В
3.1.
диодов при при при 3.2.
нутреннее сопротивление и силу тока анода демпферных измеряют:импульсном напряжении анода;
синусоидальном напряжении анода;
постоянном напряжении анода.
Метод измерения внутреннего сопротивления и силы тока анода при импульсном напряжении анода
Аппаратура
Требования к аппаратуре — в соответствии с п. 2.2.1.1.
Функциональная электрическая схема установки для измерения внутреннего сопротивления и силы тока анода при импульсном напряжении анода демпферных диодов должна соответствовать указанной на черт. 4.
Г
Черт. 4
01 —генератор прямоугольных импульсов; G2 —источник постоянного или переменного тока; Pl, Р2—устройства для измерения импульсного напряжения; Ри— вольтметр постоянного или переменного тока; К —резистор; VL —испытуемая лампа
енератор прямоугольных импульсов G1 должен вырабатывать- прямоугольные импульсы напряжения положительной полярности с фиксированной длительностью импульса, находящейся в пределах интервала 0,001—2 мс. Рекомендуемое значение скважности 10.Длительность импульса определяют на уровне 0,5 амплитуды импульса. Длительность фронта должна быть не более 20%, а длительность среза — не более 30% длительности импульса; неравномерность вершины не должна превышать 10%.
Форма и параметры импульса определяются согласно справочным приложениям 1 и 4 ГОСТ 16465—70.
Амплитуда и частота следования импульсов генератора указываются в стандарте или технических условиях на лампы конкретных типов.
Сопротивление резистора R должно удовлетворять условию J?^0,01 где Ri — внутреннее сопротивление демпферного диода.
Допускаемое отклонение сопротивления резистора R не должно выходить за пределы интервала ±1%.
Основная относительная погрешность измерительных устройств Р1 и Р2 не должна выходить за пределы интервала ±6%.
Подготовка и проведение измерения
Подготовка к измерению — по пп. 2.2.2.1 и 2.2.2.2.
По измерительному устройству Р2 производят отсчет значения напряжения.
Обработка результатов измерений
Внутреннее сопротивление Ri вычисляют по формуле
Rt=-^-R, (3)
</2
где Ui — импульсное напряжение анода, измеренное устройством Р1-
Uz — импульсное напряжение на сопротивлении резистора R, измеренное устройством Р2, а силу тока анода /аи по формуле
Л и=-^-. (4)
Если измерительное устройство Р2 отградуировано в единицах тока, внутреннее сопротивление определяют по формуле
Rt= (5>
*а и
ve /аи— импульсная сила тока анода, измеренная устройством Р2.
Показатели точности измерений
Относительная погрешность измерения внутреннего сопротивления и силы тока анода демпферных диодов данным методом не должна выходить за пределы интервала ±20% с доверительной вероятностью 0,95.
Метод измерения внутреннего сопротивления и силы тока анода при синусоидальном напряжении анода
Аппаратура
Требования к аппаратуре — в соответствии с п. 2.2.1.1.
Функциональная электрическая схема установки для измерения внутреннего сопротивления и силы тока анода демпфер-
них диодов при синусоидальном напряжении анода должна соответствовать указанной на черт. 5.
Г
С—конденсатор; G1—генератор синусоидального напряжения; G2—источник постоянного или переменного тока; РА—миллиамперметр постоянного тока;^С7—вольтметр переменного тока;^^2—вольтметр постоянного или переменного тока; ^—испытуемая лампа Черт. 5
енератор синусоидального напряжения G1 должен вырабатывать синусоидальное напряжение частотой 50 Гц с коэффициентом гармоник не более 5%.Внутреннее сопротивление генератора должно быть таким, чтобы при изменении силы тока испытуемой лампы от нуля до наибольшего возможного значения напряжение генератора изменялось не более чем на 1%.
Емкость конденсатора С должна быть 1 ±0,2 мкФ.
Внутреннее сопротивление миллиамперметра постоянного тока РА не должно быть более 0,5 Ом.
Вольтметр переменного тока PU1 должен измерять эффективное значение переменного напряжения.
Подготовка и проведение измерения
Подготовка к измерению — по пп. 2.2.2.1 и 2.2.2.2.
