---

4. Empfindliches Volumen eines На Ibleiterdetektors

5. Sensitive volume of a semi­conductor detector

6. Volume utile d’un detecteur semi-conducteur

30. Мертвый слой полупроводни­кового детектора ионизирующего излучения

Мертвый слой ППД

4. Verarmungschicht in einem Halbleiterdetector

5. Dead layer of a semi-conduc­tor detector

6. Zone morte d’un detecteur semi-conducteur

30. Входное окно полупроводни­кового детектора непосредственно ионизирующего излучения

Входное окно ППД

4. Fenster einer Halbleiterdetek- tors

5. Window of a semi-conductor detector

6. Fenetre d’un detecteur semi- conducteur

3:2. Диапазон рабочих напряже­ний полупроводникового детекто­ра ионизирующего излучения

Диапазон рабочих напряже­ний ППД

33. Максимально допустимое на­пряжение полупроводникового де­тектора ионизирующего излучения Максимально допустимое на­пряжение ППД

34. Оптимальное напряжение спектрометрического полупровод­никового детектора ионизирующе­го излучения

Оптимальное напряжение спектрометрического ППД

33. Емкость полупроводникового детектора ионизирующего излуче­ния

Емкость ППД

приводит к возникновению сигналов на сигнальных выводах детектора.

Примечание. Для конверторного полупроводникового детектора ионизиру­ющего излучения данное определение от­носится ко вторичному ионизирующему излучению

Часть полупроводникового детектора ио­низирующего излучения, расположенная между наружной поверхностью и чувстви­тельной областью детектора, в пределах которой взаимодействие ионизирующего из­лучения с веществом не приводит к воз­никновению сигналов на сигнальных выво­дах детектора

Часть наружной поверхности полупро­водникового детектора ионизирующего из­лучения, через которую регистрируемое не­посредственно ионизирующее излучение по­падает в чувствительную область детектора

ОСНОВНЫЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДЕТЕКТОРОВ ИОНИЗИРУЮЩЕГО ИЗЛУЧЕНИЯ

Диапазон электрических напряжений, приложенных к сигнальным выводам полу­проводникового .детектора ионизирующего излучения, в котором один или несколько параметров детектора находятся в задан­ных пределах

Наибольшее значение электрического на­пряжения, приложенного к сигнальным вы­водам полупроводникового детектора иони­зирующего излучения, после воздействия которого еще не имеют места необратимые изменения параметров детектора

Электрическое напряжение, приложенное к выводам полупроводникового детектора ионизирующего излучения, при котором дос­тигается наименьшее значение энергетиче­ского разрешения детектора

Электрическая емкость полупроводнико­вого детектора ионизирующего излучения, измеренная между сигнальными выводами детектора

Э

36. Темновой ток полупроводни­кового детектора ионизирующего излучения

Темновой ток ППД

4. Dunkelstrom eines Halbleiter- detektors

5. Dark current of a semi-con­ductor detector

6. Courrant d’obscurite d’un de- tecteur semi-conducteur

37. Шум полупроводникового детектора ионизирующего излуче­ния

Шум ППД

37. Энергетический эквивалент шума полупроводникового детек­тора ионизирующего излучения

Энергетический эквивалент шума ППД

37. Средняя частота следования фоновых импульсов полупровод­никового детектора ионизирующе­го излучения

Средняя частота следования фоновых импульсов ППД

лектрический ток, протекающий через сигнальные выводы полупроводникового де­тектора ионизирующего излучения при от­сутствии падающего на детектор ионизиру­ющего излучения и при отсутствии проник­новения света в чувствительную область детектора

Среднее квадратическое значение флук­туации электрического заряда, возникающе­го на сигнальных выводах полупроводни­кового детектора ионизирующего излучения при отсутствии падающего на детектор ио­низирующего излучения и при отсутствии проникновения света в чувствительную об­ласть детектора

Шум полупроводникового детектора иони­зирующего излучения, выраженный в энер­гетических единицах, то есть умноженный на 2,355 и деленный на коэффициент пре­образования материала детектора

Усредненное во времени число импуль­сов на сигнальных выводах полупроводни­кового детектора ионизирующего излучения, имеющих амплитуду больше заданного зна­чения и не связанных с регистрацией внеш­них ионизирующих излучений

