1 — измеритель напряжения; 2 — источник питания; 3 — генератор сигналов; 4 — источник питания; 5 — источник питания; 6 — микросхема;
7 — измеритель постоянного напряжения; 8 — измеритель переменного напряжения
Черт. 6
Основные элементы, входящие в структурную схему, должны удовлетворять следующим требованиям
R, = ^<0,01^; R3= /?4>>*2-
На микросхему подают (7сфвх с параметрами, указанными в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов, и измеряют его напряжение измерителем напряжения.
Методы 157 0—1 5 9 0. (Измененная редакция, Изм. № 2).
Метод 160 0. Измерение максимального синфазного входного напряжения (Ц.фвхтах) для микросхем с двумя входами.
Для измерения максимального синфазного входного напряжения С/ф вх измеряют коэффициент ослабления синфазных входных напряжений Кжсф (методы 6550 и 6551). Измеряя Кжсф, плавно увеличивают напряжение входного синфазного сигнала до значения, при котором Коссф уменьшится на 6 дБ, при этом регистрируют постоянное напряжение входного синфазного сигнала или амплитуду синусоидального входного синфазного сигнала (при измерении на переменном токе), которые равны U.
сф.вх.тах
Метод 1610. Измерение выходного напряжения (С^вых).
Для измерения t/Bbix на выводах микросхемы устанавливают режим, указанный в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов.Измерение £/ых проводят измерителем напряжения, подключаемым к выходу микросхемы.
Метод 162 0. Измерение максимального выходного напряжения (UBmmax) для микросхем с одним входом.
Измерение Цыхтах проводят согласно структурной схеме, приведенной на черт. 1. На микросхему подают входное напряжение с параметрами, указанными в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов. Увеличивают напряжение входного сигнала до такого значения, при котором параметры микросхемы примут значения, указанные в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов, при этом измеряют измерителем напряжения на выходе микросхемы U вых.max
Метод 1621. Измерение максимального выходного напряжения (Нвыхт!№) для микросхем с двумя входами на переменном токе.
Измерение t/BMxmax проводят согласно структурной схеме, приведенной на черт. 2. Требования к элементам схемы аналогичны изложенным в методе 1511.
Сигнал генератора 1 на заданной частоте устанавливают на уровне, обеспечивающем значение напряжения на входе (выходе) испытуемой микросхемы, указанное в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов. Измеряют максимальное выходное напряжение Ц,ыхтах измерителем 5.
Методы 161 0—1 6 2 1. (Измененная редакция, Изм. № 2).
Метод 162 2. Измерение максимального выходного напряжения (С/ых для микросхем с
двумя входами на постоянном токе.
Измерение U v на постоянном токе проводят согласно структурной схеме, приведенной на ґ вых.max
черт. 2а.
На источнике 1 устанавливают напряжение U, указанное в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов. Значение Ц,ыхтах измеряют измерителем 5.
(Введен дополнительно, Изм. № 2).
Метод 163 0. Измерение минимального ВЫХОДНОГО напряжения (^ыхти? ДИН микросхем с одним входом.
Измерение U проводят согласно структурной схеме, приведенной на черт. 1. На микросхему подают входное напряжение с параметрами, указанными в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов.
Уменьшают напряжение входного сигнала до такого значения, при котором параметры микросхемы примут значения, указанные в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных ТИПОВ, при ЭТОМ измерителем напряжения на выходе микросхемы измеряют
Метод 1631. Измерение минимального выходного напряжения (1/выхmjn) для микросхем с двумя входами.
Измерение 17выхтіп проводят согласно структурной схеме, приведенной на черт. 2. Основные элементы, входящие в структурную схему, должны удовлетворять требованиям, указанным в методе 1511.
Микросхему балансируют (при необходимости) с точностью, указанной в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов. На микросхему подают входное напряжение с параметрами, указанными в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов. Уменьшают напряжение входного сигнала до такого значения, при котором параметры микросхемы примут значения, указанные в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов; при этом измерителем напряжения на выходе микросхемы измеряют UBax min.
