---

Детектор ионизирующего излучения полупроводниковый с р—і—п структурой

Детектор ионизирующего излучения полупроводниковый спектрометри­ческий

Детектор ионизирующего излучения полупроводниковый с поверхно­стным барьером

Детектор ионизирующего излучения полупроводниковый счетный

Д

50

50

1

9

19

20

21

18

2

4

3

24

28

26

27

15

23

14

11

10

22

25

12

13

7

16

8

6

етектор ионизирующего излучения полупроводниковый токовый

Детектор ионизирующего излучения полупроводниковый усиливающий і 7

Диапазон рабочих напряжений полупроводникового детектора иони­зирующего излучения 32

Диапазон рабочих напряжений ППД * 32

Емкость полупроводникового детектора ионизирующего излучения 35

Емкость ППД 35

Напряжение полупроводникового детектора ионизирующего излуче­ния максимально допустимое 33

Напряжение ППД максимально допустимое 33

Напряжение спектрометрического полупроводникового детектора ио­низирующего излучения оптимальное 34

Напряжение спектрометрического ППД оптимальное 34

Область полупроводникового детектора ионизирующего излучения чув­ствительная 29

Область ППД чувствительная 29

Окно полупроводникового детектора непосредственно ионизирующего излучения входное 31

Окно ППД входное 31

Отношение пик-комптон спектрометрического полупроводникового де­тектора ионизирующего излучения 48

Отношение пик-комптон ППД 48

Помехоустойчивость полупроводникового детектора ионизирующего излучения радиационная 51

Помехоустойчивость ППД радиационная 51

ППД 1

ППД аналоговый ■>

Г1ПД временной 9

ППД диффузионный і 9

ППД диффузионно-дрейфовый 21

ППД дрейфовый 20

ППД ОЧГ 18

ППД импульсный 2

ППД импульсный непропорциональный 4

ППД импульсный пропорциоиа,чышй 3

ППД коаксиальный , 24

ППД конверторный 28

ППД мозаичный 26

ППД монолитный 27

ППД однородный 15

ППД ОЧГ 18

ППД планарный 23

ППД поверхностно-барьерный 14

ГШД позиционный 11

ППД пролетный 10

ППД радиационный 22

ППД составной 25

ІІПД с р—п структурой 12

ППД с р— і— п структурой 13

ППД спектрометрический 7

ППД с поверхностным барьером 16

ППД счетный Ь

ППД токовый 6

ГШД усиливающий 17

ПШДВ ППД 46

ПШПВ ППД 45

Разрешение полупроводникового детектора ионизирующего излучения временное 49

Разрешение ППД временное 49

Разрешение спектрометрического полупроводникового детектора иони­зирующего излучения энергетическое на одной десятой высоты распре­деления 46

Разрешение спектрометрического полупроводникового детектора иони­зирующего излучения энергетическое на полувысоте распределения 45

Разрешение спектрометрического полупроводникового детектора иони­зирующего излучения энергетическое относительное 47

Разрешение спектрометрического ППД энергетическое относительное 47

Слой полупроводникового детектора ионизирующего излучения мерт­вый 30

Слой ППД мертвый 30

Ток полупроводникового детектора ионизирующего излучения темновой 36

Ток ППД темновой 36

Частота следования фоновых импульсов полупроводникового детектора ионизирующего излучения средняя 39

Частота следования фоновых импульсов ППД средняя 39

Чувствительность полупроводникового детектора ионизирующего из­лучения 40

Чувствительность ППД 40

Чувствительность полупроводникового детектора ионизирующего из­лучения аналоговая 42

Чувствительность ППД аналоговая 42

Чувствительность полупроводникового детектора ионизирующего из­лучения дискретная 41

Чувствительность ППД дискретная 41

Чувствительность спектрометрического полупроводникового детектора ионизирующего излучения 43

Чувствительность спектрометрического ППД 43

Шум полупроводникового детектора ионизирующего излучения 37

Шум ППД 37

Эквивалент толщины мертвого слоя полупроводникового детектора ионизирующего излучения энергетический 52

Эквивалент толщины мертвого слоя ППД энергетический 52

Эквивалент шума полупроводникового детектора ионизирующего из­лучения энергетический 38

Эквивалент шума ППД энергетический 38

Эффективность собирания заряда полупроводникового детектора иони­зирующего излучения 53

Эффективность собирания заряда ППД 53

Эффективность спектрометрического полупроводникового детектора ионизирующего излучения абсолютная 44