ОСНОВНЫЕ РАДИОМЕТРИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ДЕТЕКТОРА ИОНИЗИРУЮЩЕГО ИЗЛУЧЕНИЯ

О

40. Чувствительность полупро­водникового детектора ионизирую­щего излучения

Чувствительность ППД

4. Empfindlichkeit eines Halblei- terdetektors

5. Sensitivity of a semi-conduc­tor detector

6. Sensibilitte d’un detecteur semi-conducteur

40. Дискретная чувствительность полупроводникового детектора ио­низирующего излучения

Дискретная чувствительность ППД

тношение изменения информативного параметра выходного сигнала полупровод­никового детектора ионизирующего излуче­ния к изменению физической величины, ха­рактеризующей источники или поле иони­зирующего излучения при определенной ориентации детектора в это поле

Чувствительность полупроводникового детектора ионизирующего излучения, у ко­торого информативным параметром выход­ного сигнала является число импульсов, имеющих амплитуду больше определенного значения, а физической величиной, харак­теризующей источники или поле ионизиру­ющего излучения, является перенос частиц или экспозиционная доза фотонного излу­чения за время набора указанных импуль­сов

Ч

42. Аналоговая чувствительность полупроводникового детектора ио­низирующего излучения

Аналоговая чувствительность ппд

42. Чувствительность спектро­метрического полупроводникового детектора ионизирующего излуче­ния

Чувствительность спектро­метрического ппд

42. Абсолютная эффективность спектрометрического полупровод­никового детектора ионизирующе­го излучения

Абсолютная эффективность спектрометрического ППД D. Totalabsorptions-Nachwei- swahrscheinlichkeit

5. Total absorption detection ef- fiency

6. Rendement d’absorption tota- le de detection

42. Энергетическое разрешение спектрометрического полупро­водникового детектора ионизирую­щего излучения на полувысоте распределения

ПШПВ ППД

4. Halbwertbreite eines Halblei- tcrdetektors

5. Full width at half maximum (FWHM) of a semi-conductor de­tector

6. Largeur a mit-hauteur (LMH) d’un detecteur semi-conducteur

42. Энергетическое разрешение спектрометрического полупровод­никового детектора ионизирующе­го излучения на одной десятой высоты распределения

ПШДВ ППД

увствительность полупроводникового де­тектора ионизирующего излучения, у кото­рого информативным параметром выходно­го сигнала является электрический ток или заряд, а физической величиной, харак­теризующей источники или поле ионизирую­щего излучения, является физическая ве­личина, характеризующая плотность пото­ка или перенос энергии

Чувствительность полупроводникового детектора, у которого информативным па­раметром выходного сигнала является чис­ло импульсов в пике полного поглощения, а физической величиной, характеризующей источники или поле ионизирующего излу­чения, является перенос ионизирующих час­тиц данной энергии за время набора ука­занных импульсов

Отношение числа импульсов, возникаю­щих на сигнальных выводах полупроводни­кового детектора ионизирующего излучения в пике полного поглощения, за вычетом фоновых импульсов, к количеству ионизи­рующих частиц, испускаемых точечным ис­точником, установленным па определенном расстоянии от детектора, в угле 4л

Выраженная в энергетических единицах ширина распределения амплитуд им­пульсов выходного сигнала полупровод­никового детектора ионизирующего излуче­ния, измеренная на полувысоте этого рас­пределения, соответствующего полному по­глощению регистрируемого моноэнергети- ческого излучения в чувствительной обла­сти детектора

Выраженная в энергетических единицах ширина распределения амплитуд импульсов выходного сигнала полупроводникового де­тектора ионизирующего излучения, измерен­ная на одной десятой высоты этого распре­деления, соответствующего полному погло­щению регистрируемого моноэнергетическо- го излучения в чувствительной области де­тектора

Термин

47. Относительное энергетическое разрешение спектрометрического полупроводникового детектора ио­низирующего излучения

Относительное энергетическое разрешение спектрометрическо­го ппд

47. Отношение пик-комптон спектрометрического полупровод­никового детектора фотонного из­лучения

Отношение пик-комптон ППД

47. Временное разрешение полу­проводникового детектора ионизи­рующего излучения

Временное разрешение ППД

47. Время нарастания импульса заряда или напряжения выходно­го сигнала полупроводникового де­тектора ионизирующего излучения