Метод 164 0. Измерение выходного напряжения баланса (Ц,ыхбал) для микросхем с двумя входами.
Измерение 17вьіхбал проводят согласно структурной схеме, приведенной на черт. 6а.
Основные элементы, входящие в структурную схему, должны удовлетворять требованиям, указанным в методе 1580.
Микросхему балансируют (метод 1580) с точностью, указанной в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов.
Затем переключатель В1 переводят в положение 2 и измерителем постоянного напряжения измеряют U , между одним из выходов микросхемы и общим выводом микросхемы.
вых.ОЙЛ
Метод 1641. Измерение выходного напряжения баланса (U бал) для микросхем с двумя входами с автоматической балансировкой испытываемой микросхемы с помощью вспомогательного усилителя.
Измерение 17вых6ал проводят согласно структурной схеме, приведенной на черт. 66.
Черт. 6а
R1 /?4 R5
1 — источник постоянного напряжения для балансировки микросхемы; 2 — микросхема; 3 — источник питания; 4 — измеритель постоянного напряжения
7, 4 — измерители постоянного напряжения;
2, 6 — источники питания; 3 — микросхема;
5 — вспомогательный усилитель
Измерение 11шм проводят согласно структурной схеме, приведенной на черт. 7.
7 — источник питания; 2 — микросхема;
3 — измеритель переменного напряжения
Черт. 66
Основные элементы, входящие в структурную схему, должны удовлетворять следующим требованиям:
^ = /^<0,01^;^ =
^5 ^6’
Если напряжения на входах вспомогательного усилителя не превышают допустимых значений, то резисторы R 7 и R8 исключают.
Параметры вспомогательного усилителя должны удовлетворять требованиям, указанным в методе 1581.
Измерителем 4 измеряют постоянное напряжение U бал между одним из выходов микросхемы и общим выводом микросхемы.
Метод 165 0. Измерение приведенного ко входу напряжения шумов (С7 ) для микросхем с одним входом.
Основные элементы, входящие в структурную схему, должны удовлетворять следующим требованиям
Хг< 0,17? .
Для измерения U вх измеряют эффективное значение напряжения шумов 11ш на выходе микросхемы и коэффициент усиления напряжения методом, выбранным для испытаний данной микросхемы (методы 6500—6504).
Приведенное ко входу напряжение шумов определяют по формул
еМетод 1651. Измерение приведенного ко входу напряжения шумов (С7ш вх) для микросхем с двумя входами.
Измерение ишвх проводят согласно структурной схеме, приведенной на черт. 7а.
Основные элементы, входящие в структурную схему, должны удовлетворять следующим требованиям:
Л = R, < 0,017? ; R3= т?4»/?і;
Ci = c2; XC1 <0,017?Bx.
Для микросхем с двумя выходами положение переключателей при измерении 11шю показано на черт. 7а, а для микросхем с одним выходом переключатель ВЗ переводят в положение 2.
Переменное напряжение на выходе генератора устанавливают равным нулю. Входы микросхемы через конденсаторы С1 и С2 закорачивают на общий вывод, для чего замыкают переключатели В1 и В2.
1 — генератор сигналов; 2 — источник постоянного напряжения для балансировки микросхемы; 3 — микросхема; 4 — источник питания; 5 — измеритель постоянного напряжения; 6 — измеритель переменного напряжения; 7 — измеритель нелинейных искажений.
М
1 — источник управляющего напряжения; 2 — измеритель постоянного напряжения; 3 — микросхема; 4 — источник питания; 5 — измеритель посто-
икросхему балансируют с точностью, указанной в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов, затем к выходу микросхемы подключают измеритель переменного напряжения (переключатель ^устанавливают в положение 2).янного напряжения
Черт. 8
Черт. 7а
Измеряют эффективное значение напряжения шумов 11ш непосредственно на выходе микросхемы и коэффициент усиления напряжения KyU (методы 6500—6504).
Приведенное ко входу напряжение шумов £7щ вх определяют по формуле
U =
Ш.ВХ р,
AyU
Метод 1660. Измерение остаточного напряжения (Uocj).