Эффективность спектрометрического ППД абсолютная 4д

АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА НЕМЕЦКОМ ЯЗЫКЕ

Analogcr Halbleiterdetektor 5

Anstiegzeit cities I laIbleiterdetektors 50

Diinkelstrom cines Halbleiterdetektors 36

Durchschuss-1 lalblcitcrdetektor 10

I'mpfindlichkeit eines Halbleiterdetektors 40

Empfindliches Volumen eines Halbleiterdetektors 29

Fenster ciner Halbleiterdetektors 31

Halbleiterdetektor 1

Halbleiterdetektor mit diffundierler Sperrschichl 19

Halbleitcrdetector mit imierer Verstiirkung 17

Halbwertbreite eines Halbleiterdetektors 45

Impulshalbleiterdetektor 2

Linearer Impulshalbleiterdetektor 3

Nichtlinearer Impulshalbleiterdetektor 4

Oberflachensperrschichtdetektor ' 14

Selektivitat eines Halbleiterdetektors 51

Strom-Halbleiterdetektor 6

Totalabsorptions-Nachweiswahrscheinlichkeit 44

Verarmungschicht in eines Halbleiterdetektor 30

АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА АНГЛИЙСКОМ ЯЗЫКЕ

Amplifying semiconductor detector 17

Analougue semiconductor detector 5

Current semiconductor detector 6

Dark current of a semiconductor detector 36

Dead layer of a semiconductor detector 30

Diffused junction semiconductor detector 19

Full width at half maximum (FWHM) of a semiconductor detector 45

Linear pulse semiconductor detector 3

Non-linear pulse semiconductor detector 4

Pulse semiconductor detector 2

Rise time of a semiconductor detector 50

Selectivity of a semiconductor detector 51

Semiconductor detector 1

Sensitive volume of a semiconductor detector 29

Sensitivity of a semiconductor detector 40

Surface-barrier semiconductor detector 14

Transmission semiconductor detector 10

Total absorption detection effiency 44

Window of a semiconductor detector 31

АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА ФРАНЦУЗСКОМ ЯЗЫКЕ

, Courrant d’ebscurite d’un detecteur semi-sonducteur 36

’ Detecteur semi-conducteur 1

Detecteur semi-conducteur a amplification interne 17

Detecteur semi-conducteur a barriere de surface 14

Detecteur semi-conducteur a courant 6

Detecteur semi-conducteur a impulsions 2

Detecteur semi-conducteur a impulsions, lineaire 3

Detecteur semi-conducteur a impulsions, non lineaire 4

Detecteur semi-conducteur a jonction diffusee 19

Detecteur semi-conducteur analogique 5

Detecteur semi-conducteur a transmission 10

Fenetre d’un detecteur semi-conducteur 31

Largeur a mit-hauteur (LMN) d’un. detecteur semi-conducteur 45

Rendement d’absorption totale de detection 44

Selectivity d’un detecteur semi-conducteur 51

Sensibilitte d’un detecteur semi-conducteur 40

Temps de montee d’un detecteur semi-conducteur 50

Volume utile d’un detecteur semi-conducteur 29

Zone morte d’un detecteur semi-conducteur 30

ПРИЛОЖЕНИЕ Справочное

ОБЩИЕ ПОНЯТИЯ, ИСПОЛЬЗУЕМЫЕ В ОБЛАСТИ
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДЕТЕКТОРОВ ИОНИЗИРУЮЩИХ ИЗЛУЧЕНИЙ

О

Термин

1. Контрольный параметр полу­проводникового детектора ионизи­рующего излучения

Контрольный параметр ППД

2. Справочный параметр полу­проводникового детектора ио­низирующего излучения

Справочный параметр ППД

3. Радиометрический параметр полупроводникового детектора ио­низирующего излучения

Радиометрический параметр ППД

4. Электрический параметр полу­проводникового детектора иони­зирующего излучения

Электрический параметр

ППД

5. Номинальная характеристика преобразования полупроводниково­го детектора ионизирующего из­лучения

Номинальная характеристика преобразования ППД

6. Спектральная характеристика полупроводникового детектора ио­низирующего излучения

Спектральная характеристика

ППД

7. Радиационная стойкость по­лупроводникового детектора иони­зирующего излучения

Радиационная стойкость

ППД

пределение

Параметр полупроводникового детектора ионизирующего излучения, необходимый и достаточный для достоверного контроля качества изготовления детектора

Параметр полупроводникового детектора ионизирующего излучения, необходимый потребителю для расчетов электронной ре­гистрирующей аппаратуры, который приво­дится в технических условиях, обеспечи­вается конструкцией и технологией из­готовления детектора и гарантируется изго­товителем на основании измерений или рас­четов

Параметр полупроводникового детектора ионизирующего излучения, прямое измере­ние которого производится в поле ионизи­рующего излучения

Параметр полупроводникового детектора ионизирующего излучения, прямое измере­ние которого производится в отсутствии поля ионизирующего излучения

