

    5. Настраивают контур в резонанс и отсчитывают значение емкости конденсатора куметра.

  1. Обработка результатов

    1. Значение индуктивности диода £д вычисляют по формуле

т _ Qo~ ^кО

а 4якк-(Ск0к0)] ’

где f — частота, на которой проводят измерение, Гн;

Ск, Ско, С ко ~ значения емкостей, Ф.

  1. Показатели точности измерений

г 5 • ПНИ

  1. Погрешность измерения индуктивности должна быть в пределах ± [0,1 + —у—J100 % с

"д доверительной вероятностью 0,99.

Разд. 1. (Измененная редакция, Изм. № 2).

  1. МЕТОД ИЗМЕРЕНИЯ ИНДУКТИВНОСТИ ДИОДОВ,
    ЗНАЧЕНИЕ КОТОРОЙ МЕНЕЕ 2 нГн

    1. Принцип, условия и режим измерений

      1. Принцип измерения индуктивности диода £д основан на изменении положения узла стоячей волны при подключении в линию измеряемого диода.

      2. Измерения проводят при протекании через диод прямого тока, значение которого выбирают таким образом, чтобы коэффициент стоячей волны по напряжению в измерительной линии был не менее 4.

    2. Аппаратура

      1. Измерения проводят на установке, электрическая структурная схема которой указана на черт. 2.


G1 генератор мощности СВЧ; WU— согласующий аттенюатор с ослаблением 20 дБ; С — разделительный конденсатор; РА1 — миллиамперметр; РК— измерительная линия; VD измеряемый диод; U — адаптер; РА2 — микроамперметр; G2 — блок сме­щения


Черт. 2

  1. Частоту измерения должны выбирать из условия где ZB — волновое сопротивление измерительной линии, Ом;

0,04
4


0,25 Аа^кор



/— частота, Гц;

£д — индуктивность, Гн, значение которой указывают в стандартах или технических условиях на диоды конкретных типов;

Ск — емкость корпуса диода.

  1. Конструкция адаптера U, в котором измеряется диод, должна быть приведена в стандар­тах или технических условиях на диоды конкретных типов.

Замыкатель по форме и геометрическим размерам должен совпадать с корпусом диода изме­ряемого типа и изготовлен из металла, хорошо проводящего ток на высокой частоте. В необходимых случаях конструкция замыкателя должна быть указана в стандартах или технических условиях на диоды конкретных типов.

  1. Проведение измерений и обработка результатов

    1. В адаптер Uустанавливают замыкатель и при помощи измерительной линии определяют положение узла стоячей волны I' и длину волны X в измерительной линии.

    2. В адаптер U вместо замыкателя устанавливают измеряемый диод и через него подают прямой ток. Определяют новое положение узла стоячей волны

    3. Значение индуктивности £д' диода рассчитывают по формуле

  2. Показатели точности измерений

г 5 • IO-11"]

  1. Погрешность измерения индуктивности должна быть в пределах ± [_0,1 + ——J • 100 % с доверительной вероятностью 0,99.

Разд. 2. (Измененная редакция, Изм. № 2).

Разд. 3. (Исключен, Изм. № 2)

.Редактор Л.В. Каретникова

Технический редактор Н.С. Гришанова

Корректор М.С. Кабашова

Компьютерная верстка А.Н. Золотаревой

Изд. лиц. № 02354 от 14.07.2000. Сдано в набор 22.06.2000. Подписано в печать 23.08.2000. Усл.печл. 0,93. Уч.-издл. 0,47.

Тираж 120 экз. С 5702. Зак. 750.

ИПК Издательство стандартов, 107076, Москва, Колодезный пер., 14.

Набрано в Издательстве на ПЭВМ
Филиал ИПК Издательство стандартов — тип. “Московский печатник”, 103062, Москва, Лялин пер., 6.
Плр № 080102Издание^официальное Перепечатка воспрещена

* Издание (июль 2000 г.) с Изменениями Na 1, 2, утвержденными в феврале 1979 г., августе 1982 г.

(ИУС 4—79, 12-82)

© Издательство стандартов, 1974 © ИПК Издательство стандартов, 2000