По миллиамперметру постоянного тока РА производят отсчет значения выпрямленного тока /а.
Обработка результатов измерения
Внутреннее сопротивление Ri в Ом определяют по формуле
£
(6)
-0,45-^-,где иЛ— эффективное значение синусоидального напряжения, измеренное вольтметром переменного тока PU1, В;
/а — выпрямленный ток, измеренный миллиамперметром пос-
тоянного тока РА.
Показатели точности измерения
Относительная погрешность измерения — по п. 3.2.4.1.
Метод измерения внутреннего сопротивления и силы тока анода при постоянном напряжении анода
Аппаратура
Требования к аппаратуре —в соответствии с п. 2.2.1.1.
Измерение внутреннего сопротивления и силы тока анода при постоянном напряжении анода — по ГОСТ 19438.10—75.
Метод испытания на электрическую прочность демпферных диодов в импульсном динамическом режиме
Аппаратура
Требования к аппаратуре — в соответствии с п. 2.2.1.1.
Функциональная электрическая схема установки для испытания на электрическую прочность в импульсном динамическом режиме демпферных диодов представлена на черт. 6 (в качестве примера приведена схема с генератором, выполненным по схеме выходного каскада строчной развертки).
генератор импульсного напряжения (С/, С2—конденсаторы; TV— импульсный трансформатор; G2— генератор тока); СЗ—конденсатор; G3—источник постоянного или переменного тока; G4—источник постоянного тока; РА—миллиамперметр постоянного тока; PU1 —вольтметр постоянного или переменного тока; PU2—вольтметр постоянного тока; Р—измерительное устройство;
VL—испытуемая лампа
Черт. 6
Генератор импульсного напряжения G1 должен вырабатывать импульсы напряжения положительной полярности на катоде испытуемой лампы синусоидальной, колоколообразной или экспоненциальной формы с фиксированной частотой, находящейся в пределах интервала 12—20 кГц.
Амплитуда и длительность импульсов устанавливаются в стандарте или технических условиях на лампы конкретных типов.
Требования к конденсатору С1—по п. 2.4.1.8, к конденсатору С2 — по п. 2.4.1.9, к импульсному трансформатору TV — по п. 2.4.1.10.
Генератор тока G2 должен вырабатывать импульсы тока положительной полярности пилообразной формы.Емкость конденсатора СЗ должна быть не менее 10 мкФ.
Основная относительная погрешность измерительного устройства Р должна быть в пределах интервала ±10%.
Подготовка и проведение испытания
Подготовка к испытанию —по пп. 2.2.2.1 и 2.2.2.2.
Контролируют среднее значение силы тока анода по миллиамперметру постоянного тока РА и обратное напряжение по измерительному устройству Р.
Лампу считают выдержавшей испытание, если в течение 2 мин внутри лампы не произошло искрения, наблюдаемого визуально или выявленного с помощью миллиамперметра постоянного тока РА по броскам тока анода.
МЕТОД ИСПЫТАНИЯ ВЫСОКОВОЛЬТНЫХ КЕНОТРОНОВ НА ЭЛЕКТРИЧЕСКУЮ ПРОЧНОСТЬ В ИМПУЛЬСНОМ ВЫПРЯМИТЕЛЬНОМ РЕЖИМЕ
Аппаратура
Требования к аппаратуре — в соответствии с п. 2.2.1.1.
Функциональная электрическая схема установки для испытания на электрическую прочность в импульсном выпрямительном режиме высоковольтных кенотронов должна соответствовать указанной на черт. 7.
Г
Черт. 7
условии выполнения требований
С—конденсатор; 01—генератор отрица
тельных импульсов; 02— источник постоянного или переменного тока; PU — вольтметр постоянного или переменного тока; Р—измерительное устройство; RI, R2 —резисторы; VL —испытуемый кенотрон; РА— миллиамперметр постоянного тока
енератор отрицательных импульсов G1 должен вырабатывать отрицательные импульсы напряжения с формой, близкой к экспоненциальной, с выбросом напряжения положительной полярности не более 20% амплитуды отрицательного импульса.Частота следования отрицательных импульсов должна быть в пределах интервала 12—20 кГц.
