---

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ
СОЮЗА ССР

ДЕТЕКТОРЫ ИОНИЗИРУЮЩИХ
ИЗЛУЧЕНИЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ

ТЕРМИНЫ И ОПРЕДЕЛЕНИЯ

ГОСТ 18177-81

Издание официальное

Цена S коп.

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР ПО СТАНДАРТАМ
Москва

Ф. АТОМНАЯ ТЕХНИКА

Группа Ф00’

к ГОСТ 18177—81 Детекторы ионизирующих излучений полупроводниковые. Термины и определения

(ИУС № 6 1983 г.)

73У

Группа Ф00

ДК 001.4:539.1.07.55:006.354

Г

ГОСТ
18177-81

Взамен
ГОСТ 18177—72

ОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮЗА ССР

ДЕТЕКТОРЫ ИОНИЗИРУЮЩИХ ИЗЛУЧЕНИЙ
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ

Термины и определения

Semiconductor detectors of ionizing radiation.

Terms and definitions

Постановлением Государственного комитета СССР по стандартам от 30 сентября 1981 г. № 4455 срок введения установлен

с 01.01. 1983 г.

Настоящий стандарт устанавливает применяемые в науке, тех­нике и производстве основные понятия полупроводниковых детек­торов ионизирующих излучений.

Термины, установленные стандартом, обязательны для приме­нения в документации всех видов, научно-технической, учебной и справочной литературе.

Для каждого понятия установлен один стандартизованный тер­мин. Применение терминов—синонимов стандартизованного тер­мина запрещается.

Для отдельных стандартизованных терминов в стандарте при­ведены в качестве справочных их краткие формы, которые разре­шается применять в случаях, исключающих возможность их раз­личного толкования. Установленные определения можно, при необ­ходимости, изменять по форме изложения, не допуская нарушения границ понятий.

В стандарте в качестве справочных приведены иностранные эк­виваленты стандартизованных терминов на немецком (D), англий­ском (Е) и французском (F) языках.

В стандарте приведены алфавитные указатели содержащихся в нем терминов на русском языке и их иностранных эквивалентов.

В стандарте имеется справочное приложение, содержащее об­щие понятия, используемые в полупроводниковых детекторах ио­низирующих излучений.

Стандартизованные термины набраны полужирным шрифтом, их краткая форма — светлым.

П

Издание официальное

ерепечатка воспрещена

© Издательство стандартов, 1982 г.

По ГОСТ 14105—76

Полупроводниковый детектор ионизирую­щего излучения, у которого выходным сиг­налом является совокупность электрических импульсов, причем каждой ионизирующей частице, провзаимодействовавшей с мате­риалом чувствительной области детектора, соответствует один импульс выходного сиг­нала

Импульсный полупроводниковый детектор ионизирующего излучения, в котором амп­литуда импульса выходного сигнала про­порциональна энергии ионизирующей час­тицы, поглощенной в его чувствительной области

Импульсный полупроводниковый детектор ионизирующего излучения, в котором амп­литуда импульса выходного сигнала непро­порциональна энергии ионизирующей час­тицы, поглощенной в его чувствительной области

Полупроводниковый детектор ионизирую­щего излучения, у которого выходным сиг­налом является электрический ток или за­ряд, причем указанные физические величи­ны являются монотонной непрерывной функцией характеристик поля ионизирую­щего излучения, в котором находится де­тектор

ВИДЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДЕТЕКТОРОВ
ИОНИЗИРУЮЩИХ ИЗЛУЧЕНИЙ

1. Полупроводниковый детектор ионизирующего излучения

ппд

4. і laIbleiterdetektor

5. Semiconductor detector

6. Detecteur semi-conducteur

2. Импульсный полупроводнико­вый детектор ионизирующего из­лучения

Импульсный ППД

4. Impulshalbieiterdetektor

5. Pulse semiconductor detector

6. Detecteur semi-conducteur a impulsions

3. Пропорциональный импульс­ный полупроводниковый детектор ионизирующего излучения