Время нарастания импульса заряда или напряжения выход­ного сигнала ппд

4. Ansiiegzeit eines Halbleiter- detektors

5. Rise time of a semi-conductor detector

6. Temps de montee d'un de- tecteur semi-conducteur

47. Радиационная помехоустой­чивость полупроводникового детек­тора ионизирующего излучения

Радиационная помехоустой­чивость ППД

О. Selektivitat eines Halbleiter- de( ektors

5. Selectivity of a semi-conductor defector

6. Selectivite d’un detecteur se­mi-conducteur

47. Энергетический эквивалент толщины мертвого слоя полупро­водникового детектора ионизи­рующего излучения

Энергетический эквивалент толщины мертвого слоя ППД

Определение

Отношение энергетического разрешения спектрометрического полупроводникового детектора ионизирующего излучения на по­лувысоте распределения к значению энер­гии, соответствующему максимуму пика распределения амплитуд выходного сигнала детектора, по которому определено эго от­ношение

Отношение числа отсчетов в максимуме пика полного поглощения распределения амплитуд импульсов выходного сигнала по­лупроводникового детектора ионизирующе­го излучения к усредненному числу отсче­тов, соответствующих плато комптоновско­го распределения данной энергии

Ширина распределения интервалов вре­мени от момента попадания ионизирующей частоты в чувствительную область полу­проводникового детектора ионизирующего излучения до момента, когда амплитуда импульса выходного сигнала детектора дос­тигает заданного значения, измеренная на полувысоте этого распределения

Интервал времени, в течение которого импульс заряда или напряжения выходного сигнала полупроводникового детектора ио­низирующего излучения изменяется от Ю до 90% от его максимального значения

Отношение эффективности или чувстви­тельности полупроводникового детектора при регистрации ионизирующего излучения, для определения характеристик которого он предназначен, к эффективности или чув­ствительности детектора при регистрации сопутствующего излучения

Потери энергии ионизирующего излуче­ния определенного типа и энергии в мерт­вом слое полупроводникового детектора при нормальном падении ионизирующего излу­чения на входное окно детектор

а

О

Термин

53 Эффективность собирания за­ряда полупроводникового детекто­ра ионизирующего излучения

Эффективность собирания за­ряда ППД

пределение

Отношение заряда, возникающего на сиг­нальных выводах полупроводникового де­ток гора к заряду, создаваемому ионизирую­щей частицей в чувствительной области де­тектора.

Примечание. Термин не распрост­раняется на усиливающие полупроводни­ковые детекторы ионизирующего излуче­ния

АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА РУССКОМ ЯЗЫКЕ

Время нарастания импульса заряда или напряжения выходного сиг­нала полупроводникового детектора ионизирующего излучения

Время нарастания импульса заряда или напряжения выходного сиг­нала ППД

Детектор ионизирующего излучения полупроводниковый

Детектор ионизирующего излучения полупроводниковый аналоговый

Детектор ионизирующего излучения полупроводниковый временной

Детектор ионизирующего излучения полупроводниковый диффузионный Детектор ионизирующего излучения полупроводниковый дрейфовый Детектор ионизирующего излучения полупроводниковый диффузионно­дрейфовый

Детектор ионизирующего излучения полупроводниковый из особо ЧИС­ТОГО германия

Детектор ионизирующего излучения полупроводниковый импульсный

Детектор ионизирующего излучения полупроводниковый импульсный

непропорциональный

Детектор ионизирующего излучения полупроводниковый импульсный

пропорциональный

Детектор ионизирующего излучения полупроводниковый коаксиальный

Детектор ионизирующего излучения полупроводниковый конверторный Детектор ионизирующего излучения полупроводниковый мозаичный Детектор ионизирующего излучения полупроводниковый монолитный Детектор ионизирующего излучения полупроводниковый однородный Детектор ионизирующего излучения полупроводниковый планарный Детектор ионизирующего излучения полупроводниковый поверхност­но-барьерный

Детектор ионизирующего излучения полупроводниковый позиционный Детектор ионизирующего излучения полупроводниковый пролетный Детектор ионизирующего излучения полупроводниковый радиационный Детектор ионизирующего излучения полупроводниковый составной Детектор ионизирующего излучения полупроводниковый с р—и струк­турой