Амплитуда и длительность выброса положительной полярности устанавливаются в стандарте или технических условиях на кенотроны конкретных типов.
В качестве генератора импульсов может быть использован блок строчной развертки при п. 4.1.3.
Требования к сопротивлению резисторов R] и R2— по п. 2.4.1.4.
Вместо резистора R2 может быть применен каскад, собранный на электронной лампе. При этом сила тока электронной лампы должна соответствовать выпрямленной силе тока, указанной в стандарте или технических условиях на кенотроны конкретных типов.
Емкость конденсатора С должна быть такой, чтобы амплитуда силы тока кенотрона не превышала значения, указанного в стандарте или технических условиях на кенотроны конкретных типов.
Основная относительная погрешность измерительного устройства Р не должна выходить за пределы интервала ±10%.
Подготовка й проведение испытания
Подготовка к испытанию — по пп. 2.2.2.1 и 2.2.2.2.
Значение обратного напряжения определяют по формуле
^Обр— ^изм+ Е^ВЬ1П> (7)
где t/„3M — напряжение, измеренное измерительным устройством Р;
(/вып—выпрямленное напряжение, определяемое по формуле
^вып = Лып-^2> ’ (8)
где /вып — среднее значение выпрямленного тока, измеренное миллиамперметром постоянного тока РА;
/?2 — сопротивление резистора.
Выпрямленное напряжение может быть измерено прибором, включенным в цепь параллельно нагрузке.
Кенотрон считают выдержавшим испытание, если в течение 2 мин внутри кенотрона не произошло искрения, наблюдаемого визуально или выявленного с помощью миллиамперметра постоянного тока РА по броскам тока анода, и выпрямленный ток находится в пределах значений, указанных в стандарте или технических условиях на кенотроны конкретных типов.
МЕТОДЫ ИСПЫТАНИЙ НА ДОЛГОВЕЧНОСТЬ
Метод испытания на долговечность выходных тетродов и пентодов
Испытание на долговечность выходных тетродов и пентодов проводят в импульсном динамическом режиме.
Аппаратура
Установки для испытания на долговечность должны соответствовать ГОСТ 3839—70.
Функциональная электрическая схема для испытания выходных тетродов на долговечность в импульсном динамическом режиме должна соответствовать указанной на черт. 3.
Требования к аппаратуре — в соответствии с требованиями пп. 2.4.1.3—2.4.1.13.
Подготовка и проведение испытания
После прогрева испытуемой лампы в течение времени не менее времени готовности устанавливают режим испытания.
Режим прогрева, испытания и время готовности указываются в стандарте или технических условиях на лампы конкретных типов.
В процессе испытания контролируют режим лампы по приборам PU1, PU2, PAI, РА2, Р.
Метод испытания на долговечность демпферных диодов
Испытание на долговечность демпферных диодов проводят в импульсном динамическом режиме.
Аппаратура
Функциональная электрическая схема установки для испытания демпферных диодов на долговечность в импульсном динамическом режиме должна соответствовать указанной на черт. 6.
Требования к аппаратуре — в соответствии с требованиями пп. 3.5.1.2—3.5.1.4, 5.1.1.1.
Подготовка и проведение испытания
Подают напряжение накала, указанное в стандарте или технических условиях на лампы конкретных типов.
После прогрева испытуемой лампы устанавливают режим испытания.
Время прогрева и режим испытания указываются в стандарте или технических условиях на лампы конкретных типов.
В процессе испытания контролируют режим лампы по приборам PU1, РА, Р.
Методы испытания на долговечность высоковольтных кенотронов
Испытание на долговечность высоковольтных кенотронов проводят в импульсном выпрямленном режиме.
Аппаратура
Функциональная схема установки для испытания высоковольтных кенотронов на долговечность в импульсном выпрямленном режиме должна соответствовать указанной на черт. 7.
Требования к аппаратуре — в соответствии с требованиями пп. 4.1.2—4.1.8, 5.1.1.1.
Подготовка и проведение испытания
Подают напряжение накала и после прогрева испытуемого кенотрона подают импульсное напряжение от генератора отрицательных импульсов G1.