Пропорциональный импульс­ный ппд

4. Linearer Impulshalbieiterde­tektor

5. Linear pulse semiconductor detector

6. Detecteur semi-conducteur a impulsions, lineaire

4. Непропорциональный импульс­ный полупроводниковый детектор ионизирующего излучения

Непропорциональный им­

пульсный ппд

4. Nichtlinearer Impulshalbiei­terdetektor

5. Non-linear pulse semiconduc­tor detector

6. Detecteur semi-conducteur a impulsions, non lineaire

5. Аналоговый полупроводнико­вый детектор ионизирующего из­лучения

Аналоговый ППД

4. Analoger Halbleiterdetektor

5. Analogue semiconductor de­tector

6. Detecteur semi-conducteur analogique

А

6. Токовый полупроводниковый детектор ионизирующего излуче­ния

Токовый ППД

4. Strom-Haibleiterdetektor

5. Current semiconductor detec­tor

6. Detecteur semi-conducteur a conrant

7. Спектрометрический полупро­водниковый детектор ионизирую­щего излучения

Спектрометрический ППД

7. Счетный полупроводниковый детектор ионизирующего излуче­ния '...'id

Счетный ППД

7. Временной полупроводнико­вый детектор ионизирующего из­лучения

Временной ППД

7. Пролетный полупроводни ковый детектор ионизирующего из­лучения

Пролетный ППД

4. Durchschuss-Halbleiterdetektor

5. Transmission semiconductor detector

6. Dctecteur semi-conducteur a transmission

11. Позиционный полупроводни­ковый детектор ионизирующего из­лучения

Позиционный ППД

11. Полупроводниковый детек­тор ионизирующего излучения с р— п структурой

ППД с р—п структурой

11. Полупроводниковый детек­тор ионизирующего излучения с р—i—n структурой

ППД с р— і—п структурой

налоговый полупроводниковый детектор ионизирующего излучения, применяемый при измерении или регистрации физической величины, характеризующей плотность по­тока или перенос энергии ионизирующего излучения

Пропорциональный импульсный полупро­водниковый детектор ионизирующего излу­чения, 'применяемый при измерении энер­гии ионизирующих частиц или энергетиче­ского распределения ионизирующего излу­чения

Импульсный полупроводниковый детектор ионизирующего излучения, применяемый при измерении потока, плотности потока или переноса ионизирующих частиц, мощ­ности экспозиционной дозы или экспозици­онной дозы фотонного излучения

Полупроводниковый детектор ионизирую­щего излучения, применяемый при опре­делении моментов взаимодействия ионизи­рующих частиц с веществом чувствитель­ной области детектора

Импульсный полупроводниковый детек­тор ионизирующего излучения, применяе­мый при измерении удельных потерь энер гии заряженных частиц в веществе чувст­вительной области детектора

Импульсный полупроводниковый детектор ионизирующего излучения, применяемый при определении координат места регист­рации заряженной частицы в чувствитель­ной области детектора

Полупроводниковый детектор ионизирую­щего излучения, чувствительной областью которого является обедненный слой р—п пе­рехода

Полупроводниковый детектор ионизирую­щего излучения, чувствительной областью которого является /-область р—і—п струк­тур ы

П

14. Поверхностно-барьерный по­лупроводниковый детектор иони­зирующего излучения

Поверхностно-барьерный

ППД

4. Oberflachensperrschichtdetek- tor

5. Surface-barrier semi-conduc­tor detector

6. Detecteur semi-conducteur a barriere de surface

15. Однородный полупроводни­ковый детектор ионизирующего из­лучения

Однородный ППД

15. Полупроводниковый детек­тор ионизирующего излучения с поверхностным барьером

ППД с поверхностным барье­ром

15. Усиливающий полупроводни­ковый детектор ионизирующего излучения

Усиливающий ППД

О. Halbleiterdetektor mit innerer Vcrstarkung

5. Amplifying semiconductor de­fector

6. Detecteur semi-conducteur a amplification interne

15. Полупроводниковый детек­тор ионизирующего излучения из особо чистого германия