Измерение проводят согласно структурной схеме, приведенной на черт. 8.
На вход микросхемы подают управляющее напряжение Е{, соответствующее открытому состоянию микросхемы, с параметрами, указанными в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов.
Остаточное напряжение измеряют измерителем напряжения на выходе микросхемы.
Метод 1670. Измерение напряжения срабатывания (Ц.р6).
Измерение ?7рб проводят согласно структурной схеме, приведенной на черт. 8.
Увеличивают управляющее напряжение Ev начиная от Д <t/cp6, указанного в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов, до значения, при котором происходит включение микросхемы, т. е. скачкообразное изменение выходного напряжения, при этом регистрируют значение е'І , которое равно С/рб.
Метод 168 0. Измерение напряжения отпускания
Измерение проводят согласно структурной схеме, приведенной на черт. 8.
Уменьшают управляющее напряжение Е{, начиная от >£Лсрб, указанного в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов, до значения еЇ , при котором происходит включение микросхемы, то есть скачкообразное изменение выходного напряжения, при этом регистрируют значение Д, которое равно Umn.
Метод 1690. Измерение максимальной амплитуды импульсов входного (выходного) напряжения (t4x.A.max. ^вых А.тах)’
Измерение С7хАтах (^выхАтах) проводят согласно структурной схеме, приведенной на черт. 9.
1 — измеритель переменного напряжения; 2 — генератор сигналов; 3 — микросхема; 4 — источник питания; 5 — измеритель временных интервалов; (осциллограф); 6 — измеритель переменного напряжения; 7 — измеритель частоты; 8 — измеритель нелинейных искажений
Черт. 9
Основные элементы, входящие в структурную схему, должны удовлетворять следующим требованиям
XCl <0,017?!.
Плавно увеличивают амплитуду входных импульсов до такого значения, при котором искажения формы импульсов выходного напряжения станут равными значениям, указанным в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов.
Измерителем напряжения измеряют максимальную амплитуду импульсов входного (выходного) напряжения.
Метод 170 0. Измерение диапазона изменения выходного напряжения ограничения Д С7огр.
Измерение Д Uorp проводят согласно структурной схеме, выбранной для определения коэффициента усиления напряжения данной микросхемы (методы 6500—6504).
При двух значениях входного напряжения ?7Вх = ^огр и 17вх=1,5 (7огр измеряют выходные напряжения и и и" .
Диапазон изменения выходного напряжения ограничения определяют по формуле
Д ^огр = ^вых — ^вых •
Методы 161 0—1 7 0 0. (Измененная редакция, Изм. № 2).
Методы 1710,1711. (Исключены, Изм. № 5).
Метод 1720. Измерение диапазона выходного постоянного напряжения (С7вых пост).
Измерение Ц,ыхпост проводят согласно структурной схеме, приведенной на черт. 7а. Основные элементы, входящие в структурную схему, должны удовлетворять требованиям, указанным в методе 1651.
Для микросхем с двумя выходами положение переключателя ВЗ при измерении UBых пост показано на черт. 7а, а для микросхем с одним выходом переключатель ВЗ переводят в положение 2.
На вход микросхемы подают два значения напряжения, указанные в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов и обеспечивающие получение двух граничных значений диапазона выходного напряжения микросхемы. Измеряют указанные выходные напряжения. Диапазон выходного напряжения определяют как алгебраическую разность измеренных выходных напряжений.
(Измененная редакция, Изм. № 2).
3. МЕТОДЫ ИЗМЕРЕНИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ, ИМЕЮЩИХ РАЗМЕРНОСТЬ
ТОКА (класс 2000)
Метод 2500. Измерение входных токов (7вх, /вх), среднего входного тока (/ ) и разности ВХОДНЫХ ТОКОВ (A/J.
Для микросхем с двумя входами измерение /х , /вх, /хср, А/вх проводят согласно структурной схеме, приведенной на черт. На, а измерение I для микросхем с одним входом — по структурной схеме, приведенной на черт. 116.
1 — источник постоянного напряжения для балансировки микросхемы; 2, 5 — измерители постоянного напряжения; 3 — микросхема;