Номинально приписываемая полупровод­никовому детектору ионизирующего излу­чения зависимость информативного пара­метра его выходного сигнала от значения физической величины, характеризующей ис­точники или поле ионизирующих излуче­ний, в котором находится детектор

Зависимость чувствительности полупро­водникового детектора ионизирующего из­лучения от энергии ионизирующих частиц падающего на детектор моноэнергетическо- го излучения

Свойство полупроводникового детектора ионизирующего излучения сохранять свои параметры в пределах установленных норм после воздействия ионизирующего излуче­ния, для регистрации которого детектор не предназначен

О

Термин

8. Предельно допустимое облу­чение полупроводникового детекто­ра ионизирующего излучения

Предельно допустимое облу­чение ппд

8. Сигнальный вывод полупро­водникового детектора ионизирую­щего излучения

Сигнальный вывод ППД

8. Коэффициент преобразова­ния материала полупроводниково­го детектора ионизирующего из­лучения

Коэффициент преобразования материала ППД

пределение

Максимальная плотность потока ионизи­рующих частиц или мощность экспозицион­ной дозы фотонного излучения, при кото­рых параметры полупроводникового детек­тора ионизирующего излучения сохраняют­ся в пределах, установленных в технической документации на конкретный тип детектора

Вывод полупроводникового детектора ио­низирующего излучения, электрически свя­занный с его чувствительной областью

Физическая постоянная, численно равная отношению заряда, создаваемого в опре­деленном объеме полупроводникового ма­териала полупроводникового детектора ио­низирующего излучения ионизирующей час­тицей, к энергии, теряемой частицей в этом объеме.

Примечание. Для германия коэф­фициент преобразования принят равным 0,37 Кл/Дж (59 аКл/кэВ), для крем­ния— 0,22 Кл/Дж (45 еКл/кэВ)Ф. АТОМНАЯ ТЕХНИКА

Группа Ф00

Изменение № 1 ГОСТ 18177—81 Детекторы ионизирующих излучений полупро­водниковые. Термины и определения

Утверждено и введено в действие Постановлением Государственного комитета СССР по стандартам от 06.07.87 № 3036

Дата введения 01,01.88

Под наименованием стандарта проставить код: ОКСТУ 4364.

Вводную часть изложить в новой редакции: «Настоящий стандарт устанав- лиьает термины и определения понятий в области полупроводниковых детекто­ры; ионизирующих излучений.

Термины, установленные настоящим стандартом, обязательны для примене­ния во всех видах документации и литературы, входящих в сферу действия стан­дартизации или использующих результаты этой деятельности.

1. Стандартизованные термины с определениями приведены в табл. 1.

2. Для каждого понятия установлен один стандартизованный термин.

Применение терминов-синонимов стандартизованного термина не допуска-

1. 1. Для отдельных стандартизованных терминов в табл. 1 приведены в ка­честве справочных краткие формы, которые разрешается применять в случаях, исключающих возможность их различного толкования.

   2. Приведенные определения можно при необходимости изменять, вводя в ни < производные признаки, раскрывая значения используемых в них терминов, указывая объекты, входящие в объем определяемого понятия. Изменения не долж­ны нарушать объем и содержание понятий, определенных в данном стандарте.

   3. В табл. 1 в качестве справочных приведены иноязычные эквиваленты для ряди стандартизованных терминов па немецком (D), английском (Е) и француз­ском (F) языках.

2. Алфавитные указатели содержащихся в стандарте терминов па русском з з .ке и их иноязычных эквивалентов приведены в табл. 2—5.

3. Термины и определения общих понятий, используемых в области полупро­водниковых детекторов ионизирующих излучений приведены в справочном при­зи НИИ.

4. Стандартизованные термины набраны полужирным шрифтом, их краткая ф< ' ма — светлым, а недопустимые синонимы --- курсивом.

Таблицу дополнить номером — 1.Таблица 1. Иноязычные эквиваленты для пп. 30, 36, 45 и 50 изложить в но­вой редакции:

«30^і. D. Unempfindliche Schicht eines Halbleiterdetektors

5. Total detector dead layer of a semiconductor detector

6. Zone morte totale d’un detecteur semi-conducteur

36. E. Leakage current of a semiconductor detector

F. Courant de fuite d’un detecteur semi-conducteur

45. E. Energy resolution (FWHM) of a semiconductor detector

F. Resolution en energie (LMH) d’un detecteur semi-conducteur

50. E. Semiconductor detector electrical rise time

F. Tempo de montee electrique d’un detecteur semi-conducteur».

Графа «Определение». Для термина 44 заменить слово: «количеству» на «числу»;