ППД ОЧ Г

15. Диффузионный полупровод­никовый детектор ионизирующего излучения

Диффузионный ППД

4. Ilalbleiterdetektor mit diffun- dierter Sperrschicht

5. Diffused junction semiconduc­tor detector

6. Detecteur semi-conducteur a jonction diffusce

' 20. Дрейфовый полупроводнико­вый детектор ионизирующего из­лучения

Дрейфовый ППД

олупроводниковый детектор ионизирую­щего излучения, чувствительной областью которого является обедненный слой перехо­да Шоттки

Полупроводниковый детектор ионизирую­щего излучения, содержащий омические пе­реходы, чувствительной областью которого является однородный по типу электропро­водности полупроводниковый материал

Полупроводниковый детектор ионизирую­щего излучения, содержащий переход Шот­тки

Полупроводниковый детектор ионизирую­щего излучения, в котором происходит раз­множение зарядов, образованных ионизи­рующей частицей в чувствительной области детектора

Полупроводниковый детектор ионизирую­щего излучения, чувствительная область ко­торого создается из особо чистого герма­ния с концентрацией атомов электрически ак­тивных примесей не более ЗДО¹⁰ см ³

Полупроводниковый детектор ионизирую­щего излучения, структура которого созда­ется в результате диффузии легирующих примесей в полупроводниковый материал

Полупроводниковый детектор ионизирую­щего излучения, чувствительная область которого создается в результате дрейфа ионов легирующей примеси в полупровод­никовый материал.

П

21. Диффузионно-дрейфовый по­лупроводниковый детектор иони­зирующего излучения

Диффузионно-дрейфовый ппд

21. Радиационный полупроводни­ковый детектор ионизирующего излучения

Радиационный ППД

21. Планарный полупроводнико­вый детектор ионизирующего из­лучения

Планарный ППД

21. Коаксиальный полупровод­никовый детектор ионизирующего излучения

Коаксиальный ППД

21. Составной полупроводнико­вый детектор ионизирующего из­лучения

Составной ППД

21. Мозаичный полупроводнико­вый детектор ионизирующего из­лучения

Мозаичный ППД

21. Монолитный полупроводни­ковый детектор ионизирующего из­лучения

Монолитный ППД

21. Конверторный полупровод­никовый детектор ионизирующего излучения

Конверторный ППД

римечание. Дрейфовый полупро­водниковый детектор ионизирующего из­лучения, в котором происходит дрейф ионов лития, называется литий-дрейфо- вым

Дрейфовый полупроводниковый детектор ионизирующего излучения, в полупроводни­ковый материал которого легирующая при­месь введена в результате диффузии

Полупроводниковый детектор ионизирую­щего излучения, чувствительная область ко­торого создается в результате технологиче­ской обработки полупроводникового мате­риала ионизирующим излучением

Полупроводниковый детектор ионизирую­щего излучения, чувствительная область ко­торого представляет собой слой, ограничен­ный параллельными плоскостями

Полупроводниковый детектор ионизирую­щего излучения, чувствительная область которого расположена вокруг его централь­ной оси

Полупроводниковый детектор ионизирую­щего излучения, в котором в единую кон­струкцию объединены несколько полупро­водниковых детекторов ионизирующего из­лучения

Составной полупроводниковый детектор ионизирующего излучения, чувствительная область которого составлена из чувстви­тельных областей отдельных полупровод­никовых детекторов ионизирующего излу­чения

Полупроводниковый детектор ионизирую­щего излучения, конструктивно-технологиче­ское исполнение которого обеспечивает от­сутствие внутренних пустот

Полупроводниковый детектор ионизиру­ющего излучения, конструктивные элемен­ты которого содержат вещества, преобра­зующие первичное излучение так, что ре­гистрация этого излучения проводится с большей эффективностью

ОСНОВНЫЕ КОНСТРУКТИВНЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДЕТЕКТОРОВ ИОНИЗИРУЮЩИХ ИЗЛУЧЕНИЙ29. Чувствительная область по­лупроводникового детектора иони­зирующего излучения

Часть объема полупроводникового детек­тора ионизирующего излучения, в пределах которой взаимодействие ионизирующего из-

Чувствительная область ППД лучения с полупроводниковым материалом